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Microondas

Tema 4: Amplificadores de microondas con transistores

Pablo Luis López Espí

Amplificadores de microondas con transistores

Amplificadores de microondas con transistores
„ Estudio de los parámetros S de un transistor. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. „ Estudio de la estabilidad. „ Circunferencias de estabilidad. „ Factor de Rollet. „ Amplificador incondicionalmente estable. „ Amplificador condicionalmente estable. „ Diseños óptimos en ganancia. „ Adaptación conjugada simultanea.
„

Máxima ganancia disponible, MAG. Máxima ganancia estable, MSG. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia. Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.

„

Amplificadores con una puerta desadaptada.
„ „ „

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„ Diseños óptimos en ruido. „ Figura de ruido mínima. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Aproximación unilateral.
Microondas ITT-ST Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parámetros S de un transistor
„ Un transistor con un terminal común puede caracterizarse mediante

una matriz de dimensión 2x2

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Microondas ITT-ST

Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parámetros S de un transistor (II)
¿Cuál es el significado físico de estos parámetros? S11 y S22 son los coeficientes de reflexión a la entrada y la salida si se carga con la impedancia de referencia. ¡Pueden representarse sobre la carta de Smith! S12 y S21 son las ganancias de transferencia en sentido directo e inverso ¡Pueden representarse sobre una carta polar o sus módulos sobre ejes cartesianos! ¡TODOS ELLOS DEPENDIENTES DEL PUNTO DE POLARIZACIÓN Y LA FRECUENCIA!

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Microondas ITT-ST

Tema 4

Ic = 30 mA.2 – 1 Ghz 4 S11 y S22 Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Estudio de los parámetros S de un transistor (III) Representación de los parámetros S del BFR93. Vce = 5 V. f = 0.

f = 0. Ic = 30 mA.Amplificadores de microondas con transistores Estudio de los parámetros S de un transistor (IV) Representación de los parámetros S del BFR93. Vce = 5 V.2 – 1 Ghz 5 S12 y S21 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa „ Diseñar un amplificador consiste en encontrar los valores de las impedancias óptimas a colocar a su entrada y salida para maximizar su ganancia de transferencia o minimizar su figura de ruido 6 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa (II) „ Circuito equivalente: Γ IN = S11 + S12 S 21Γ L 1 − S 22 Γ L S12 S 21Γ G 1 − S11Γ G Γ OUT = S 22 + 7 GT = 1 − ΓG 1− ΓL PL 2 = ⋅ S ⋅ 21 PDG 1 − ΓG S11 2 1 − ΓOUT Γ L 2 2 2 Microondas ITT-ST Tema 4 .

es decir.Amplificadores de microondas con transistores Estudio de la estabilidad „ Se pretenden detectar las situaciones en las que el amplificador se convierte en un oscilador. EXISTE SEÑAL EN AUSENCIA DE EXCITACIÓN i= ΣV 0 = ≠0 ΣZ 0 i i 8 Z G + Z IN = 0 RG = − RIN X G = − X IN Tema 4 ¡UNA DE LAS DOS PRESENTA IMPEDANCIA CON PARTE REAL NEGATIVA! Microondas ITT-ST .

„ ¡Hay que detectar los valores de coeficiente de reflexión en la carga que hacen el coeficiente de reflexión a la entrada mayor o igual que uno! Microondas ITT-ST Tema 4 . la 9 estabilidad de una puerta solo depende de la carga de la otra. Γ IN S12 S21Γ L = S11 + <1 1 − S22 Γ L S12 S21ΓG <1 1 − S11ΓG ΓOUT = S22 + „ Una vez elegido el transistor y su punto de polarización.Amplificadores de microondas con transistores Estudio de la estabilidad (II) „ Para que no exista oscilación la impedancia de entrada debe tener parte real siempre positiva.

10 Microondas ITT-ST Tema 4 . se dice que el transistor es CONDICIONALMENTE ESTABLE. entonces se dice que el transistor es INCONDICIONALMENTE ESTABLE.Amplificadores de microondas con transistores Estudio de la estabilidad (III) „ Si para cualesquiera valores de ГL y ГG correspondientes a cargas pasivas. los valores de los módulos Гin y Гout son menores que la unidad. „ En caso contrario.

se trata de resolver: S12 S 21Γ L =1 S11 + 1 − S 22 Γ L „ La ecuación anterior representa una circunferencia de centro y radio dados por: CL S ( = 22 − ∆S 2 * * 11 2 ) 11 S22 − ∆ . rL = S12 S21 S22 − ∆ 2 2 „ Las soluciones son los valores de ГL que hacen Zin = 0 + jX Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad „ Para la puerta de entrada.

considerando la salida del transistor S12 S 21Γ G S 22 + =1 1 − S11Γ G „ La ecuación anterior representa una circunferencia de centro y radio dados por: CG S ( = 11 − ∆S22 2 * * 2 ) 12 S11 − ∆ .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (II) „ Análogamente. rG = S12 S21 S11 − ∆ 2 2 „ Las soluciones son los valores de Гg que hacen Zout = 0 + jX Microondas ITT-ST Tema 4 .

