Capitulo 3 Etapa de Potencia

CAPTULO 3
ETAPA DE POTENCIA
En el captulo anterior se ha proporcionado una visin global acerca de los convertidores CA-CA as como de las diferentes tecnologas ms ampliamente utilizadas para su desarrollo. El objetivo de este captulo es la descripcin de la etapa de potencia del convertidor de bajo coste objeto de estudio de la presente tesis doctoral as como de los clculos que deben realizarse para un correcto dimensionamiento de dicha etapa. Para ello se comienza describiendo de forma general la estructura de la etapa de potencia de un convertidor tensin frecuencia no regenerativo con configuracin de bus intermedio para posteriormente describir cada una de sus etapas de forma individual.
Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea
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Captulo 3
3.1 INTRODUCCIN
Como ya se ha comentado anteriormente la etapa de potencia de un convertidor tensin frecuencia variable es la encargada de rectificar el sistema trifsico de tensiones de entrada, almacenar energa en forma de tensin continua en el bus intermedio y convertir dicha tensin continua mediante el empleo de un mdulo inversor en un sistema trifsico de frecuencia y tensin ajustables en funcin de la velocidad de giro que se desea obtener en el dispositivo electromagntico conectado a la salida. Desde un punto de vista general la etapa de potencia de un convertidor con circuito intermedio funcionando en modo tensin puede divid irse en los siguientes mdulos.
CARGA DE LOS CONDENSADORES FILTRO DE ENTRADA
CONDENSADORES
CHOPPER
RECTIFICADOR DETECTOR SOBRETENSIN
INVERSOR
CIRCUITO INTERMEDIO
Figura 3.1 Diagrama de bloques de la etapa de potencia
Con el fin de reducir la emisin electromagntica y las posibles perturbaciones que pudieran ocasionarse a cualquier otro dispositivo conectado a la misma alimentacin trifsica que el convertidor, es necesario implementar un sistema eficaz de filtrado a la entrada del mismo. El dimensionamiento de este filtro depender en gran medida del diseo de la etapa de potencia as como de la eleccin de los parmetros de funcionamiento del convertidor. Dentro del circuito intermedio pueden distinguirse cuatro mdulos claramente diferenciados. Por un lado, y teniendo en cuenta que el convertidor
AISLAMIENTO ELECTRICO
DRIVER
Etapa de Potencia
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est orientado a alimentar cargas en modo tensin, es necesario introducir un sistema de condensadores en el bus de continua que garantice la mxima estabilidad posible de la tensin proporcionada por el rectificador. En el momento de conectar el sistema, los condensadores se encontrarn completamente descargados por lo que , para evitar elevadas peticiones de corriente durante su carga, es necesario introducir un segundo bloque que en funcin de la tensin del bus de continua controle la corriente que circula por dicho bus en los instantes iniciales. El tercer mdulo al que se hace referencia est encargado de medir en todo momento la tensin del circuito intermedio y comunicar dicho valor a la etapa de control de forma que se garantice el aislamiento elctrico entre ambas etapas. La medicin de la tensin de bus permite controlar la velocidad de carga de los condensadores del bus intermedio y garantiza que, en caso de que la carga elctrica conectada al convertidor comience a trabajar en modo regenerativo, se evacue el exceso de energa mediante un cuarto mdulo, consistente en un chopper, evitando de este modo aumentos peligrosos de la tensin con la que operan los condensadores. El circuito de frenado regenerativo o chopper consiste en la introduccin de un elemento semiconductor de potencia que, en caso de detectarse un aumento de la tensin del bus de continua, conecte una resistencia de potencia en paralelo con los condensadores del citado bus con el fin de evacuar el exceso de energa. En caso de sustituir el rectificador no controlado por un inversor (topologa tpica de un inversor regenerativo) no sera necesario la inclusin de un chopper en el circuito intermedio dado que el exceso de energa podra ser devuelto a la red de alimentacin. Sin embargo esta solucin, a pesar de ser mejor desde un punto de vista energtico, resulta ms cara y complicada de controlar. El inversor, que en el caso que nos ocupa est compuesto por seis conmutadores de potencia conectados en configuracin de puente trifsico de Graetz, requiere un mdulo intermedio denominado driver para la adecuacin de los niveles de tensin de las seales PWM generadas por la etapa de control. Estas seales de control se aslan elctricamente de la etapa de potencia a travs de una batera de opto acopladores.
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Captulo 3
A continuacin se va a profundizar en cada uno de los mdulos anteriormente descritos comentando los criterios que se han seguido para su eleccin y dimensionamiento.
3.2 MDULO COMBINADO

