Microondas

Tema 4: Amplificadores de microondas con transistores

Pablo Luis López Espí

Amplificadores de microondas con transistores

Amplificadores de microondas con transistores
„ Estudio de los parámetros S de un transistor. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. „ Estudio de la estabilidad. „ Circunferencias de estabilidad. „ Factor de Rollet. „ Amplificador incondicionalmente estable. „ Amplificador condicionalmente estable. „ Diseños óptimos en ganancia. „ Adaptación conjugada simultanea.
„

Máxima ganancia disponible, MAG. Máxima ganancia estable, MSG. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia. Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.

„

Amplificadores con una puerta desadaptada.
„ „ „

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„ Diseños óptimos en ruido. „ Figura de ruido mínima. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Aproximación unilateral.
Microondas ITT-ST Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parámetros S de un transistor
„ Un transistor con un terminal común puede caracterizarse mediante

una matriz de dimensión 2x2

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Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parámetros S de un transistor (II)
¿Cuál es el significado físico de estos parámetros? S11 y S22 son los coeficientes de reflexión a la entrada y la salida si se carga con la impedancia de referencia. ¡Pueden representarse sobre la carta de Smith! S12 y S21 son las ganancias de transferencia en sentido directo e inverso ¡Pueden representarse sobre una carta polar o sus módulos sobre ejes cartesianos! ¡TODOS ELLOS DEPENDIENTES DEL PUNTO DE POLARIZACIÓN Y LA FRECUENCIA!

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Tema 4

Vce = 5 V.Amplificadores de microondas con transistores Estudio de los parámetros S de un transistor (III) Representación de los parámetros S del BFR93.2 – 1 Ghz 4 S11 y S22 Microondas ITT-ST Tema 4 . f = 0. Ic = 30 mA.

Vce = 5 V.2 – 1 Ghz 5 S12 y S21 Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Estudio de los parámetros S de un transistor (IV) Representación de los parámetros S del BFR93. f = 0. Ic = 30 mA.

Amplificadores de microondas con transistores Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa „ Diseñar un amplificador consiste en encontrar los valores de las impedancias óptimas a colocar a su entrada y salida para maximizar su ganancia de transferencia o minimizar su figura de ruido 6 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa (II) „ Circuito equivalente: Γ IN = S11 + S12 S 21Γ L 1 − S 22 Γ L S12 S 21Γ G 1 − S11Γ G Γ OUT = S 22 + 7 GT = 1 − ΓG 1− ΓL PL 2 = ⋅ S ⋅ 21 PDG 1 − ΓG S11 2 1 − ΓOUT Γ L 2 2 2 Microondas ITT-ST Tema 4 .

EXISTE SEÑAL EN AUSENCIA DE EXCITACIÓN i= ΣV 0 = ≠0 ΣZ 0 i i 8 Z G + Z IN = 0 RG = − RIN X G = − X IN Tema 4 ¡UNA DE LAS DOS PRESENTA IMPEDANCIA CON PARTE REAL NEGATIVA! Microondas ITT-ST .Amplificadores de microondas con transistores Estudio de la estabilidad „ Se pretenden detectar las situaciones en las que el amplificador se convierte en un oscilador. es decir.

Amplificadores de microondas con transistores Estudio de la estabilidad (II) „ Para que no exista oscilación la impedancia de entrada debe tener parte real siempre positiva. Γ IN S12 S21Γ L = S11 + <1 1 − S22 Γ L S12 S21ΓG <1 1 − S11ΓG ΓOUT = S22 + „ Una vez elegido el transistor y su punto de polarización. la 9 estabilidad de una puerta solo depende de la carga de la otra. „ ¡Hay que detectar los valores de coeficiente de reflexión en la carga que hacen el coeficiente de reflexión a la entrada mayor o igual que uno! Microondas ITT-ST Tema 4 .

se dice que el transistor es CONDICIONALMENTE ESTABLE. „ En caso contrario. los valores de los módulos Гin y Гout son menores que la unidad. 10 Microondas ITT-ST Tema 4 . entonces se dice que el transistor es INCONDICIONALMENTE ESTABLE.Amplificadores de microondas con transistores Estudio de la estabilidad (III) „ Si para cualesquiera valores de ГL y ГG correspondientes a cargas pasivas.

rL = S12 S21 S22 − ∆ 2 2 „ Las soluciones son los valores de ГL que hacen Zin = 0 + jX Microondas ITT-ST Tema 4 . se trata de resolver: S12 S 21Γ L =1 S11 + 1 − S 22 Γ L „ La ecuación anterior representa una circunferencia de centro y radio dados por: CL S ( = 22 − ∆S 2 * * 11 2 ) 11 S22 − ∆ .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad „ Para la puerta de entrada.

rG = S12 S21 S11 − ∆ 2 2 „ Las soluciones son los valores de Гg que hacen Zout = 0 + jX Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (II) „ Análogamente. considerando la salida del transistor S12 S 21Γ G S 22 + =1 1 − S11Γ G „ La ecuación anterior representa una circunferencia de centro y radio dados por: CG S ( = 11 − ∆S22 2 * * 2 ) 12 S11 − ∆ .