1189º 0.770-166º =⎜ ⎝ 6.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (III) „ Consideremos un transistor caracterizado por la siguiente matriz S: S Z0 ⎛ 0.62151.314 Microondas ITT-ST CL = 2.713 Tema 4 13 .365-34º ⎠ „ Los valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad son: CG = 1.02935º ⎞ ⎟ 0.2º rL = 1.28169º rG = 0.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (IV) „ Estabilidad a la entrada 14 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (V) „ Estabilidad a la salida 15 Microondas ITT-ST Tema 4 .

1−50. 6 + j 0. Para determinar cual región corresponde a cada caso es necesario probar valores: Z G = 0. 770−166 „ Regla práctica: Si los módulos de los parámetros S11 y S22 son 16 menores que la unidad los centros de las cartas de Smith de salida y entrada respectivamente pertenecen a la región estable Tema 4 Microondas ITT-ST .8 ⇒ Γ IN = 1.87 Z G = 1 ⇒ Γ G = 0 ⇒ Γ OUT = S 22 = 0.198 ⇒ Γ OUT = 1.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (VI) „ El círculo delimita las regiones que hacen el coeficiente de reflexión mayor o menor que uno.365−34 Z L = 2 j ⇒ Γ L = 0.1 j ⇒ Γ G = −0. 03−167.98 + j 0.67 Z L = 1 ⇒ Γ L = 0 ⇒ Γ IN = S11 = 0.

Amplificadores de microondas con transistores Factor de Rollet „ El factor de ROLLET Permite valorar numéricamente si un transistor es incondicionalmente o condicionalmente estable. La estabilidad del transistor es mayor cuanto mayor sea el valor de µ. 17 µ= Microondas ITT-ST 1 − S11 * 11 2 S22 − S ∆ + S12 S 21 >1 Tema 4 . El transistor es incondicionalmente estable si se cumple que: K >1 ∆ <1 1 − S11 − S 22 + ∆ K= 2 S12 S 21 2 2 2 „ Otra posibilidad es emplear el factor de Edwards-Sinsky para medir la estabilidad.

MAG. „ Si el transistor es incondicionalmente estable. es posible la adaptación conjugada simultánea: Γ L = Γ* OUT = Γ ML Γ G = Γ* IN = Γ MG „ Se obtiene en este caso la máxima ganancia disponible.Amplificadores de microondas con transistores Amplificador incondicionalmente estable. 18 GTadaptacion conjugada simul tan ea S21 = MAG = K − K2 −1 S12 ( ) Tema 4 Microondas ITT-ST .

„ Es el límite de la MAG cuando el factor de Rollet es igual a 1. MSG. MSG = S 21 S12 19 Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Amplificador condicionalmente estable „ En los diseños en los que no es posible conseguir la MAG (K<1) se fija una cota de seguridad en el cálculo de la ganancia llamada Máxima Ganancia Estable.

„ Aproximación unilateral. Circunferencias de ganancia disponible. „ Amplificadores con una puerta desadaptada. Ganancia en potencia. „ Diseños óptimos en ganancia. Microondas ITT-ST Tema 4 . MSG. „ Máxima ganancia disponible. „ Factor de Rollet. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. Circunferencias de ganancia en potencia. „ Circunferencias de estabilidad. Ganancia disponible. „ Figura de ruido mínima. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Adaptación conjugada simultanea. „ Estudio de la estabilidad. Máxima ganancia estable. „ Amplificador incondicionalmente estable. MAG.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de microondas con transistores „ Estudio de los parámetros S de un transistor. „ „ „ 20 „ Diseños óptimos en ruido. „ Amplificador condicionalmente estable.