Como se ha comentado anteriormente, el diseo y funcionamiento de los convertidores de frecuencia requiere el empleo de semiconductores de potencia. Este tipo de dispositivos funcionan como interruptores y por lo tanto alternan entre dos posibles estados: Posicin de bloqueo o corte. El semiconductor no permite el paso de la corriente elctrica y bloquea las tensiones aplicadas al mismo. Posicin de conduccin tambin llamada saturacin. El semiconductor permite el paso de corriente elctrica y la cada de tensin entre sus extremos depende de la tecnologa de fabricacin.
En un interruptor ideal sera deseable lograr las siguientes caractersticas de funcionamiento: Pequea intensidad de fuga cuando el semiconductor se encuentra en su estado de bloqueo. Capacidad de bloquear elevadas tensiones. Alta capacidad de conduccin de corriente elctrica en el estado de conduccin. Pequea cada de tensin en el estado de conduccin. Alta velocidad de conmutacin con el fin de limitar al mximo las prdidas que se producen durante dichas conmutaciones. Elevada inmunidad del dispositivo semiconductor ante variaciones abruptas tanto de la tensin como de la corriente (dv/dt y di/dt). Pequeas tensiones e intensidades de control para reducir al mximo la potencia requerida para el control del dispositivo.
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En los dispositivos que pueden encontrarse en el mercado, la tecnologa empleada en su fabricacin alejar su comportamiento ms o menos respecto de las caractersticas anteriormente mencionadas. En general puede afirmarse que las caractersticas ms importantes a la hora de seleccionar el tipo de semiconductor son las siguientes: Tensin de utilizacin. Esta tensin depender directamente de la potencia del convertidor tensin frecuencia desarrollado. En general, la tensin de bloqueo del dispositivo deber ser por lo menos el doble que la tensin nominal a la que se ver sometido durante su funcionamiento nominal. Intensidad nominal de empleo. La tecnologa de fabricacin del semiconductor fijar en gran medida su capacidad para trabajar en paralelo con otros dispositivos idnticos y por lo tanto la capacidad de transmitir corriente elctrica. Tiempos de conmutacin. En general todos los dispositivos semiconductores precisan mayores tiempos para pasar del estado de conduccin al estado de corte que viceversa. Esta caracterstica asimtrica en el disparo de los mismos exigir la introduccin un tiempo muerto, dead time, mayor o menor en funcin del tipo de dispositivo seleccionado. Velocidad de conmutacin. Como se ha comentado en el captulo anterior con el fin de disminuir el contenido de armnicos a la salida del convertidor es conveniente aumentar la frecuencia de conmutacin, dado que de este modo se distribuyen dichos armnicos alrededor de la frecuencia de conmutacin y sus mltiplos, siendo fcilmente filtrados por el filtro pasa bajo formado por las bobinas del motor. Corriente de fuga mientras el dispositivo permanece en estado de bloqueo. Posteriormente se comprobar la importancia de este parmetro a la hora de dimensionar los circuitos de disparo de los semiconductores en el caso de que se seleccione la tcnica de bootstrap a la hora de implementar el driver. Una alta corriente
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de fuga producir una elevada descarga de los condensadores de bootstrap por lo que stos debern sobredimensionarse. Cada de tensin durante la conduccin. Las prdidas en todo dispositivo semiconductor pueden ser divididas en dos tipos claramente diferenciados. Por un lado, las prdidas por conmutacin que se producen durante el cambio de estado de los semiconductores y que, por lo tanto, sern directamente proporcionales a la frecuencia de trabajo de la onda portadora. Por otro lado, las prdidas por conduccin, que sern iguales a la cada de tensin en el dispositiv o multiplicada por la corriente que circula por el mismo. Por lo tanto, a mayor cada de tensin mayores prdidas por conmutacin a corriente constante. Potencia de control. Cuanto menores sean los requerimientos de potencia para conmutar el semiconductor, ms sencillo y barato resultar el sistema electrnico necesario para realizarla.
3.2.1
EVOLUCIN DE LOS COMPONENTES DE POTENCIA
La historia de la electrnica de potencia comenz en el ao 1900 con la introduccin del rectificador de arco de mercurio [48]. Posteriormente, aparecieron el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al alto vaco de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Este tipo de dispositivos precursores de los actuales dispositivos semiconductores se aplicaron en dispositivos orientados al control y gestin de la energa elctrica hasta la dcada de 1950. La primera de las revoluciones electrnicas comienza en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los investigadores Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor parte de los dispositivos que actualmente se estn empleando parten de esta invencin. La aparicin en 1958 de los primeros dispositivos PNPN comerciales (tiristores) marca el inicio de la actual evolucin de la electrnica de potencia. Desde entonces se han introducido nuevas tecnologas con el fin de controlar
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grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor. En los siguientes apartados se describen con detalle este tipo de dispositivos.
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Captulo 3
3.2.1.1
Dispositivos no controlables
El principal componente de los mdulos rectificadores no controlables es el diodo de potencia. Un diodo conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo, siendo la cada de voltaje directa de un diodo (VFM) de potencia muy baja, tpicamente entre 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo.
A (nodo) A (nodo)
J1
K (Ctodo)
K (Ctodo)
Figura 3.2 Diagrama de bloques y esquemtico de un diodo
El fenmeno fsico de la semiconductividad est basado en el desplazamiento de portadores de carga los cuales tienen velocidades muy altas en su movimiento, aunque finitas. Por ello, las dos transiciones entre los estados de conduccin y bloqueo no pueden ser instantneas. Las caractersticas dinmicas de los diodos en rectificadores operando a frecuencias industriales tienen una relevancia pequea, pero en aquellos casos en los que la frecuencia aumenta hasta unos 5 kHz (por ejemplo en los diodos de rueda libre que se 0 colocan en paralelo con los elementos de conmutacin) , stos han de tenerse en cuenta. Al proceso de paso del estado de conduccin al de bloqueo se le llama recuperacin inversa del diodo.
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En la Figura 3.3 se representa la evolucin de las intensidades y tensiones durante la fase de recuperacin de un diodo. En la curva superior puede observarse la evolucin de la intensidad nodo ctodo a la que se le suele designar como intensidad andica i . La disminucin de esta corriente diA /dt A est determinada por el circuito sobre el que acta el diodo y condiciona en gran medida el proceso de recuperacin inversa. La tensin inversa VR(DC) aparece al terminar el tiempo de almacenamiento o t al-d . El tiempo t c, que es el tiempo que necesita la corriente para anularse, se denomina tiempo de cada. La suma de ambos tiempos trr recibe el nombre de tiempo de recuperacin inversa (del ingls, reverse recovery time).
t rr = t al d + t c
[ 3.1 ]
El proceso inverso, es decir, el paso del estado de bloqueo al estado de conduccin es mucho menos crtico. Est caracterizado por el tiempo de recuperacin directa trd (del ingls, direct recovery time). Antes de aparecer la cada de tensin directa propia de la conduccin, aproximadamente de 1 a 2 V., ocurre un breve pico de tensin denominado pico de recuperacin directa. En la Figura 3.1 VAK representa la tensin aplicada entre el nodo y el ctodo del diodo. Las principales caractersticas que se deben tener en cuenta a la hora de seleccionar los diodos son los siguientes. En el estado de bloqueo el diodo presenta unos valores mximos que puede tolerar tales como: VRRM Tensin de pico inversa repetitiva. VRSM Tensin de pico inversa no repetitiva. (Transitoria) IRRM Valor de pico para la intensidad de fugas con VRRM
Las caractersticas en sentido directo o de conduccin son las siguientes: IF(AV) Intensidad directa media. Medida mediante un semiciclo de corriente de 50 6 Hz de onda senoidal. con una temperatura 0 del diodo constante.
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IF(RMS) Intensidad directa eficaz. Medida mediante un semiciclo de corriente de 50 60 Hz de onda senoidal con una temperatura del diodo constante. IFSM Intensidad directa instantnea mxima. Medida no repetitiva realizada mediante una semionda senoidal de 50 60 Hz.
iA
diA /dt
t r I r /2 I r /2
AK
ta l-d
tc t rr
V
FM t
R(DC)
Figura 3.3 Caractersticas de recuperacin inversa del diodo
Las curvas caractersticas dependen de la temperatura de la unin semiconductora por lo que ser especialmente importante prestar una especial atencin al diseo del sistema de refrigeracin. Los diodos de potencia que pueden encontrarse en el mercado son principalmente de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (tambin
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llamados de recuperacin rpida) y los Schottky. Los diodos de uso general estn disponibles para bloquear tensiones de hasta 3000 V y permitir la circulacin de corrientes de hasta 3500 A con tiempos de recuperacin inversa superiores a los 2 s. Los diodos de recuperacin rpida cuentan con unos 0 niveles de tensin y corriente algo inferiores con tiempos de recuperacin inversa que vara entre 100 y 5000 ns. Los diodos Schottky estn constituidos por una unin metal-semiconductor en lugar de la unin convencional semiconductor-semiconductor y cuentan con tensiones umbrales (tensin directa a partir de la cual el diodo conduce) mucho menores que los diodos de uso general y los de recuperacin rpida. Su velocidad de conmutacin es equiparable a la de los d iodos de recuperacin rpida. Tanto los diodos de recuperacin rpida como los diodos Schottky son esenciales para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias.
3.2.1.2
Dispositivos semicontrolables y controlables
Se denominan dispositivos semicontrolables aqullos que aceptan seales de control para pasar del estado de bloqueo al estado de conduccin, pero en los que el paso inverso est determinado bien por la red de alimentacin, bien por la carga. Dentro de esta categora se agrupan los SCR (del ingls, Silicon Controled Rectifier) o tiristores. Por el contrario se denominan dispositivos controlables o de conmutacin propia aqullos que permiten su activacin y desactivacin a travs de su entrada de control. Dentro de esta categora se agrupan los GTO, transistores MOSFET, transistores BJT (del ingls, Bipolar Junction Transistor) y los IGBTs entre otros.
3.2.1.2.1
Tiristor
Este dispositivo es conocido tambin como rectificador de silicio controlado o SCR. Se present en 1956 aunque no se fabric d forma comercial hasta dos e aos ms tarde. Histricamente se trata de uno de los dispositivos ms importantes en la electrnica de potencia ya que se han empleado de forma masiva.
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Se trata de un dispositivo de cuatro capas de estructura PNPN con tres uniones PN. Cuenta con tres terminales: nodo, ctodo y compuerta (Figura 3.4). Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 se encuentran polarizadas de forma directa o positiva. La unin J2 se encuentra polarizada de forma inversa y slo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Si dicho voltaje directo aumenta por encima de un determinado valor conocido como tensin directa de ruptura, la zona J2 entrar en ruptura y se producir un gran movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones, que provocar una corriente directa elevada desde el nodo hacia el ctodo. Esta corriente deber ser mayor que un determinado valor conocido como corriente de enganche con el fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin. De lo contrario , al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo volver al estado de bloqueo.
A (nodo)
A (nodo)
P J1 N J2 P G (Compuerta) N J3 G (Compuerta)
K (Ctodo)
K (Ctodo)
Figura 3.4 Diagrama de bloques y s mbolo del tiristor
Una vez que el tiristor se encuentra activado se comporta como un diodo en conduccin, ya que a partir de ese momento se pierde todo el control sobre el dispositivo. As, el tiristor seguir conduciendo hasta que la corriente que circula de nodo a ctodo baje por debajo de un valor mnimo conocido como corriente de mantenimiento. A partir de ese instante se forma una regin de agotamiento en la unin J2 y el tiristor pasar directamente al estado de bloqueo.
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Una forma de activar el tiristor sin necesidad de emplear elevadas tensiones directas consiste en conectarlo a una pequea tensin entre el nodo y el ctodo (polarizacin positiva del tiristor) e introduci simultneamente un r pulso de corriente a travs de la seal de compuerta. Nuevamente, una vez disparado se depende de las caractersticas del circuito en el que ha sido introducido el tiristor para que deje de conducir. Durante el diseo de circuitos de potencia empleando tiristores se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones: La seal de compuerta debe eliminarse despus de activarse el tiristor. Una seal continua en la compuerta aumentara la prdida de potencia en dicha unin. Mientras el tiristor est con polarizacin inversa, no se debe introducir seales en la gate. De lo contrario, el tiristor puede fallar debido a una corriente de fuga incrementada. El ancho de pulso de la seal de disparo debe ser mayor que el tiempo requerido para que la corriente del nodo se eleve al valor de la corriente de enganche. En la prctica, se requiere una anchura de pulso de disparo mayor que el tiempo de activacin del tiristor. Introduccin de inductancias en serie para la limitacin de la di/dt. Los tiristores requieren un tiempo mnimo para dispersar la conduccin de la corriente de forma uniforme a travs de sus tres uniones. Si la velocidad de elevacin de la corriente a travs del nodo es muy alta en comparacin con la velocidad de dispersin aparecern puntos internos de calentamiento, por lo que el dispositivo podr fallar debido a temperaturas excesivas. En caso de que la carga sea altamente inductiva se deber colocar una red RC en paralelo con el tiristor para protegerlo contra el dv/dt generado durante las conmutaciones.
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Durante los ltimos aos han surgido elementos de conmutacin basados en la topologa del tiristor con el fin de compensar algunas de sus limitaciones. Dentro de esta familia de semiconductores cabe sealar los siguientes: Tiristores de conmutacin rpida. Uno de los princ ipales problemas que plantean los tiristores a la hora de ser empleados en convertidores tensin frecuencia que emplean varios pulsos de conmutacin por ciclo es su baja velocidad de conmutacin. Para resolver este problema se han desarrollado los llamados tiristores inversores, en los que se ha reducido la velocidad de desactivacin hasta los 10 s en trmino medio. Tiristores de desactivacin por compuerta. GTO. Este tipo de dispositivos se activan mediante una seal positiva en la gate y se desactivan mediante una seal negativa en la misma. El principal problema que presentan es la complicacin que requieren los circuitos de control dado que el valor de la corriente negativa que se precisa para su desactivacin es elevado. Tiristores de triodo bidireccional o TRIAC (del ingls, Triode AC). Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones y normalmente se emplean en el control de fase de corriente alterna. Tiristores de conduccin inversa. Se trata de un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado con el fin de soportar el flujo de corriente inversa debida a cargas inductivas. Este tipo de dispositivos cuentan con unas tensiones de bloqueo inverso muy reducidas (en torno a los 4 V) por lo que su empleo se ve 0 restringido a aplicaciones muy especficas. Tiristores de induccin esttica o SITH (del ingls, Static Induction Thyristor). Desde el punto de vista de sus caractersticas dinmicas el SITH se acerca mucho a las caractersticas de un transistor MOSFET dado que se activan y desactivan mediante tensiones aplicadas en la gate . Su principal problema es que con la tecnologa actual, este dispositivo es
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extremadamente sensible a su proceso de fabricacin por lo que pequeas variaciones en el mismo pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas. Tiristores controlados por luz o LASRC (del ingls, Laser activated SRC). Este tipo de dispositivos se activa mediante radiacin directa provocada con luz sobre el disco de silicio. Los LASRC se utilizan principalmente en aplicaciones de alto voltaje y corriente, dado que ofrecen total aislamiento el ctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin que puede llegar a flotar a un potencial tan elevado como varios cientos de kilovoltios. Tiristores controlados por MOS. Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. Este tipo de dispositivos cuenta con una baja cada de tensin en conduccin, un tiempo de activado rpido (tpicamente 0.4 s), un tiempo de desconexin rpido (tpicamente 1.25 s para un MCT de 300 A y 500 V), bajas prdidas de conmutacin, una baja capacidad de bloqueo de voltaje inverso y una alta impedancia de entrada de compuerta lo que simplifica mucho los circuitos de excitacin. Por otro lado, es posible conectarlos de forma eficiente en paralelo con lo que es posible aumentar la corriente global que proporciona un sistema basado en MCTs.
3.2.1.2.2
Transistor bipolar de potencia o BJT
Se trata del primer semiconductor controlable y su desarrollo permiti la construccin de los primeros amplificadores de electrnica de estado slido. En el campo de la electrnica de potencia, este componente se emplea como interruptor controlable en vez de hacerlo como amplificador. Desde el punto d vista de la capacidad del dispositivo para manejar e tensiones y corrientes las prestaciones de los transistores de potencia son mucho ms modestas que las de los tiristores. Uno de sus principales problemas radica en su comportamiento NTC (del ingls, Negative Temperature Coefficient)
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Captulo 3
frente a la temperatura. Este comportamiento hace que al conectar en paralelo dos transistores bipolares, si por diferencias en la fabricacin por uno de ellos circula ms corriente que por el otro, el que ms se calienta disminuye su resistencia entre colector y emisor por lo que provoca un aumento automtico de la corriente. Este fenmeno puede llevar a la destruccin de uno de los dispositivos. Al mismo tiempo, este tipo de dispositivos se controla mediante la introduccin de forma permanente de una cierta corriente a travs de su base. Esta corriente resulta ser proporcional a la corriente que circula por el colector y a la ganancia del transistor que no suele ser demasiado elevada. Esto obliga a que las potencias de los circuitos de control de la base tengan que ser relativamente elevadas para garantizar los disparos. Para resolver este inconveniente sin que desaparezcan las ventajas del transistor de potencia, se usan asociaciones de transistores acoplados en conexin darlington. En este tipo de montajes se coloca un transistor auxiliar en el camino base emisor del transistor de potencia para que la ganancia global del sistema sea el producto de las ganancia de cada uno de los transistores, y de esta forma se reduzca la intensidad necesaria para su control. Desde el punto de vista de su comportamiento dinmico en las transiciones entre corte y saturacin o viceversa hay que sealar que se admiten frecuencias de conmutacin superiores a las del tiristor, pudiendo llegar a conmutar sin ningn problema inc luso con frecuencias de 10 20 kHz. Los tiempos a tener en cuenta en cualquier anlisis transitorio de este tipo de dispositivos son los siguientes: Tiempo de retardo (tr). Tiempo transcurrido entre el inicio de la excitacin de la base y la llegada de la intensidad del colector al 10 % de su valor final. Tiempo de subida (ts ). Tiempo transcurrido para que la intensidad de colector pase del 10 al 90 % de su valor final. Tiempo de excitacin (te). Suma de los dos anteriores. Un valor tpico puede ser de unos 2 s.
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Tiempo de almacenamiento (tal-BJT). Tiempo que transcurre desde que se deja de excitar la base hasta que la intensidad del colector cae al 90 % de su valor inicial. Un valor medio podra ser de unos 6 s. Tiempo de cada (tc). Tiempo que transcurre hasta que la intensidad de colector baja del 90 % al 10 %. Un valor medio podra ser de unos 2 s. Tiempo de apagado (ta). Suma de los dos tiempos anteriores.
En la Figura 3.5 se muestran grficamente los tiempos anteriormente comentados.