365-34º ⎠ „ Los valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad son: CG = 1.1189º 0.770-166º =⎜ ⎝ 6.314 Microondas ITT-ST CL = 2.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (III) „ Consideremos un transistor caracterizado por la siguiente matriz S: S Z0 ⎛ 0.2º rL = 1.62151.713 Tema 4 13 .28169º rG = 0.02935º ⎞ ⎟ 0.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (IV) „ Estabilidad a la entrada 14 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (V) „ Estabilidad a la salida 15 Microondas ITT-ST Tema 4 .

770−166 „ Regla práctica: Si los módulos de los parámetros S11 y S22 son 16 menores que la unidad los centros de las cartas de Smith de salida y entrada respectivamente pertenecen a la región estable Tema 4 Microondas ITT-ST .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (VI) „ El círculo delimita las regiones que hacen el coeficiente de reflexión mayor o menor que uno.98 + j 0.1−50. 6 + j 0. 03−167.198 ⇒ Γ OUT = 1.87 Z G = 1 ⇒ Γ G = 0 ⇒ Γ OUT = S 22 = 0.1 j ⇒ Γ G = −0.365−34 Z L = 2 j ⇒ Γ L = 0.67 Z L = 1 ⇒ Γ L = 0 ⇒ Γ IN = S11 = 0. Para determinar cual región corresponde a cada caso es necesario probar valores: Z G = 0.8 ⇒ Γ IN = 1.

Amplificadores de microondas con transistores Factor de Rollet „ El factor de ROLLET Permite valorar numéricamente si un transistor es incondicionalmente o condicionalmente estable. 17 µ= Microondas ITT-ST 1 − S11 * 11 2 S22 − S ∆ + S12 S 21 >1 Tema 4 . La estabilidad del transistor es mayor cuanto mayor sea el valor de µ. El transistor es incondicionalmente estable si se cumple que: K >1 ∆ <1 1 − S11 − S 22 + ∆ K= 2 S12 S 21 2 2 2 „ Otra posibilidad es emplear el factor de Edwards-Sinsky para medir la estabilidad.

18 GTadaptacion conjugada simul tan ea S21 = MAG = K − K2 −1 S12 ( ) Tema 4 Microondas ITT-ST . es posible la adaptación conjugada simultánea: Γ L = Γ* OUT = Γ ML Γ G = Γ* IN = Γ MG „ Se obtiene en este caso la máxima ganancia disponible.Amplificadores de microondas con transistores Amplificador incondicionalmente estable. „ Si el transistor es incondicionalmente estable. MAG.

Amplificadores de microondas con transistores Amplificador condicionalmente estable „ En los diseños en los que no es posible conseguir la MAG (K<1) se fija una cota de seguridad en el cálculo de la ganancia llamada Máxima Ganancia Estable. „ Es el límite de la MAG cuando el factor de Rollet es igual a 1. MSG. MSG = S 21 S12 19 Microondas ITT-ST Tema 4 .

MSG. „ Circunferencias de estabilidad. Ganancia en potencia. „ Amplificador condicionalmente estable.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de microondas con transistores „ Estudio de los parámetros S de un transistor. Microondas ITT-ST Tema 4 . Circunferencias de ganancia disponible. Circunferencias de ganancia en potencia. „ Figura de ruido mínima. „ Factor de Rollet. „ „ „ 20 „ Diseños óptimos en ruido. „ Amplificadores con una puerta desadaptada. „ Aproximación unilateral. Máxima ganancia estable. „ Adaptación conjugada simultanea. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Diseños óptimos en ganancia. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. „ Máxima ganancia disponible. Ganancia disponible. MAG. „ Estudio de la estabilidad. „ Amplificador incondicionalmente estable.