Amplificadores de microondas con transistores Adaptación conjugada simultánea „ Para lograr la adaptación conjugada simultánea es condición suficiente: K >1 ΓG = Γ MG = Γ∗ IN ∗ Γ ML = Γ L = ΓOUT GT = MAG 21 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Adaptación conjugada simultánea (II) „ Coeficientes de reflexión que adaptan conjugadamente de manera simultánea 2 − BG ± BG − 4 AG 2 Γ MG = 2 AG ⎧ ΓG ' =⎨ ⎩ΓG '' AG = S11 − S22 ∆ ( ∗ BG = −1 − S11 + ∆ + S22 2 2 ( ) 2 ) 22 Γ ML = − BL ± B − 4 AL 2 L 2 2 AL ⎧ΓL ' =⎨ ⎩Γ L '' AL = S22 − S11 ∆ ( ∗ BL = −1 − S22 + ∆ + S11 2 2 ( ) 2 ) Microondas ITT-ST Tema 4 .

puede ser necesario o deseable desadaptar alguna de las puertas del transistor. „ En estos casos. „ En temas anteriores estudiamos la ganancia en potencia y la ganancia disponible. o por objetivos de diseño. las impedancias hacia el generador o la carga son diferentes de las impedancias que adaptan conjugadamente la entrada y la salida.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores con una puerta desadaptada „ Por razones de estabilidad. 1 − ΓG PDL 1 2 = GD = S21 PDG 1 − S11ΓG 1 − ΓOUT 2 2 = f ( ΓG ) 23 PL 1 = GP = PIN 1 − Γ IN Microondas ITT-ST 2 S21 2 1 − ΓL = f (ΓL ) 1 − S22 Γ L 2 Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia disponible „ Si se deja desadaptada la puerta de salida y se adapta la puerta de entrada. „ Los valores de coeficiente de reflexión que consiguen una misma cantidad de ganancia disponible se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith. CD = 2 D gd C 1 + gd D1 2 * 1 gd = GD S21 2 24 r − CD = 1 − gd 1 − S22 1 + gd D1 ( 2 ) * ∆ C1 = S11 − S22 D1 = S11 − ∆ 2 2 Microondas ITT-ST Tema 4 . la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia.

128 Microondas ITT-ST .974169.023º rDG = MSG = 0.854169.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia disponible (II) „ Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con anterioridad: ⎛ 0.187 Tema 4 „ Algunos valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad son: 25 CDG = MSG = 0.770-166º S Z0 = ⎜ ⎝ 6.02935º ⎞ ⎟ 0.365-34º ⎠ S21 MSG = = 210.69 ≡ 23.023º rDG = MSG − 2 dB = 0. 24dB S12 CDG = MSG − 2 dB = 0.1189º „ La MSG del transistor es: 0.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia disponible (III) Estabilidad MSG MSG – 2 dB MSG – 5 dB MSG – 10 dB MSG – 15 dB Microondas ITT-ST Tema 4 26 .

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia en potencia „ Si se deja desadaptada la puerta de entrada y se adapta la puerta de salida. la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia. „ Los valores de coeficiente de reflexión que consiguen una misma cantidad de ganancia en potencia se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith. * g p C2 CP = 1 + g p D2 2 gp = GP S21 2 27 r − CP = 2 P 1− gp 1− S 1 + g p D2 ( 2 11 ) * C2 = S22 − S11 ∆ D2 = S22 − ∆ 2 2 Microondas ITT-ST Tema 4 .

70651.20º rPG = MSG − 2 dB = 0.365-34º ⎠ S21 MSG = = 210. 24dB S12 CPG = MSG − 2 dB = 0.1189º „ La MSG del transistor es: 0.338 Microondas ITT-ST .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia en potencia (II) „ Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con anterioridad: ⎛ 0.96651.770-166º S Z0 = ⎜ ⎝ 6.02935º ⎞ ⎟ 0.20º rDG = MSG = 0.69 ≡ 23.411 Tema 4 „ Algunos valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad son: 28 CPG = MSG = 0.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia en potencia (III) Estabilidad MSG MSG – 2 dB MSG – 5 dB MSG – 10 dB MSG – 15 dB Microondas ITT-ST Tema 4 29 .

„ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. MSG. Ganancia en potencia. „ Figura de ruido mínima. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Amplificador incondicionalmente estable. Máxima ganancia estable. Circunferencias de ganancia en potencia. „ Circunferencias de estabilidad. „ Factor de Rollet. „ Amplificador condicionalmente estable. MAG. „ Estudio de la estabilidad. „ Aproximación unilateral. „ Adaptación conjugada simultanea. „ „ „ 30 „ Diseños óptimos en ruido. „ Diseños óptimos en ganancia. „ Máxima ganancia disponible. „ Amplificadores con una puerta desadaptada. Microondas ITT-ST Tema 4 . Ganancia disponible.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de microondas con transistores „ Estudio de los parámetros S de un transistor. Circunferencias de ganancia disponible.