t=0 se excita la base orden de corte 90% i c nom
10% i
c nom
t al-
BJT
Figura 3.5 Caractersticas de conmutacin del BJT
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3.2.1.2.3
Transistor MOSFET
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por tensin, que requiere una pequea corriente de entrada para activarse. La velocidad de conmutacin es muy elevada, reducindose los tiempos de conmutacin al orden de los nanosegundos. El primer transistor MOSFET fue desarrollado a comienzos de los aos 70. Este dispositivo que empleaba una tecnologa de canal Vertical no fue comercialmente viable debido a la alta densidad de campo elctrico que se concentraba en el canal de conduccin, el cual afectaba a la fiabilidad del mismo. Estos problemas se solucionaron con la aparicin de las tecnologas MOS (del ingls, Metal Oxide Semiconductor) de doble difusin DMOS (del ingls, Double Diffused MOSFET), proceso que actualmente todava se emplea para fabricar la mayora de los transistores MOSFET de potencia y los IGBTs. Con esta tecnologa es posible controlar la longitud del canal en un rango por debajo de la micra empleando diferentes ciclos de calentamiento durante su fabricacin. Adems, el control del proceso se realiza sin necesidad de emplear las extremadamente caras herramientas de impresin de alta resolucin que son usuales en las tecnologas de integracin de componentes VLSI (del ingls, Very Large Scale Integration). De esta forma es posible integrar de forma barata millones de celdas DMOS conectadas en paralelo con un ndice de funcionamiento post-integracin superior al 70 %. En la Figura 3.6 puede verse la estructura tpica de un transistor de potencia MOSFET con tecnologa DMOS
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Gate (G)
N-
Drain (D) N+
Drain (D)
Figura 3.6 Estructura bsica del transistor MOSFET de tecnologa DMOS
Si se aplica una tensin positiva entre los terminales gate y source, el campo elctrico aplicado atraer los electrones del substrato P, y los acumular en la superficie por debajo de la capa de xido de la gate. Si la tensin VGS es mayor o igual a un valor conocido como voltaje de umbral (VT) se acumular un nmero suficiente de electrones para formar un canal virtual N y la corriente fluir del drenaje a la fuente. Si se trata de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal P, las polaridades de las tensiones y las corrientes se invierten. En los MOSFET tipo agotamiento existe un canal previo ya generado con lo que en los dispositivos de canal N la aplicacin de una tensin VGS positiva lo enriquece mientras que una negativa lo empobrece. Mediante el empleo de esta estructura, se ha logrado reducir la resistencia que aparece cuando el dispositivo se encuentra activado desde los 0.7 ? m2 de los aos 80 a los 0.06 ? m2 en la actualidad.
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En la Figura 3.7 se muestran los tiempos a tener en cuenta durante la activacin y la desactivacin de este tipo de dispositivos.
GS
t=0 se excita la gate
orden de corte
V GSP V T t ts t tc
t d(on)
d(off)
Figura 3.7 Caractersticas de conmutacin del MOSFET
El retraso de la activacin o td(on) es el tiempo requerido para cargar la capacidad de entrada al nivel de tensin VT que es conocido como tensin umbral de disparo del transistor MOSFET. El tiempo de elevacin (ts ) es el tiempo de carga de la gate desde el nivel de umbral hasta un 90% de la tensin mxima de trabajo de la gate Este voltaje suele ser representado mediante el acrnimo VGSP . La capacidad de entrada est formada por el dixido de silicio como dielctrico y los contactos metlicos de los terminales gate y source. El tiempo de retraso en la desactivacin o td(off) , es el tiempo requerido para que la capacidad de entrada se descargue desde el voltaje de sobre excitacin de la gate hasta la regin de estrechamiento del canal. La tensin aplicada entre los terminales gate y source VGS debe reducirse de forma significativa antes de que la tensin aplicada al canal VDS comience a elevarse. El tiempo de abatimiento tc es el tiempo que se requiere para que se descargue la capacidad de entrada desde la regin de estrechamiento del canal hasta el voltaje del umbral. Si VGS es menor que V T el transistor se desactiva. Los tiempos habituales de conmutacin para un transistor MOSFET de potencia son los siguientes:
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t d (on) = 130 ns ; t s = 850 ns ; t d (off ) = 630 ns ; t c = 180 ns