Amplificadores de microondas con transistores Adaptación conjugada simultánea „ Para lograr la adaptación conjugada simultánea es condición suficiente: K >1 ΓG = Γ MG = Γ∗ IN ∗ Γ ML = Γ L = ΓOUT GT = MAG 21 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Adaptación conjugada simultánea (II) „ Coeficientes de reflexión que adaptan conjugadamente de manera simultánea 2 − BG ± BG − 4 AG 2 Γ MG = 2 AG ⎧ ΓG ' =⎨ ⎩ΓG '' AG = S11 − S22 ∆ ( ∗ BG = −1 − S11 + ∆ + S22 2 2 ( ) 2 ) 22 Γ ML = − BL ± B − 4 AL 2 L 2 2 AL ⎧ΓL ' =⎨ ⎩Γ L '' AL = S22 − S11 ∆ ( ∗ BL = −1 − S22 + ∆ + S11 2 2 ( ) 2 ) Microondas ITT-ST Tema 4 .

puede ser necesario o deseable desadaptar alguna de las puertas del transistor. 1 − ΓG PDL 1 2 = GD = S21 PDG 1 − S11ΓG 1 − ΓOUT 2 2 = f ( ΓG ) 23 PL 1 = GP = PIN 1 − Γ IN Microondas ITT-ST 2 S21 2 1 − ΓL = f (ΓL ) 1 − S22 Γ L 2 Tema 4 . „ En temas anteriores estudiamos la ganancia en potencia y la ganancia disponible. o por objetivos de diseño. las impedancias hacia el generador o la carga son diferentes de las impedancias que adaptan conjugadamente la entrada y la salida.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores con una puerta desadaptada „ Por razones de estabilidad. „ En estos casos.

„ Los valores de coeficiente de reflexión que consiguen una misma cantidad de ganancia disponible se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith. la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia. CD = 2 D gd C 1 + gd D1 2 * 1 gd = GD S21 2 24 r − CD = 1 − gd 1 − S22 1 + gd D1 ( 2 ) * ∆ C1 = S11 − S22 D1 = S11 − ∆ 2 2 Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia disponible „ Si se deja desadaptada la puerta de salida y se adapta la puerta de entrada.

023º rDG = MSG − 2 dB = 0.187 Tema 4 „ Algunos valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad son: 25 CDG = MSG = 0.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia disponible (II) „ Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con anterioridad: ⎛ 0.365-34º ⎠ S21 MSG = = 210.128 Microondas ITT-ST .69 ≡ 23.854169.974169. 24dB S12 CDG = MSG − 2 dB = 0.023º rDG = MSG = 0.02935º ⎞ ⎟ 0.770-166º S Z0 = ⎜ ⎝ 6.1189º „ La MSG del transistor es: 0.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia disponible (III) Estabilidad MSG MSG – 2 dB MSG – 5 dB MSG – 10 dB MSG – 15 dB Microondas ITT-ST Tema 4 26 .

* g p C2 CP = 1 + g p D2 2 gp = GP S21 2 27 r − CP = 2 P 1− gp 1− S 1 + g p D2 ( 2 11 ) * C2 = S22 − S11 ∆ D2 = S22 − ∆ 2 2 Microondas ITT-ST Tema 4 . „ Los valores de coeficiente de reflexión que consiguen una misma cantidad de ganancia en potencia se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia en potencia „ Si se deja desadaptada la puerta de entrada y se adapta la puerta de salida. la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia.

96651. 24dB S12 CPG = MSG − 2 dB = 0.02935º ⎞ ⎟ 0.1189º „ La MSG del transistor es: 0.770-166º S Z0 = ⎜ ⎝ 6.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia en potencia (II) „ Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con anterioridad: ⎛ 0.69 ≡ 23.20º rPG = MSG − 2 dB = 0.411 Tema 4 „ Algunos valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad son: 28 CPG = MSG = 0.365-34º ⎠ S21 MSG = = 210.20º rDG = MSG = 0.338 Microondas ITT-ST .70651.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia en potencia (III) Estabilidad MSG MSG – 2 dB MSG – 5 dB MSG – 10 dB MSG – 15 dB Microondas ITT-ST Tema 4 29 .

Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de microondas con transistores „ Estudio de los parámetros S de un transistor. „ Amplificador incondicionalmente estable. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. „ Figura de ruido mínima. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Adaptación conjugada simultanea. Circunferencias de ganancia disponible. „ „ „ 30 „ Diseños óptimos en ruido. „ Diseños óptimos en ganancia. „ Circunferencias de estabilidad. Circunferencias de ganancia en potencia. MSG. „ Factor de Rollet. MAG. Máxima ganancia estable. „ Aproximación unilateral. Ganancia en potencia. Microondas ITT-ST Tema 4 . „ Máxima ganancia disponible. Ganancia disponible. „ Amplificador condicionalmente estable. „ Estudio de la estabilidad. „ Amplificadores con una puerta desadaptada.

en general. Гopt y Гmg no coinciden. no es posible conseguir simultáneamente máxima ganancia y mínima figura de ruido.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de figura de ruido mínima „ La figura de ruido que presenta un amplificador solo depende de las condiciones de adaptación a la entrada del transistor. Sus 31 valores varían con la frecuencia y el punto de polarización. „ Puesto que. Гopt y Rn. Microondas ITT-ST Tema 4 . F = Fmin + (1 − Γ ) 1 + Γ 2 G 4rn ΓG − Γ opt 2 2 opt rn = Rn Z0 „ Los parámetros de ruido del transistor son Fmin.