Гopt y Гmg no coinciden. Sus 31 valores varían con la frecuencia y el punto de polarización. en general. „ Puesto que. no es posible conseguir simultáneamente máxima ganancia y mínima figura de ruido. Гopt y Rn.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de figura de ruido mínima „ La figura de ruido que presenta un amplificador solo depende de las condiciones de adaptación a la entrada del transistor. F = Fmin + (1 − Γ ) 1 + Γ 2 G 4rn ΓG − Γ opt 2 2 opt rn = Rn Z0 „ Los parámetros de ruido del transistor son Fmin. Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de figura de ruido constante „ Los valores de coeficiente de reflexión hacia el generador que dan lugar a igual figura de ruido están situados sobre una circunferencia en la carta de Smith del plano de entrada. „ Se define N como: N= ΓG − Γ opt 1 − ΓG 2 2 F − Fmin = 1 + Γ opt 4rn 2 „ El centro y radio de los círculos es: 32 1 rN = 1+ N Microondas ITT-ST N + N 1 + Γ opt 2 ( 2 ) CN = Γ opt 1+ N Tema 4 .

0 dB Fmin + 1. 2150º Rn = 10Ω Fmin Fmin + 0.0 dB Microondas ITT-ST Tema 4 33 .5 dB Fmin + 2.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de figura de ruido constante (II) Fmin = 1dB Γopt = 0.5 dB Fmin + 1.

„ Amplificadores con una puerta desadaptada. „ Amplificador condicionalmente estable. „ Amplificador incondicionalmente estable. „ Estudio de la estabilidad. „ „ „ 34 „ Diseños óptimos en ruido. Circunferencias de ganancia en potencia.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de microondas con transistores „ Estudio de los parámetros S de un transistor. MSG. Microondas ITT-ST Tema 4 . Ganancia disponible. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. Máxima ganancia estable. „ Máxima ganancia disponible. „ Adaptación conjugada simultanea. „ Figura de ruido mínima. Circunferencias de ganancia disponible. „ Diseños óptimos en ganancia. „ Aproximación unilateral. MAG. Ganancia en potencia. „ Circunferencias de estabilidad. „ Factor de Rollet. „ Circunferencias de figura de ruido.

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral „ Un cuadripolo se dice unilateral cuando su parámetro S12 = 0 „ En este caso: Γ IN = S11 Γ OUT = S 22 GTu = (1 − Γ ) 2 G (1 − S11ΓG ) 2 S 21 2 (1 − Γ ) 2 L (1 − S22Γ L ) 2 GTu = G1G0G2 35 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (II) „ Diseño incondicionalmente estable: S11 < 1. S 22 < 1 „ El valor máximo de ganancia Gtumáx se obtiene mediante adaptación conjugada simultánea de entrada y salida Γ G = S11 Γ L = S 22 * * 36 GTu max = 1 1 − S11 2 S 21 2 1 1 − S 22 Tema 4 2 Microondas ITT-ST .

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (III) „ Los valores de ΓG o ΓL que provocan un mismo valor de ganancia G1 o G2 están situados en sendas circunferencias sobre la carta de Smith * G1S11 * G2 S 22 C1 = 1 + G1 S11 2 C2 = 2 1 + G2 S 22 2 r1 = 1 − G1 1 − S11 1 + G1 S11 2 ( ) r2 = 1 − G2 1 − S 22 1 + G2 S 22 2 ( 2 ) 37 Microondas ITT-ST Tema 4 .

interpretando las circunferencias de resistencia como negativas y las de reactancia tal cual” Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (IV) „ Diseño condicionalmente estable: S11 > 1 condiciones: o S 22 > 1 1 ΓL = S22 „ La oscilación es posible cuando se cumple alguna de las siguientes 1 ΓG = S11 o „ Se debe elegir el coeficiente de reflexión de manera que su parte real 38 sea mayor que la del punto 1/Sii* „ Propiedad de la carta de Smith: “La resistencia negativa asociada a un coeficiente de reflexión se puede calcular obteniendo el punto conjugado inverso.

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (V) „ Error cometido en la aproximación unilateral S12 S 21Γ L ΓG X= (1 − S11ΓG )(1 − S22Γ L ) GT 1 = GTu 1 − X 1 2 1+ X 2 < GT 1 < GTu 1 − X 2 „ Para el caso de la ganancia máxima unilateral. U: 39 U= (1 − S )(1 − S ) 2 2 11 22 S11S12 S 21S 22 1 1+ U 2 < GT 1 < GTumax 1 − U 2 Tema 4 Microondas ITT-ST . se define el factor de mérito unilateral.

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