Este tipo de dispositivos cuenta con una gran facilidad a la hora de conectarlos en paralelo debido a su caracterstica de funcionamiento PTC (del ingls, Positive Temperatura Coefficient). En caso de que aumente la corriente que circula por alguno de los dispositivos, automticamente aumenta su resistencia debido al aumento de la temperatura, con lo que se limita automticamente dicha deriva de corriente. Desde el punto de vista de la mxima tensin de bloqueo hay que sealar que la cada de tensin cuando el dispositivo se encuentra activado es proporcional a la mxima tensin que es capaz de bloquear. Este comportamiento limita en cierta medida el empleo de este tipo de dispositivos en aquellas aplicaciones en las que la tensin del bus de continua es relativamente alta dado que aumentan las perdidas por conduccin. La ltima innovacin en la fabricacin de este tipo de dispositivos ha sido la aparicin de la estructura UMOS (del ingls, U channel MOSFET). Este tipo de dispositivos permiten integrar el mismo nmero de celdas que en la tecnologa DMOS con la ventaja de que se elimina la resistencia aportada por la unin del transistor JFET. De esta forma es posible acercarse un poco ms a la resistencia lmite terica del propio silicio, llegando a valores de 0.01 ? m2 diminuyendo en gran medida las prdidas por conduccin de los dispositivos.
3.2.1.2.4
IGBT
Un IGBT combina las ventajas de las tecnologas BJT y MOSFET dado que presenta la alta impedancia de entrada de los MOSFET, manteniendo las bajas prdidas de conduccin de los BJT. Desde su primera descripci n a principios de 1980 ([49] , [50]) el IGBT se ha convertido en uno de los dispositivos ms empleados en campo de la electrnica de potencia de media y baja tensin, al ofrecer equilibrio entre la velocidad de conmutacin, la cada de tensin en conduccin y [51] robustez. Esta topologa de semiconductor de potencia puede encontrarse en el mercado en dos diferentes tecnologas de fabricacin:
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Captulo 3
Tecnologa plana en sus versiones non punchthrough y punchthrough [52]. Tecnologa Trench, en sus versiones non punchthrough y punchthrough [52]-[53].
La tecnologa trench se corresponde aproximadamente con la cuarta generacin de IGBTs que han ido surgiendo desde comienzo de la dcada de 1980, presenta una menor cada de tensin en el estado de conduccin frente a las tecnologas planares, al mismo tiempo que reduce la posibilidad de que se enclave el dispositivo debido al tiristor parsito, por lo que es posible el paso de mayores densidades de corriente. Por desgracia, una mayor densidad de corriente implica la necesidad de aumentar el exceso de carga del condensador de gate por lo que el rendimiento de los dispositivos trench durante la conmutacin es menor. Recientes investigaciones ([54], [55]) han demostrado que el rendimiento en la conmutacin de los IGBTs fabricados segn la tecnologa trench puede aumentarse o disminuirse en funcin de la estructura interna del mismo. La Figura 3.8 muestra la estructura bsica de un transistor IGBT. Se puede comprobar como la seccin transversal del IGBT es idntica a la de un MOSFET de tecnologa DMOS (ver Figura 3.6) excepto en el substrato P+. Sin embargo, el rendimiento del IGBT es ms cercano al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato P+, que es el responsable de la inyeccin de portadores minoritarios en la regin N.
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Gate (G)
Emisor (E)
N+ P+
Colector (C)
Figura 3.8 Estructura bsica del transistor IGBT
Si se comparan el IGBT y el MOSFET, en general se puede decir que el IGBT es capaz de trabajar con tensiones y corrientes ms elevadas pero a una frecuencia de trabajo inferior. Esta reduccin en el margen de las frecuencias de trabajo se debe a que en los IGBTs aumenta mucho el tiempo requerido para que la capacidad de entrada se descargue desde el voltaje de sobre excitacin de la gate hasta la regin de estrechamiento del canal td(off) . Sin embargo en general son capaces de trabajar a una mayor frecuencia que la recomendada por el lmite de las prdidas por conmutacin. Desde el punto de vista de la conexin en paralelo, los IGBTs han demostrado ser eficaces a la hora de conectarlos en paralelo con el fin de aumentar la corriente total absorbida por el sistema.
3.2.2
ELEMENTOS DE POTENCIA SELECCIONADOS
En la Tabla 3.1 puede verse un resumen muy general de las caractersticas de los semiconductores controlados expuestos en los apartados anteriores. Es necesario tener en cuenta que probablemente en algunos casos los valores
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Captulo 3
expuestos [74] sean superados por los dispositivos ms recientes sobre todo en aquellos dispositivos que estn en constante evolucin como por ejemplo los GTO y los IGBT.
Tabla 3.1 Resumen de caractersticas de semiconductores controlados.
Tiristor Tensin de trabajo (V) Capacidad de bloqueo de tensin Intensidad nominal mxima (A) Potencia consumida durante el control del dispositivo. Cada tensin directa (V) Mx frecuencia conmutacin (Hz) Velocidad de conmutacin Facilidad de control Baja Baja 1a2 500 5000 Muy alta 5000 Muy alta
GTO 3500 Alta
BJT 1400 Media
MOSFET 500 Baja
IGBT 1800 Alta
3000 Alta
300 Media
100 Baja
400 Media
1a2 2000
3 3000 250000
5 20000
Media Alta
Media Alta
Muy alta Muy alta
Alta Muy alta
Dado que se ha decidido que el mdulo rectificador tenga una configuracin no controlable con el fin de reducir el coste y la complejidad del sistema, deber estar compuesto por diodos de potencia. Por su parte, la eleccin de los interruptores de la etapa inversora est condicionada por la tensin de trabajo del bus de continua. Dado que la alimentacin del motor se realiza media nte un sistema trifsico de 400 V, el bus intermedio del convertidor estar sometido a una tensin media de unos 566 V. Por otro lado en el caso de alimentar motores elctricos, es necesario prever hasta qu nivel de tensin se va a permitir que aumente dicho bus intermedio durante los
Etapa de Potencia
3-25
frenados regenerativos. Cuanto mayor sea el aumento de dicha tensin, mas rpidamente se extraer energa del sistema mecnico. En concreto se ha decidido permitir que la tensin del bus alcance los 900 V por lo que se dimensionarn los semiconductores de potencia para que puedan bloquear tensiones de 1200 V como mnimo. El transistor MOSFET no cumple estos requerimientos de tensin de bloqueo, mientras que el tiristor puede ser descartado por su baja velocidad de conmutacin. P lo tanto, las posibles or alternativas a la hora de seleccionar los interruptores de la etapa inversora se reducen al IGBT y al transistor bipolar. Ya se ha comentado anteriormente que durante los ltimos aos el IGBT ha despertado el inters de la mayor parte de los diseadores de etapas de potencia en rgimen conmutado. Este fenmeno, unido al hecho de que en general las topologas empleadas en la mayor parte de los dispositivos de potencia estn basadas en el semipuente y en el inversor trifsico de Graetz, ha llevado a los fabricantes de semiconductores de potencia a ofrecer mdulos compactos en los que se integran dichos componentes de potencia ya interconectados entre s. Las principales ventajas de recurrir a uno de estos mdulos integrados, son: Mayor facilidad para realizar el montaje final del convertidor debido a que todos los componentes de potencia se encuentran encapsulados juntos. Reduccin del coste del dispositivo final al evitarse la realizacin de complicados cableados entre los distintos componentes de potencia. Una mayor eficacia en la disipacin trmica de energa dado que el usuario final nicamente debe preocuparse por la unin mecnica del equivalente a un nico componente al disipador trmico. Facilidad para que, en el montaje final, las conexiones con las gate de los IGBTs sean lo ms cortas posible con el fin de evitar la aparicin de inductancias parsitas en el circuito.
3-26
Captulo 3
El ltimo avance que se ha producido en el campo de los IGBTs ha sido la evolucin de este tipo de mdulos integrados con el objetivo final de reducir el coste de desarrollo de los inversores. Fruto de esta evolucin son los PIM (del ingls, Power Integrated Module). En este tipo de dispositivos cada fabricante cuenta con sus propias configuraciones, pudiendo integrar: El rectificador trifsico no controlado. Resistencias NTC para el control de la temperatura de los elementos de potencia. Shunts integrados para el clculo de la corriente elctrica que circula por las fases de salida. Un IGBT para el accionamiento del circuito recuperador de la energa regenerada. Un tiristor para el accionamiento del circuito de carga controlada del condensador del circuito intermedio. Drivers para la adecuacin de las seales de control a los niveles de tensin y corriente necesarios para el disparo de las gate. Protecciones contra sobreintensidades, cadas de tensin, desaturacin de los componentes de potencia, cortocircuitos a la salida, etc. En algunos casos se ha propuesto la posibilidad de integrar dentro del propio PIM un microprocesador o un DSP (del ingls, Digital Signal Processor) en el que poder introducir el control de todo el sistema. Esta ltima solucin implica que el PIM en s mismo constituye el convertidor tensin frecuencia siendo nicamente necesario conectarle los condensadores del bus de continua e instalarlo en el disipador trmico. En el momento de escribir esta memoria da la impresin de que esta ltima posibilidad no ha arraigado en el mercado debido, entre otros motivos, al hecho de que obliga a emplear un microprocesador determinado en el que las ingenieras encargadas del diseo de electrnica de potencia no tienen experiencia , o bien que no
Etapa de Potencia
3-27
cumple con los requerimientos de potencia de clculo o de cantidad de memoria necesarios para todas las aplicaciones. Por otro lado, en caso de avera sera necesario cambiar todo el mdulo, con lo que se incrementa de forma notable el coste de mantenimiento del sistema. Para la implementacin de los mdulos rectificador e inversor del convertidor (ver Figura 3.1) se ha decidido emplear un nico PIM del fabricante SEMIKRON. Se trata de uno de los componentes de la familia MiniSKiiP 3, en concreto el SKiiP 31 NAB 12 T11. Este dispositivo integra dentro del mismo encapsulado un puente rectificador trifsico, un puente inversor trifsico de IGBTs en tecnologa NPT (del ings, Non PunchThrough) con el fin de reducir la cada de tensin en el estado de conduccin, un IGBT extra con el fin de implementar el circuito de recuperacin de energa regenerada o Chopper y un sensor de temperatura NTC. Posteriores avances en el desarrollo de este producto han ido encaminados a la sustitucin de los IGBTs por otros de tecnologa Trench modificada con el fin de reducir todava ms la cada de tensin y reducir el tamao de cada uno de los mismos.
Figura 3.9 Modulo de potencia SKiiP31 NAB 12 T11
Una de las principales ventajas de emplear el IPM seleccionado reside en su peculiar sistema de conexiones por presin. Este sistema, en el que no es
3-28
Captulo 3
necesario realizar soldaduras, garantiza que en ningn caso los componentes internos del mdulo de potencia puedan sufrir daos debido a las elevadas temperaturas que se producen durante el montaje del mdulo en el circuito impreso. Por otro lado se simplifica en gran medida el montaje y desmontaje del mdulo en caso de ser necesario proceder a su sustitucin.
Figura 3.10 Corte transversal del SKiiP31 NAB 12 T11
En la Figura 3.10 puede observarse el mtodo de montaje del mdulo de potencia en el convertidor de frecuencia. En la parte inferior de color azul se representa el disipador de aluminio encargado de garantizar la correcta disipacin de temperaturas del sistema. Sobre el disipador se sita el substrato cermico sobre el que se han instalado los elementos de potencia. Este substrato cermico garantiza una resistencia trmica de interconexin muy baja , a pesar de lo cual se monta sobre el disipador empleando pasta conductora trmica. Las
Etapa de Potencia
3-29
conexiones elctricas entre los diferentes componentes se realizan mediante hilos de cobre soldados mediante ultrasonidos y protegidos de las vibraciones mecnicas mediante la inmersin de todo el sistema en una silicona aislante. Por otro lado, las conexiones elctricas con el circuito impreso se realizan mediante unos contactos de presin que sobresalen por la parte superior del mdulo de potencia. En caso de que la corriente sea elevada, se colocan varios conectores de presin en paralelo. La correcta conexin entre los pads del circuito impreso (en verde en la figura) y los contactos de presin se garantiza mediante una tapa que presiona al circuito impreso en el lado opuesto al mdulo de potencia. La presin de contacto se ajusta mediante uno o varios tornillos. Con el fin de aprovechar al mximo el espacio, la parte interior de la tapa cuenta con una serie de huecos en los que pueden colocarse componentes electrnicos en formato de montaje superficial.
3.2.3
CIRCUITO AUXILIAR PARA EL CONTROL DE LOS ELEMENTOS

