Microondas

Tema 4: Amplificadores de microondas con transistores

Pablo Luis López Espí

Amplificadores de microondas con transistores

Amplificadores de microondas con transistores
„ Estudio de los parámetros S de un transistor. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. „ Estudio de la estabilidad. „ Circunferencias de estabilidad. „ Factor de Rollet. „ Amplificador incondicionalmente estable. „ Amplificador condicionalmente estable. „ Diseños óptimos en ganancia. „ Adaptación conjugada simultanea.
„

Máxima ganancia disponible, MAG. Máxima ganancia estable, MSG. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia. Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.

„

Amplificadores con una puerta desadaptada.
„ „ „

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„ Diseños óptimos en ruido. „ Figura de ruido mínima. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Aproximación unilateral.
Microondas ITT-ST Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parámetros S de un transistor
„ Un transistor con un terminal común puede caracterizarse mediante

una matriz de dimensión 2x2

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Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parámetros S de un transistor (II)
¿Cuál es el significado físico de estos parámetros? S11 y S22 son los coeficientes de reflexión a la entrada y la salida si se carga con la impedancia de referencia. ¡Pueden representarse sobre la carta de Smith! S12 y S21 son las ganancias de transferencia en sentido directo e inverso ¡Pueden representarse sobre una carta polar o sus módulos sobre ejes cartesianos! ¡TODOS ELLOS DEPENDIENTES DEL PUNTO DE POLARIZACIÓN Y LA FRECUENCIA!

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Tema 4

Ic = 30 mA.Amplificadores de microondas con transistores Estudio de los parámetros S de un transistor (III) Representación de los parámetros S del BFR93.2 – 1 Ghz 4 S11 y S22 Microondas ITT-ST Tema 4 . f = 0. Vce = 5 V.

Vce = 5 V. f = 0. Ic = 30 mA.2 – 1 Ghz 5 S12 y S21 Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Estudio de los parámetros S de un transistor (IV) Representación de los parámetros S del BFR93.

Amplificadores de microondas con transistores Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa „ Diseñar un amplificador consiste en encontrar los valores de las impedancias óptimas a colocar a su entrada y salida para maximizar su ganancia de transferencia o minimizar su figura de ruido 6 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa (II) „ Circuito equivalente: Γ IN = S11 + S12 S 21Γ L 1 − S 22 Γ L S12 S 21Γ G 1 − S11Γ G Γ OUT = S 22 + 7 GT = 1 − ΓG 1− ΓL PL 2 = ⋅ S ⋅ 21 PDG 1 − ΓG S11 2 1 − ΓOUT Γ L 2 2 2 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Estudio de la estabilidad „ Se pretenden detectar las situaciones en las que el amplificador se convierte en un oscilador. es decir. EXISTE SEÑAL EN AUSENCIA DE EXCITACIÓN i= ΣV 0 = ≠0 ΣZ 0 i i 8 Z G + Z IN = 0 RG = − RIN X G = − X IN Tema 4 ¡UNA DE LAS DOS PRESENTA IMPEDANCIA CON PARTE REAL NEGATIVA! Microondas ITT-ST .

Γ IN S12 S21Γ L = S11 + <1 1 − S22 Γ L S12 S21ΓG <1 1 − S11ΓG ΓOUT = S22 + „ Una vez elegido el transistor y su punto de polarización. „ ¡Hay que detectar los valores de coeficiente de reflexión en la carga que hacen el coeficiente de reflexión a la entrada mayor o igual que uno! Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Estudio de la estabilidad (II) „ Para que no exista oscilación la impedancia de entrada debe tener parte real siempre positiva. la 9 estabilidad de una puerta solo depende de la carga de la otra.

„ En caso contrario. los valores de los módulos Гin y Гout son menores que la unidad. se dice que el transistor es CONDICIONALMENTE ESTABLE. entonces se dice que el transistor es INCONDICIONALMENTE ESTABLE.Amplificadores de microondas con transistores Estudio de la estabilidad (III) „ Si para cualesquiera valores de ГL y ГG correspondientes a cargas pasivas. 10 Microondas ITT-ST Tema 4 .

rL = S12 S21 S22 − ∆ 2 2 „ Las soluciones son los valores de ГL que hacen Zin = 0 + jX Microondas ITT-ST Tema 4 . se trata de resolver: S12 S 21Γ L =1 S11 + 1 − S 22 Γ L „ La ecuación anterior representa una circunferencia de centro y radio dados por: CL S ( = 22 − ∆S 2 * * 11 2 ) 11 S22 − ∆ .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad „ Para la puerta de entrada.

rG = S12 S21 S11 − ∆ 2 2 „ Las soluciones son los valores de Гg que hacen Zout = 0 + jX Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (II) „ Análogamente. considerando la salida del transistor S12 S 21Γ G S 22 + =1 1 − S11Γ G „ La ecuación anterior representa una circunferencia de centro y radio dados por: CG S ( = 11 − ∆S22 2 * * 2 ) 12 S11 − ∆ .