„ Se define N como: N= ΓG − Γ opt 1 − ΓG 2 2 F − Fmin = 1 + Γ opt 4rn 2 „ El centro y radio de los círculos es: 32 1 rN = 1+ N Microondas ITT-ST N + N 1 + Γ opt 2 ( 2 ) CN = Γ opt 1+ N Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de figura de ruido constante „ Los valores de coeficiente de reflexión hacia el generador que dan lugar a igual figura de ruido están situados sobre una circunferencia en la carta de Smith del plano de entrada.

5 dB Fmin + 1.0 dB Fmin + 1.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de figura de ruido constante (II) Fmin = 1dB Γopt = 0. 2150º Rn = 10Ω Fmin Fmin + 0.5 dB Fmin + 2.0 dB Microondas ITT-ST Tema 4 33 .

„ Aproximación unilateral. Ganancia disponible. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de microondas con transistores „ Estudio de los parámetros S de un transistor. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia. „ Máxima ganancia disponible. „ „ „ 34 „ Diseños óptimos en ruido. „ Amplificador condicionalmente estable. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Amplificadores con una puerta desadaptada. „ Estudio de la estabilidad. MSG. „ Adaptación conjugada simultanea. „ Factor de Rollet. „ Amplificador incondicionalmente estable. „ Diseños óptimos en ganancia. Circunferencias de ganancia disponible. Microondas ITT-ST Tema 4 . Máxima ganancia estable. „ Figura de ruido mínima. „ Circunferencias de estabilidad. MAG.

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral „ Un cuadripolo se dice unilateral cuando su parámetro S12 = 0 „ En este caso: Γ IN = S11 Γ OUT = S 22 GTu = (1 − Γ ) 2 G (1 − S11ΓG ) 2 S 21 2 (1 − Γ ) 2 L (1 − S22Γ L ) 2 GTu = G1G0G2 35 Microondas ITT-ST Tema 4 .

S 22 < 1 „ El valor máximo de ganancia Gtumáx se obtiene mediante adaptación conjugada simultánea de entrada y salida Γ G = S11 Γ L = S 22 * * 36 GTu max = 1 1 − S11 2 S 21 2 1 1 − S 22 Tema 4 2 Microondas ITT-ST .Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (II) „ Diseño incondicionalmente estable: S11 < 1.

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (III) „ Los valores de ΓG o ΓL que provocan un mismo valor de ganancia G1 o G2 están situados en sendas circunferencias sobre la carta de Smith * G1S11 * G2 S 22 C1 = 1 + G1 S11 2 C2 = 2 1 + G2 S 22 2 r1 = 1 − G1 1 − S11 1 + G1 S11 2 ( ) r2 = 1 − G2 1 − S 22 1 + G2 S 22 2 ( 2 ) 37 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (IV) „ Diseño condicionalmente estable: S11 > 1 condiciones: o S 22 > 1 1 ΓL = S22 „ La oscilación es posible cuando se cumple alguna de las siguientes 1 ΓG = S11 o „ Se debe elegir el coeficiente de reflexión de manera que su parte real 38 sea mayor que la del punto 1/Sii* „ Propiedad de la carta de Smith: “La resistencia negativa asociada a un coeficiente de reflexión se puede calcular obteniendo el punto conjugado inverso. interpretando las circunferencias de resistencia como negativas y las de reactancia tal cual” Microondas ITT-ST Tema 4 .

se define el factor de mérito unilateral. U: 39 U= (1 − S )(1 − S ) 2 2 11 22 S11S12 S 21S 22 1 1+ U 2 < GT 1 < GTumax 1 − U 2 Tema 4 Microondas ITT-ST .Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (V) „ Error cometido en la aproximación unilateral S12 S 21Γ L ΓG X= (1 − S11ΓG )(1 − S22Γ L ) GT 1 = GTu 1 − X 1 2 1+ X 2 < GT 1 < GTu 1 − X 2 „ Para el caso de la ganancia máxima unilateral.