DE POTENCIA
Como ya se ha comentado anteriormente el mdulo inversor est compuesto por seis dispositivos totalmente controlables dispuestos en tres parejas, cada una de las cuales recibe el nombre de semipuente. Cada uno de dichos semipuentes es el encargado de conformar una de las tres tensiones de salida del convertidor. De los dos dispositivos de conmutacin que conforman el semipuente, se debe prestar una especial atencin al superior debido a la dificultad que existe a la hora de proporcionarle la tensin de disparo en la gate. El problema consiste en que es necesario mantener una tensin V de aproximadamente 1 V a 5 GE pesar de que la tensin de emisor del dispositivo superior vara en funcin del instante en el que se considera la medicin de dicha tensin.
3.2.3.1
Sistemas de alimentacin mltiple
Los sistemas de alimentacin mltiple basan su funcionamiento en emplear cuatro fuentes de alimentacin con salidas aisladas entre s con el fin de generar las seales de alimentacin de los seis IGBTs que conforman el puente de Graetz y los seis drivers individuales necesarios para controlar dichos IGBTs. Una de las fuentes de alimentacin proporciona la tensin de alimentacin de
3-30
Captulo 3
los tres drivers conectados con los IGBTs situados en la parte inferior de los semipuentes del sistema Graetz, mientras que cada una de las otras tres fuentes de alimentacin alimentan a los drivers de cada uno de los IGBTs superiores. Dado que esta solucin aumenta en gran medida el coste final del inversor, algunos fabricantes estn fabricando componentes que integren las cuatro fuentes de alimentacin en un nico componente. La Figura 3.11 muestra una posible solucin para obtener, a partir de una tensin alterna de 380 V cuatro fuentes de alimentacin de 15 V empleando componentes de MOTOROLA.
Alim+ (P3,4) IC2 R+ (P4)

11 12 7 INPUT1 PWM POWER INPUT2 OUTPUT TP GND-2 2 3 GND1 5 2 +INPUT2 15V-2 12 11 10 9 8 7 +INPUT3 6
C13 40uF 100V +
+DCDC1 (P1) D12 1N4007 IC3

1 15V-1 +INPUT1 14 13
30 mA
COM-1
R15 5K1 SMD SMD R16 5K1
C8 33uF 35V -DCDC1 (P1) +DCDC2 (P1)
BUS- (P1,3,4)
+ M57120L
C12 100V 400uF