365-34º ⎠ „ Los valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad son: CG = 1.1189º 0.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (III) „ Consideremos un transistor caracterizado por la siguiente matriz S: S Z0 ⎛ 0.770-166º =⎜ ⎝ 6.713 Tema 4 13 .62151.2º rL = 1.28169º rG = 0.314 Microondas ITT-ST CL = 2.02935º ⎞ ⎟ 0.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (IV) „ Estabilidad a la entrada 14 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (V) „ Estabilidad a la salida 15 Microondas ITT-ST Tema 4 .

98 + j 0. 03−167.8 ⇒ Γ IN = 1.1 j ⇒ Γ G = −0.1−50.198 ⇒ Γ OUT = 1.87 Z G = 1 ⇒ Γ G = 0 ⇒ Γ OUT = S 22 = 0. Para determinar cual región corresponde a cada caso es necesario probar valores: Z G = 0. 6 + j 0.67 Z L = 1 ⇒ Γ L = 0 ⇒ Γ IN = S11 = 0. 770−166 „ Regla práctica: Si los módulos de los parámetros S11 y S22 son 16 menores que la unidad los centros de las cartas de Smith de salida y entrada respectivamente pertenecen a la región estable Tema 4 Microondas ITT-ST .365−34 Z L = 2 j ⇒ Γ L = 0.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de estabilidad (VI) „ El círculo delimita las regiones que hacen el coeficiente de reflexión mayor o menor que uno.

La estabilidad del transistor es mayor cuanto mayor sea el valor de µ. 17 µ= Microondas ITT-ST 1 − S11 * 11 2 S22 − S ∆ + S12 S 21 >1 Tema 4 . El transistor es incondicionalmente estable si se cumple que: K >1 ∆ <1 1 − S11 − S 22 + ∆ K= 2 S12 S 21 2 2 2 „ Otra posibilidad es emplear el factor de Edwards-Sinsky para medir la estabilidad.Amplificadores de microondas con transistores Factor de Rollet „ El factor de ROLLET Permite valorar numéricamente si un transistor es incondicionalmente o condicionalmente estable.

„ Si el transistor es incondicionalmente estable. MAG. es posible la adaptación conjugada simultánea: Γ L = Γ* OUT = Γ ML Γ G = Γ* IN = Γ MG „ Se obtiene en este caso la máxima ganancia disponible. 18 GTadaptacion conjugada simul tan ea S21 = MAG = K − K2 −1 S12 ( ) Tema 4 Microondas ITT-ST .Amplificadores de microondas con transistores Amplificador incondicionalmente estable.

Amplificadores de microondas con transistores Amplificador condicionalmente estable „ En los diseños en los que no es posible conseguir la MAG (K<1) se fija una cota de seguridad en el cálculo de la ganancia llamada Máxima Ganancia Estable. MSG. MSG = S 21 S12 19 Microondas ITT-ST Tema 4 . „ Es el límite de la MAG cuando el factor de Rollet es igual a 1.

„ Adaptación conjugada simultanea. Ganancia disponible. Ganancia en potencia. Máxima ganancia estable. „ Amplificador incondicionalmente estable. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. „ Figura de ruido mínima. „ Amplificadores con una puerta desadaptada. MSG. Microondas ITT-ST Tema 4 . Circunferencias de ganancia en potencia. „ Aproximación unilateral. „ Factor de Rollet. MAG.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de microondas con transistores „ Estudio de los parámetros S de un transistor. „ Estudio de la estabilidad. Circunferencias de ganancia disponible. „ Máxima ganancia disponible. „ Amplificador condicionalmente estable. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Diseños óptimos en ganancia. „ Circunferencias de estabilidad. „ „ „ 20 „ Diseños óptimos en ruido.

Amplificadores de microondas con transistores Adaptación conjugada simultánea „ Para lograr la adaptación conjugada simultánea es condición suficiente: K >1 ΓG = Γ MG = Γ∗ IN ∗ Γ ML = Γ L = ΓOUT GT = MAG 21 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Adaptación conjugada simultánea (II) „ Coeficientes de reflexión que adaptan conjugadamente de manera simultánea 2 − BG ± BG − 4 AG 2 Γ MG = 2 AG ⎧ ΓG ' =⎨ ⎩ΓG '' AG = S11 − S22 ∆ ( ∗ BG = −1 − S11 + ∆ + S22 2 2 ( ) 2 ) 22 Γ ML = − BL ± B − 4 AL 2 L 2 2 AL ⎧ΓL ' =⎨ ⎩Γ L '' AL = S22 − S11 ∆ ( ∗ BL = −1 − S22 + ∆ + S11 2 2 ( ) 2 ) Microondas ITT-ST Tema 4 .