4 5 6
30 mA
COM2 15V-3
C9 33uF 35V -DCDC2 (P1) +DCDC3 (P1)
-INPUT1 -INPUT2
30 mA
COM3 15V-4
-INPUT3
100 mA
COM4
R17 5K1 SMD
C10 33uF 35V -DCDC3 (P1) +DCDC4 (P1)
Alim- (P3,4) M57140-01 R18 2K SMD + C11 33uF 35V
-DCDC4 (P1)
Figura 3.11 Alimentacin en sistemas de drivers de alimentacin mltiple
Dado que las cuatro fuentes de salida son independientes entre s es , posible conectar los pines 9, 11 y 13 del dispositivo M57140-01 directamente a los emisores de los IGBTs superiores a pesar de que la tensin de dichos puntos permanece flotante en todo momento.
3.2.3.2
Tcnica Bootstrap
La tensin Vbs (diferencia de tensin existente entre los pines Vb y Vs en el driver orientado a emplear la tcnica bootstrap) provee la energa necesaria para controlar el estado de funcionamiento del IGBT superior. Esta fuente de alimentacin precisa contar con una tensin de salida comprendida entre 10 y 20 V para poder garantizar que puede activarse en todo momento el IGBT superior. Algunos dispositivos incluyen un sistema para la deteccin de
Etapa de Potencia
3-31
tensiones inferiores a la necesaria con el fin de evitar que se intente activar el IGBT superior con tensiones inferiores a la mnima. Este tipo de protecciones impide que los IGBTs trabajen fuera del estado de saturacin y por lo tanto disipando una cantidad excesiva de energa. El mantener una tensin Vbs constante presenta la dificultad aadida de que la tensin Vs es variable (en la mayora de los casos se trata de una seal cuadrada de alta frecuencia que vara aproximadamente entre cero voltios y la tensin del bus de continua). Una de las tcnicas empleadas para integrar esta fuente de alimentacin flotante recibe el nombre de tcnica bootstrap. Esta fuente de alimentacin est formada por un diodo y un condensador conectados tal y como puede verse en la Figura 3.12.
bootstrap resistor DC+
bootstrap diode
VCC
VB
D1 DIODE bootstrap capacitor
Vcc
VS
D1 DIODE
DC-
Figura 3.12 Circuito de bootstrap
Dicho condensador se carga siempre que Vs se conecta a tierra a travs del IGBT inferior absorbiendo energa de la fuente de alimentacin V . Dicha cc energa se emplea para proporcionar la corriente necesaria para activar el IGBT superior al mismo tiempo que mantiene la tensin necesaria para que dicho
3-32
Captulo 3
transistor no deje de trabajar en saturacin. Esta tcnica tiene la ventaja de ser barata y sencilla de implementar, pero cuenta con algunas limitaciones ya que el duty cycle y el tiempo que se puede mantener el transistor superior conduciendo dependen de la cantidad de energa que se almacena en el condensador de bootstrap. En caso de ser necesarios grandes tiempos en ON o grandes duty cycles, ser preciso contemplar la posibilidad de emplear circuitos basados en bombas de corriente para la carga del condensador.
3.2.3.2.1
Dimensionamiento del condensador de bootstrap
Un condensador de bootstrap correctamente dimensionado permitir mantener en todo momento una tensin Vbs lo suficientemente estable como para poder disparar con garantas el IGBT superior de su correspondiente semipuente. Los parmetros que influyen en la disminucin de la tensin Vbs son los siguientes: Carga necesaria para activar los IGBTs (QG ) Intensidad de fuga desde la gate al emisor de un IGBT (ILK_GE ) Intensidad de carga flotante (IQBS) Intensidad de fuga flotante (ILK ) Intensidad de fugas en el diodo bootstrap (ILK_DIODE ) Intensidad del diodo en estado ON (IDS-) Carga requerida para activar los desplazamientos internos (QLS) Intensidad de fuga del condensador de bootstrap (ILK_CAP ) Duracin de la activacin del IGBT (THON )
Durante la carga del condensador pueden darse tres situaciones diferentes en funcin del valor que adopta la corriente de salida del semipuente ILOAD . En las siguientes expresiones VFM representa la cada de tensin directa en el diodo bootstrap, VFP la cada de tensin directa en el diodo de rueda libre del IGBT inferior y Vcc la tensin de alimentacin del driver. Caso 1: ILOAD < 0; La corriente de salida circula por el IGBT inferior haciendo que la tensin VCEon sea relevante. Siendo VCEon la cada de tensin que
Etapa de Potencia
3-33
aparece entre el emisor y el colector de un IGBT cuando se encuentra activado.
Vbs = Vcc V FM VCEon
[ 3.2 ]
Caso 2: ILOAD = 0; VCEon no debe tenerse en cuenta dado que por el IGBT inferior no circula corriente.
Vbs = Vcc V FM
[ 3.3 ]
Caso 3: ILOAD > 0; La corriente de salida circula por el diodo de rueda libre del IGBT inferior por lo que al sumar la tensin VFP en este caso la tensin Vbs es mayor que en los casos 1 y 2.
Vbs = Vcc VFM + VFP
[ 3.4 ]
De las expresiones anteriores se comprueba que el peor caso desde el punto de vista de la carga del condensador de bootstrap se da para corrientes de carga negativas, por lo que se deber tener en cuenta el trmino de la cada de tensin en el IGBT inferior. La tensin almacenada en el condensador variar entre un valor mximo, que se produce cuando el IGBT inferior se encuentra activado, y un valor mnimo, justo antes de volver a activar dicho IGBT. A la hora de dimensionar el condensador deber tenerse en cuenta que dicho mnimo siempre deber ser superior a la mnima tensin de gate necesaria p que el IGBT superior ara trabaje en saturacin VBSUV- , por lo que a la hora de calcular la cada de tensin en el condensador de bootstrap se sumar siempre un trmino VGEmin elegido en funcin de las caractersticas del mdulo de potencia , que siempre cumplir la siguiente expresin:
VGE min > VBSUV
[ 3.5 ]
Teniendo en cuenta lo anteriormente comentado puede expresarse la cada de tensin en el condensador bootstrap como:
Vbs = Vcc V F VGE min VCEon
[ 3.6 ]
Por otro lado la carga total necesaria para disparar el IGBT superior puede expresarse como:
3-34
Qtotal = QG + QLS + I LK _ GE + I QBS + I LK + I LK _ DIODE + I LK _ CAP + I DS THON
Captulo 3
[ 3.7 ]
Una vez conocida la cada de tensin y la carga requerida al condensador puede calcularse su capacidad:
C BOOT min =
Qtotal VBS
[ 3.8 ]
En caso de que el diseo exija trabajar con THON elevadas, el valor de la capacidad obtenida de las expresiones hasta ahora mostradas ser lo suficientemente elevada como para justificar el empleo de condensadores electrolticos. Este tipo de condensadores cuentan con una ESR (del ingls, equivalent series resistance) apreciable que debe tenerse en cuenta a la hora de calcular la capacidad mnima ya que dicha resistencia parsita forma un divisor resistivo al estar en serie con la resistencia RBOOT (en la Figura 3.12 la resistencia RBOOT recibe el nombre de resistencia de bootstrap) provocando en la primera carga del condensador de bootstrap un pulso en la tensin Vbs . Este salto de tensin y su variacin con el tiempo dV bs /dt deben ser limitados necesariamente. Los fabricantes de los drivers suelen recomendar que el ESR cumpla la siguiente relacin:
ESR Vcc 3 ESR + RBOOT
[ 3.9 ]
Una posible solucin de compromiso para reducir el ESR a la vez que se implementan capacidades elevadas es el combinar en paralelo condensadores electrolticos y pequeos condensadores cermicos, dado que el primero de ellos garantiza el mantener la tensin Vbs deseada, mientras que el segundo evita las variaciones bruscas de la tensin durante la conexin de este tipo de sistemas.
3.2.3.2.2
Dimensionamiento de la resistencia de bootstrap
La resistencia RBOOT colocada en serie con el diodo de bootstrap limita la corriente inicial de carga del condensador de bootstrap. Por ello,
Etapa de Potencia
3-35
necesariamente no puede tener un valor demasiado elevado dado que aumentara en gran medida el valor de la constante de tiempo de carga del condensador. As, dicha constante de tiempo debe ser lo suficientemente pequea para permitir cargas de dicho condensador incluso con tiempos de activacin del IGBT inferior muy pequeos.
3.2.3.2.3
Dimensionamiento del diodo de bootstrap
El diodo de bootstrap debe ser capaz de bloquear la suma de la tensin del bus de continua y la mxima tensin al anzada por el condensador de bootstrap. Por c otro lado, es conveniente que su tiempo de recuperacin tr r sea lo menor posible con el fin de permitir cargas del condensador de bootstrap con tiempos de activacin del IGBT inferior muy pequeos.
3.2.3.2.4
Dimensionamiento de las resistencias de gate
La velocidad de conmutacin de los IGBTs puede ser controlada mediante el correcto dimensionamiento de las resistencias que controlan sus corrientes de activacin y de desactivacin. Estas resistencias se colocan en serie con la gate y en el presente trabajo se correspondern con las siglas RGon y RGoff, respectivamente. A continuacin se va a describir un mtodo aproximado para calcular dichas resistencias teniendo en cuenta las resistencias equivalentes que presenta el driver a la salida, siendo RDRp y RDRn las resistencias del canal p y n de los transistores de salida integrados dentro del mismo. La Figura 3.13 * muestra la nomenclatura empleada en los siguientes apartados siendo VGE la tensin de meseta del IGBT al mismo tiempo que Q y QGE representan GC respectivamente la carga de gate-colector y gate-emisor.
3-36
Captulo 3
Figura 3.13 Nomenclatura
Resistencia de Activacin desde el punto de vista del tiempo de disparo En cualquier IGBT se define el tiempo de disparo tsw como el tiempo necesario para alcanzar el final de la tensin de meseta. Durante este intervalo de tiempo es necesario proporcionar al dispositivo una carga elctrica Qgc+Qge. Este nivel de carga exigir proporcionar una corriente media Iavg que responde aproximadamente a la siguiente expresin
I avg =
QGC + QGE t sw
* Vcc V ge
[ 3.10 ]
Teniendo en cuenta que la resistencia total que presenta la gate es igual a
Rtotal =
Donde
I avg
[ 3.11 ]
Etapa de Potencia
3-37
Rtotal = RDRp + RGon + RDS
[ 3.12 ]
Siendo RDRp la resistencia que presenta el transistor canal P integrado en la salida del driver al proporcionar corriente a la gate de su IGBT. Es decir, la resistencia que presenta el driver entre su alimentacin y su salida al activar la gate del IGBT. Por su parte RGon representa l resistencia de limitacin de a corriente en la gate que se quiere incluir y RDS es la resistencia de limitacin de corriente durante las cargas del bootstrap que en ocasiones se coloca en serie con el condensador de bootstrap como puede verse en la Figura 3.12. Comprobacin de que la resistencia de activacin calculada no genera en la gate variaciones de tensin superiores a las que el fabricante aconseja. Una vez fijada la resistencia RGon en funcin del tiempo deseado en el que se quiere que se active el IGBT, se deber comprobar que dicha resistencia no provoca una dV out /dt excesivamente grande en la salida. Esta variacin de la tensin con el tiempo es tambin funcin de la capacidad que existe entre la gate y el colector del IGBT CGC. Por lo que suele aceptarse la siguiente relacin:
Rtotal
* Vcc VGE = dVout CGC dt
[ 3.13 ]
La mxima dV out /dt suele recogerse de las especificaciones tcnicas del IGBT considerado. Resistencia de desactivacin desde el punto de vista de la reduccin del dVout/dt A pesar de que la tnica general a la hora de dimensionar la resistencia de desconexin del IGBT es colocar una resistencia de la mitad de valor que la de activacin, es conveniente comprobar nuevamente que con dicha resistencia la variacin de la tensin a la salida no supera los valores especificados por el fabricante siguiendo la siguiente expresin aproximada.
3-38
* VGE RDRn RDS dVout CGC dt
Captulo 3
RGoff =
[ 3.14 ]
Siendo RDRn la resistencia que presenta el driver entre la salida y su referencia cuando se desconecta el IGBT y RDS la resistencia de limitacin de la corriente de carga de los condensadores bootstrap que en ocasiones se coloca en serie con el condensador de bootstrap.
3.2.3.3
Driver seleccionado
El driver seleccionado para la construccin del regulador tensin frecuencia variable ha sido el IR2233. Se trata de un driver trifsico que emplea la tecnologa bootstrap. Se ha empleado esta tecnologa dado que resulta mucho ms econmica al precisar nicamente una sola fuente de alimentacin. Sus entradas lgicas son compatibles con salidas CMOS (del ingls, Complementary metal oxide semiconductor) y LSTTL (del ingls, Low power Schottky Transistor-Transistor Logic ) por debajo de 2.5 V. Cuenta con un amplificador operacional con el fin de facilitar la implementacin de retroalimentaciones analgicas de la corriente del puente a travs de resistencias Shunt. Permite adems desconectar todas las salidas mediante la activacin de una entrada digital. En caso de producirse un error lo notifica a travs de una seal digital empleando lgica inversa. Los errores que discrimina pueden ser una sobrecorriente o una cada de tensin en la fuente de alimentacin de los bootstrap. Esta caracterstica es especialmente til dado que permite evitar los problemas de desaturacin de los IGBTs. Finalmente, los tiempos de propagacin de todas las seales han sido sincronizados con el fin de garantizar un correcto funcionamiento en sistemas con frecuencias de conmutacin muy elevadas, al mismo tiempo que permite trabajar con MOSFET canal N e IGBTs con tensiones en el bus intermedio por encima de los 1200 V.
Etapa de Potencia
3-39
En la Figura 3.14 pueden verse los valores obtenidos para las resistencias de activacin y desactivacin de los IGBTs as como la resistencia de limitacin de carga del condensador bootstrap para el caso particular del circuito presentado en el presente trabajo de investigacin.
+15 Vp
D2 BYT11 R2 5R11 5% D15 1N4148 Gate High3 C5 6.8 uF + C16 2.2 uF D4 BZX55C15 R1 10R 5% W R3 10R 5% +15 Vp
Figura 3.14 Detalle de uno de los circuitos de disparo
Se observa cmo se ha introducido un diodo Schotcky de alta velocidad como diodo de bootstrap (D2) con el fin de garantizar en todo momento una elevada velocidad de bloqueo de las sobretensiones que puedan acontecer en la parte de potencia , y proteger de este modo la fuente de alimentacin de 15 V. Con el fin de separar las resistencias de gate encargadas de trabajar en los ciclos de encendido y apagado, se ha colocado un diodo en serie cono la resistencia de apagado R2, de forma que la corriente de carga circule por la resistencia R1 y la de descarga por R2. Por otro lado, y dado que la capacidad de bootstrap necesaria es muy elevada, se han introducido dos condensadores en paralelo uno de los cuales es cermico con un muy pequeo valor de ESR, tal y como se ha comentado en los apartados anteriores. Como proteccin adicional se ha aadido un diodo Zener de 15 V en la gate del IGBT, dado que de esta forma se protege la salida del driver, se recoge la corriente generada por variaciones bruscas de la tensin del colector y se logra mantener la tensin gate-emisor siempre bajo control. Esta proteccin es especialmente importante durante la desconexin del IGBT inferior en caso de
3-40
Captulo 3
producirse un cortocircuito, ya que la tensin del emisor de dicho IGBT puede llegar a bajar por debajo de la referencia debido a las inductancias parsitas de los cables del propio bus, segn se puede ver en la Figura 3.15.
Figura 3.15 Proteccin Zener de la gate del IGBT
La resistencia R3 se coloca con el fin de limitar la corriente de carga de los condensadores de bootstrap. Est demostrado que la principal causa de averas en el driver est producida por una peticin excesiva de corriente durante las conmutaciones de los IGBTs inferiores. Esta resistencia (normalmente llamada RDS) debe tenerse en cuenta a la hora de calcular las resistencias de activacin y desactivacin de los IGBTs por lo que aparece en las frmulas tal y como se ha considerado en los apartados anteriores. Por ltimo, l Figura 3.16 muestra el esquema elctrico de conexin del a driver IR2233 dentro de la etapa de potencia.
Etapa de Potencia
+5 Vp SW1 Switch 2A/250V 3 2 1 SW2 Switch 2A/250V 3 2 1 SW3 Switch 2A/250V 3 2 1 U1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 R26 100K 5% 13 14 C13 6.8 nF ITRIP FLT-CLR CAO CACA+ SD VSS COM LO3 LO2 LO1 VS3 HO3 VB3 ir2233 C6 6.8 uF + C17 2.2 uF FAULT LIN3 LIN2 LIN1 HIN3 HIN2 HIN1 VCC VB1 HO1 VS1 VB2 HO2 VS2 28 27 26 25 24 23 +15 Vp 22 21 20 19 R3 10R 5% 18 +15 Vp 17 16 15 D6 BYT11 R5 5R11 5% D 7 1N4148 C5 6.8 uF + C16 2.2 uF R1 10R 5% R 2 5 R 1 1 5 % D15 1N4148 D2 BYT11 +15 Vp
3-41
Power IGBT Low3 Power IGBT Low2 Power IGBT Low1 Power IGBT High3 Power IGBT High2 Power IGBT High1
Gate High3 D4 BZX55C15 W
Gate High3 D5 BZX55C15 R4 10R 5% V R6 10R 5%
R32 100K 5%
+15 Vp R17 5 R 1 1 5 % D15 1N4148 Gate Low3 R18 1K 5% D9 BYT11 R 8 5 R 1 1 5 % D10 R14 5 R 1 1 5 % D13 1N4148 Gate Low2 R15 1K 5% C7 6.8 uF C18 R 7 2.2 uF 10R 5% U R9 10R 5% C15 6.8 nF R11 5 R 1 1 5 % D11 1N4148 Gate Low1 D12 BZX55C15 R12 1K 5% 1N4148 Gate High3 D8 BZX55C15 +
C14 6.8 nF
R16
10R 5%
D16 BZX55C15
R33 100K 5% R13 10R 5%
D14 BZX55C15
R10
10R 5%
Figura 3.16 Esquema de conexin del IR2233
Puede observarse que se han instalado tres filtros pasa baja a la salida de las seales PWM correspondientes a los tres IGBTs inferiores. Estos filtros no son necesarios para el correcto funcionamiento del convertidor pero, dado que van a ser empleados diferentes sistemas de modulacin, permiten comprobar que las seales generadas cumplen las condiciones necesarias para poder controlar los IGBTs.
3.3 CIRCUITO DE TENSIN INTERMEDIO