1 − ΓG PDL 1 2 = GD = S21 PDG 1 − S11ΓG 1 − ΓOUT 2 2 = f ( ΓG ) 23 PL 1 = GP = PIN 1 − Γ IN Microondas ITT-ST 2 S21 2 1 − ΓL = f (ΓL ) 1 − S22 Γ L 2 Tema 4 . las impedancias hacia el generador o la carga son diferentes de las impedancias que adaptan conjugadamente la entrada y la salida. o por objetivos de diseño. puede ser necesario o deseable desadaptar alguna de las puertas del transistor.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores con una puerta desadaptada „ Por razones de estabilidad. „ En estos casos. „ En temas anteriores estudiamos la ganancia en potencia y la ganancia disponible.

CD = 2 D gd C 1 + gd D1 2 * 1 gd = GD S21 2 24 r − CD = 1 − gd 1 − S22 1 + gd D1 ( 2 ) * ∆ C1 = S11 − S22 D1 = S11 − ∆ 2 2 Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia disponible „ Si se deja desadaptada la puerta de salida y se adapta la puerta de entrada. „ Los valores de coeficiente de reflexión que consiguen una misma cantidad de ganancia disponible se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith. la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia.

023º rDG = MSG = 0.770-166º S Z0 = ⎜ ⎝ 6.128 Microondas ITT-ST .Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia disponible (II) „ Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con anterioridad: ⎛ 0.023º rDG = MSG − 2 dB = 0.365-34º ⎠ S21 MSG = = 210.02935º ⎞ ⎟ 0.69 ≡ 23.974169.1189º „ La MSG del transistor es: 0.854169.187 Tema 4 „ Algunos valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad son: 25 CDG = MSG = 0. 24dB S12 CDG = MSG − 2 dB = 0.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia disponible (III) Estabilidad MSG MSG – 2 dB MSG – 5 dB MSG – 10 dB MSG – 15 dB Microondas ITT-ST Tema 4 26 .

la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en potencia.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia en potencia „ Si se deja desadaptada la puerta de entrada y se adapta la puerta de salida. „ Los valores de coeficiente de reflexión que consiguen una misma cantidad de ganancia en potencia se encuentran situados en una circunferencia sobre la carta de Smith. * g p C2 CP = 1 + g p D2 2 gp = GP S21 2 27 r − CP = 2 P 1− gp 1− S 1 + g p D2 ( 2 11 ) * C2 = S22 − S11 ∆ D2 = S22 − ∆ 2 2 Microondas ITT-ST Tema 4 .

70651.365-34º ⎠ S21 MSG = = 210.96651.02935º ⎞ ⎟ 0.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia en potencia (II) „ Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con anterioridad: ⎛ 0.338 Microondas ITT-ST .69 ≡ 23.411 Tema 4 „ Algunos valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad son: 28 CPG = MSG = 0. 24dB S12 CPG = MSG − 2 dB = 0.20º rDG = MSG = 0.1189º „ La MSG del transistor es: 0.20º rPG = MSG − 2 dB = 0.770-166º S Z0 = ⎜ ⎝ 6.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de ganancia en potencia (III) Estabilidad MSG MSG – 2 dB MSG – 5 dB MSG – 10 dB MSG – 15 dB Microondas ITT-ST Tema 4 29 .

„ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de microondas con transistores „ Estudio de los parámetros S de un transistor. „ Adaptación conjugada simultanea. Circunferencias de ganancia disponible. „ Máxima ganancia disponible. „ Amplificador condicionalmente estable. „ Aproximación unilateral. „ Circunferencias de figura de ruido. „ Figura de ruido mínima. „ „ „ 30 „ Diseños óptimos en ruido. „ Factor de Rollet. Ganancia disponible. „ Amplificador incondicionalmente estable. Máxima ganancia estable. „ Amplificadores con una puerta desadaptada. Microondas ITT-ST Tema 4 . „ Estudio de la estabilidad. „ Diseños óptimos en ganancia. MAG. MSG. „ Circunferencias de estabilidad.