Como puede verse en la Figura 3.1 el circuito de tensin intermedio est formado por tres elementos claramente diferenciados. Por un lado los condensadores de potencia para la estabilizacin del bus, el circuito de carga controlada de dichos condensadores y finalmente la electrnica necesaria para que la tensin del bus de continua no sobrepase valores peligrosos.
3-42
Captulo 3
Los condensadores seleccionados deben poder soportar la tensin del bus de continua por lo que se han colocado dos condensadores electrolticos en serie con una capacidad cada uno de 450 F y una tensin nominal de 450 V. Dado que no se ha considerado necesario introducir reactancias inductivas en el circuito intermedio, no es necesario hacer clculos adicionales para limitar la oscilacin de la tensin del bus debido a efectos resonantes.
3.3.1
CARGA CONTROLADA DE LOS CONDENSADORES
En condiciones normales de funcionamiento del convertidor, en el instante en el que se conecta el sistema trifsico de tensiones, los condensadores de estabilizacin del bus de continua suelen estar completamente descargados, por lo que es necesario, controlar de alguna forma la elevada corriente de carga que demandarn de la fuente de alimentacin. Para ello se ha colocado en serie con dichos condensadores tres resistencias NTC de 10 ? cada una de ellas, como puede verse en la Figura 3.17. Una vez alcanzada una tensin umbral en los condensadores de estabilizacin del bus de continua, dichas resistencias deben ser cortocircuitadas mediante un rel. Dicho rel es controlado mediante el puerto analgico digital de un DSP o con un comparador analgico con histresis en caso de que el dispositivo de control carezca de convertidor analgico digital. Con el fin de garantizar el adecuado aislamiento el ctrico entre las etapas de control y de potencia del convertidor, la seal de activacin del rel se asla mediante un optoacoplador digital.
Etapa de Potencia
3-43
BUS + 10-NTC NTC1 10-NTC NTC2 10-NTC NTC3 RELAY2 +12V-P