Гopt y Гmg no coinciden. Sus 31 valores varían con la frecuencia y el punto de polarización. Гopt y Rn. „ Puesto que.Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de figura de ruido mínima „ La figura de ruido que presenta un amplificador solo depende de las condiciones de adaptación a la entrada del transistor. no es posible conseguir simultáneamente máxima ganancia y mínima figura de ruido. Microondas ITT-ST Tema 4 . en general. F = Fmin + (1 − Γ ) 1 + Γ 2 G 4rn ΓG − Γ opt 2 2 opt rn = Rn Z0 „ Los parámetros de ruido del transistor son Fmin.

Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de figura de ruido constante „ Los valores de coeficiente de reflexión hacia el generador que dan lugar a igual figura de ruido están situados sobre una circunferencia en la carta de Smith del plano de entrada. „ Se define N como: N= ΓG − Γ opt 1 − ΓG 2 2 F − Fmin = 1 + Γ opt 4rn 2 „ El centro y radio de los círculos es: 32 1 rN = 1+ N Microondas ITT-ST N + N 1 + Γ opt 2 ( 2 ) CN = Γ opt 1+ N Tema 4 .

2150º Rn = 10Ω Fmin Fmin + 0.0 dB Fmin + 1.0 dB Microondas ITT-ST Tema 4 33 .5 dB Fmin + 1.Amplificadores de microondas con transistores Circunferencias de figura de ruido constante (II) Fmin = 1dB Γopt = 0.5 dB Fmin + 2.

„ Circunferencias de figura de ruido. „ Amplificador condicionalmente estable. Circunferencias de ganancia en potencia. „ Diseños óptimos en ganancia. „ Factor de Rollet. „ Circunferencias de estabilidad. MSG. „ Máxima ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible. „ Estudio de la estabilidad. Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Amplificadores de microondas con transistores „ Estudio de los parámetros S de un transistor. „ Amplificadores con una puerta desadaptada. „ „ „ 34 „ Diseños óptimos en ruido. „ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa. MAG. Máxima ganancia estable. „ Aproximación unilateral. Ganancia en potencia. Ganancia disponible. „ Amplificador incondicionalmente estable. „ Adaptación conjugada simultanea. „ Figura de ruido mínima.

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral „ Un cuadripolo se dice unilateral cuando su parámetro S12 = 0 „ En este caso: Γ IN = S11 Γ OUT = S 22 GTu = (1 − Γ ) 2 G (1 − S11ΓG ) 2 S 21 2 (1 − Γ ) 2 L (1 − S22Γ L ) 2 GTu = G1G0G2 35 Microondas ITT-ST Tema 4 .

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (II) „ Diseño incondicionalmente estable: S11 < 1. S 22 < 1 „ El valor máximo de ganancia Gtumáx se obtiene mediante adaptación conjugada simultánea de entrada y salida Γ G = S11 Γ L = S 22 * * 36 GTu max = 1 1 − S11 2 S 21 2 1 1 − S 22 Tema 4 2 Microondas ITT-ST .

Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (III) „ Los valores de ΓG o ΓL que provocan un mismo valor de ganancia G1 o G2 están situados en sendas circunferencias sobre la carta de Smith * G1S11 * G2 S 22 C1 = 1 + G1 S11 2 C2 = 2 1 + G2 S 22 2 r1 = 1 − G1 1 − S11 1 + G1 S11 2 ( ) r2 = 1 − G2 1 − S 22 1 + G2 S 22 2 ( 2 ) 37 Microondas ITT-ST Tema 4 .

interpretando las circunferencias de resistencia como negativas y las de reactancia tal cual” Microondas ITT-ST Tema 4 .Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (IV) „ Diseño condicionalmente estable: S11 > 1 condiciones: o S 22 > 1 1 ΓL = S22 „ La oscilación es posible cuando se cumple alguna de las siguientes 1 ΓG = S11 o „ Se debe elegir el coeficiente de reflexión de manera que su parte real 38 sea mayor que la del punto 1/Sii* „ Propiedad de la carta de Smith: “La resistencia negativa asociada a un coeficiente de reflexión se puede calcular obteniendo el punto conjugado inverso.

se define el factor de mérito unilateral.Amplificadores de microondas con transistores Aproximación unilateral (V) „ Error cometido en la aproximación unilateral S12 S 21Γ L ΓG X= (1 − S11ΓG )(1 − S22Γ L ) GT 1 = GTu 1 − X 1 2 1+ X 2 < GT 1 < GTu 1 − X 2 „ Para el caso de la ganancia máxima unilateral. U: 39 U= (1 − S )(1 − S ) 2 2 11 22 S11S12 S 21S 22 1 1+ U 2 < GT 1 < GTumax 1 − U 2 Tema 4 Microondas ITT-ST .

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