4 3
D11 1N4148 +5V-P
1 2
T9AS1D12-12 C33 450uF 450V Q7 2N2222A C22 10 nF 50V SMD R59 470K 1W
U15
2 3 AN CAT VCC Vo VE GND 8 7 6 5
R34
SMD 3K3
SMD R35 1K
HCPL0201
RELE-NTC (P4)
GND-C
C24 100nF SMD GND-P
C34 450uF 450V
R60 470K 1W
BUS -
Figura 3.17 Circuito de carga controlada del b us de continua
En caso de emplear un DSP y por lo tanto medir la tensin del bus de continua mediante el convertidor analgico digital, es necesario optoacoplar dicha seal analgica mediante un optoacoplador lineal como se muestra en la Figura 3.18
+15 Vc
8
U12A
GNDp
1 2 3 4
U13
1 2 3 4 8 7 6 5 8 7 6 5
VDCINPUT (P7) +15 Vp
3 2
+
1
TLC27L2CP
4
R61 430R no smd
IL300 Pin 8 U12 C33 100nF Pin 4 U12 GNDp ponmelo cerca, cerca de los pines GNDp R62 68K C38 100nF +12 Vp
R63 39K
VDC (P1) R64 18K
Figura 3.18 Circuito para el optoacoplado de la tensin del bus de continua
3-44
Captulo 3
3.3.2
ELECTRNICA PARA LA LIMITACIN DEL BUS DE CONTINUA
Puede verse en la Figura 3.9 cmo cada uno de los IGBTs del mdulo de potencia tiene colocado en antiparalelo un diodo de rueda libre. Estos seis diodos forman una estructura de puente rectificador trifsico, por lo que en caso de que el motor induzca tensiones superiores a las de la fuente durante los frenados regenerativos, aparece un flujo de energa desde la salida del convertidor hacia el bus de continua. Dado que una de las limitaciones de los elementos de potencia es la tensin mxima de bloqueo, no se debe permitir que dicho valor de tensin aumente por encima de dicha tensin mxima. Dada la importancia de este sistema de seguridad se ha considerado necesario implementarla de forma independiente al sistema generador de seales PWM que finalmente se emplee.
Etapa de Potencia
3-45
R19 10K 5% R22 10K 5% C9 22 nF 1 2 3 4 C11 10 nF
U2 out A AA+ Vss LMC6462 Vcc out B BB+ 8 7 R20 6 5 +15 Vp R23 1K 5% R21 10K 5% 10K 5% R25 1M 5% DC+ R24 25K1%
D17
BZX55C5V6
R27
250R 5%
U3 R29 3 2 4 8 1 6 LIN HIN COM VB VCC VS IR2103 LO HO 5 7 R28 10R 5% D19 BZX55C15 R30 1K 5% 5R11 5% D18 1N4148 Gate IGBT Chopper
+15 Vp
C10 100 nF
C12 100 nF
Figura 3.19 Electrnica para la limitacin de la tensin del bus de continua
Como puede verse en la Figura 3.19 la tensin del bus de continua se capta a travs de un divisor de tensiones resistivo compuesto por las resistencias R25 y R21. Este puente resistivo divide la tensin de entrada aproximadamente en un factor de 100. Mediante un comparador con histresis se genera un pulso entre 0 y 5 V cada vez que la tensin del bus de continua supera la referencia fijada. Esta seal de control se introduce en un driver para lograr los niveles de tensin y corriente necesarios para gobernar el IGBT de frenado que el fabricante SEMIKRON ha incorporado en el mismo encapsulado. Mediante este conmutador se conecta en paralelo con los condensadores del bus intermedio una resistencia de potencia convenientemente dimensionada en funcin del tipo de carga electromecnica que se controle mediante el convertidor de frecuencia.
3-46
Captulo 3
3.4 PROTECCIONES EMPLEADAS CONVERTIDOR DE FRECUENCIA
EN
EL
Por diseo, los convertidores de frecuencia llevan asociados protecciones con el fin de limitar las sobretensiones, sobreintensidades y las variaciones muy fuertes de tensin y de intensidad. A pesar de que debido a que uno de los objetivos del presente trabajo de investigacin es estudiar el comportamiento de los convertidores con el fin de minimizar alguna de estas protecciones, se van a nombrar todas las protecciones que pueden ser implementadas.
3.4.1
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES
Este tipo de fenmenos son ms peligrosos en el lado de la red de alimentacin y por lo tanto en el lado del rectificador. Para protegerse de este tipo de problemas, suele ser habitual conectar dispositivos cortocircuitables por sobretensin (varistores) entre las fases de alimentacin segn una configuracin en tringulo. Para la proteccin de los semiconductores ante aumentos bruscos de la tensin aplicada el mdulo de potencia ya tiene integrados diodos de rueda libre y en el Apartado 3.3.2 se ha comentado el sistema de limitacin de dicha tensin del bus de continua.
3.4.2
PROTECCIN CONTRA SOBREINTENSIDADES
Analizando en detalle la estructura del convertidor de frecuencia es posible distinguir tres posibles defectos debidos a aumentos bruscos de la corriente elctrica. Cortocircuito a la salida del rectificador. Un cortocircuito a la salida del rectificador provocar una elevada circulacin de corriente a travs de los diodos debido a que la nica impedancia que la limita es la propia impedancia de la red. Este tipo de defectos se previenen instalando en el armario elctrico donde se vaya a colocar el convertidor fusibles de proteccin extrarrpidos o bien un magnetotrmico convenientemente tarado.
Etapa de Potencia
3-47
Cortocircuito en bornes del motor. En este caso la sobrecorriente es de menor importancia que en el supuesto anterior dado que se encuentra limitada por la suma de las impedancias de la red y la impedancia del bus intermedio. Para evitar problemas en los semiconductores se coloca un fusible de proteccin en serie con el bus intermedio de forma que en caso de aumentar la corriente por el mismo de forma no controlada se interrumpa la conexin entre el rectificador y el inversor. Hay que tener mucho cuidado a la hora de dimensionar este fusible , ya que durante la primera conexin del convertidor con los condensadores descargados la corriente que circula por el bus intermedio es varias veces superior a la nominal en funcin del tipo de control de carga de los condensadores que se implemente. Semiconductor de potencia cortocircuitado. En caso de que se produzca este tipo de sobreintensidad en uno de los diodos, la actuacin es similar al primer supuesto, mientras que si se produce en el inversor se asemejar al segundo supuesto.
3.4.3
PROTECCIN FRENTE A CADAS DE TENSIN EN LA RED DE ALIMENTACIN.
Este tipo de fenmeno nicamente es peligroso cuando el convertidor trabaja en modo regenerador por lo que no es relevante en el caso que nos ocupa. En caso de tratarse de un convertidor no regenerativo una cada de la tensin de alimentacin nicamente provoca la prdida de energa en el convertidor y por lo tanto su incapacidad para controlar de forma adecuada la carga.

Capitulo 3 Etapa de Potencia

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CAPTULO 3

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

CARGA DE LOS CONDENSADORES FILTRO DE ENTRADA

RECTIFICADOR DETECTOR SOBRETENSIN

Figura 3.1 Diagrama de bloques de la etapa de potencia

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

3.2 MDULO COMBINADO

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

EVOLUCIN DE LOS COMPONENTES DE POTENCIA

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

Figura 3.2 Diagrama de bloques y esquemtico de un diodo

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

Figura 3.3 Caractersticas de recuperacin inversa del diodo

Dispositivos semicontrolables y controlables

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

Figura 3.4 Diagrama de bloques y s mbolo del tiristor

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

Transistor bipolar de potencia o BJT

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

En la Figura 3.5 se muestran grficamente los tiempos anteriormente comentados.

Figura 3.5 Caractersticas de conmutacin del BJT

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Figura 3.6 Estructura bsica del transistor MOSFET de tecnologa DMOS

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

t=0 se excita la gate

Figura 3.7 Caractersticas de conmutacin del MOSFET

t d (on) = 130 ns ; t s = 850 ns ; t d (off ) = 630 ns ; t c = 180 ns

Copyright 2005 Jose Martn Echeverra Ormaechea

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Figura 3.8 Estructura bsica del transistor IGBT

ELEMENTOS DE POTENCIA SELECCIONADOS

GTO 3500 Alta

BJT 1400 Media

MOSFET 500 Baja

IGBT 1800 Alta

Muy alta Muy alta

Alta Muy alta

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Figura 3.9 Modulo de potencia SKiiP31 NAB 12 T11

Figura 3.10 Corte transversal del SKiiP31 NAB 12 T11

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CIRCUITO AUXILIAR PARA EL CONTROL DE LOS ELEMENTOS

Sistemas de alimentacin mltiple

Alim+ (P3,4) IC2 R+ (P4)

C13 40uF 100V +

+DCDC1 (P1) D12 1N4007 IC3

R15 5K1 SMD SMD R16 5K1

C8 33uF 35V -DCDC1 (P1) +DCDC2 (P1)

C12 100V 400uF

C9 33uF 35V -DCDC2 (P1) +DCDC3 (P1)

R17 5K1 SMD

C10 33uF 35V -DCDC3 (P1) +DCDC4 (P1)

Alim- (P3,4) M57140-01 R18 2K SMD + C11 33uF 35V

Figura 3.11 Alimentacin en sistemas de drivers de alimentacin mltiple

bootstrap resistor DC+

D1 DIODE bootstrap capacitor

Figura 3.12 Circuito de bootstrap

Dimensionamiento del condensador de bootstrap

aparece entre el emisor y el colector de un IGBT cuando se encuentra activado.