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Jairo Andrés Pinzón, Carlos Mario Zabala.

Polarización de transistores
LABORATORIO N°4 POLARIZACION DE TRANSISTORES JAIRO ANDRÉS PINZÓN, CARLOS MARIO ZABALA D. Jairo.pinzonber@cun.edu.co ,Carlos.zabaladue@cun.edu.co

RESUMEN: En esta laboratorio se comprobó mediante una serie de practicas el funcionamiento de los diferentes tipos de polarización de los transistores bipolares, tanto a temperatura ambiente como a una temperatura elevada, producida por un cautín. PALABRAS CLAVE: Transistor, polarización, temperatura, beta. I. OBJETIVOS El objetivo de este laboratorio es observar el comportamiento de algunos transistores en una serie de polarizaciones predeterminadas, analizando la corriente y la tensión disipada en los componentes de cada polarización.

2.

POLARIZACION ESTABILIZADA POR EMISOR

En polarización fija el punto Q (punto de trabajo) no es muy estable y a medida que el transistor este trabajando, este punto tiende a desplazarse. Para compensar las variaciones de tensión y corriente que se producen en el transistor, podemos agregar una resistencia en el emisor. Este tipo de polarización proporciona mayor estabilidad del punto de operación, ya que en caso de que se incremente la corriente de colector (incremento del beta), entonces el voltaje en Re aumenta, disminuyendo el voltaje en Rb, al disminuir ese voltaje, la corriente correspondiente cae, haciendo que la corriente de colector se decremente, balanceando el incremento original.

II. INTRODUCCION
Mediante el ensamble de los circuitos en la protoboard, procedemos a la medición de los diferentes parámetros requeridos para la observación del comportamiento del transistor y los demás componentes del respectivo montaje

III. MARCO TEORICO
1. POLARIZACION FIJA

este circuito es el mas sencillo de todos los circuitos de polarización. La resistencia Rc limita la corriente máxima que circula por el transistor cuando este se encuentra en saturación, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de co - rriente que ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que zona se polarizará el transistor (saturación, activa o corte).

3.

POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

Con este tipo de polarización la estabilidad del punto Q es mucho mejor, es decir a medida que el transistor este trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantendrán casi inalterables. Es por esta razón que este tipo de polarización es la mas utilizada cuando se trata de diseñar un amplificador.

1 v VBC 6. POLARIZACION ESTABLECIDA DE EMISOR Temperatura Ambiente – 2N2222 Ib 48 µA Ic 5.4 .4 v VRB 11.04 v VRC 9.67 v VCE 0.1 µA Ic 5.14 v VRB 11. Polarización de transistores Temperatura Cautin – 2N2222 Ib 62 µA Ic 6.7 v VBC 1. R1 y R2 son las resistencias que hacen variar el punto de trabajo Q y consecuentemente la zona de trabajo.6 v VCE 0.8 mA VBE 0.2 v β 107. POLARIZACION POR RETROALIMENTACION DE COLECTOR El mecanismo eléctrico de este circuito es muy eficaz y se desarrolla del siguiente modo: Si suponemos un aumento de Ic.2 v β 110.52 v β 109.16 v VRC 11.7 v VBC 0.Jairo Andrés Pinzón.3 mA VBE 0. 1. la caída de tensión en Re aumenta y contrarresta el aumento de la corriente Ic porque se produce un descenso en la tensión de polarización de base Vbe.2 v VRC 11. Carlos Mario Zabala. IV. PRACTICA POLARIZACION FIJA 5.68 v VCE 2.3 mA VBE 0.9 4.6 Temperatura Ambiente – 2N3904 Ib 49.13 v VRB 11.

5 v β 88.04 v VRE 0.8 mA Ie 0. POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE Temperatura Ambiente – 2N3904 Ib 60 µA Ic 5. v VE 0.4 v VBC 3.98 v VBC 1.25 v VRE 1.4 v VRC 6.28 v VRE 1.04 v VRB1 10.6 v VCE 6.7 v VC 7.7 v VRB 9.8 mA Ie 6.3 v β 110.9 v β 112.33 mA Ie 5.5 v VBC 3.38 v VC 1.6 Temperatura Cautin – 2N2222 Ib 3.5 v VC 5.3 mA Ie 5.2 mA VBE 0.6 v VRB2 1.04 v VB 1.06 v β 176.08 mA VBE 0.3 v VE 0.8 v VB 2.8 v VBC 6.1 mA VBE 0.4 v VC 6.4 µA Ic 6.6 mA VBE 0.46 v VCE 0.3 Temperatura Ambiente – 2N2222 Ib 3 µA Ic 5.8 v VRB1 10.4 v VRB2 1.4 v VRC 5. Carlos Mario Zabala.51 v VCE 2.8 µA Ic 6.7 Temperatura Cautin – 2N2222 Ib 61.1 mA VBE 0.3 v VRC 9.6 v VRE 1.3 mA Ie 0.7 v VBC 3.6 v VRC 3.7 v VB 1.7 v VRB 8. Polarización de transistores Temperatura Ambiente – 2N2222 Ib 47 µA Ic 5.2 v β 200 .03 6.3 v VRC 6.Jairo Andrés Pinzón.4 v VB 2.3 v VC 4.63 v VCE 3.8 v VRB 9.90 v VB 1.9 v VRE 0.64 v VCE 4.

56 v VRB 0.21 mA VBE 0.6 v VB 3.4 mA Ie 6.4 v VC 3.5 v VE 2.8 v VRB 0. Polarización de transistores Temperatura Ambiente – 2N3904 Ib 2. Carlos Mario Zabala.Jairo Andrés Pinzón.5 v VCE 0.4 mA Ie 6.6 v VE 2.4 7.1 v VRC 8v VRE 2.2 v β 279.6 mA VBE 0.57 v VB 1.4 mA IRC 4.7 v VRB2 1.4 v VC 3.7 v VE 0.66 v VCE 0.64 v VCE 5.5 mA VBE 0.9 v VRE 2.4 .5 mA IRC 6.2 v VC 5.8 v VBC 0.7 mA Ie 0.3 v VC 3.08 v β 135.4 Temperatura Cautin – 2N2222 Ib 62 µA Ic 8.7 v VB 3. POLARIZACION CON RETROALIMENTACIO DE VOLTAJE Temperatura Ambiente – 2N3904 Ib 62 µA Ic 8.8 v VBC 0.2 v VRC 5.1 Temperatura Ambiente – 2N2222 Ib 62 µA Ic 8.7 v VBC 0.4 mA Ie 6.6 v VRE 0.058 v VRC 7.7 v VRB 8.2 mA VBE 0.057 v β 135.4 µA Ic 6.11 v VRC 8v VRE 2.7 v VB 3.69 v VCE 0.6 mA IRC 6.57 v VBC 4.11 v β 135.4 v VE 2.5 v VRB1 10.

CONCLUSIONES Gracias a este laboratorio se comprobó el funcionamiento del transistor en cada una de sus polarizaciones. cambiando los valores determinados previamente para su funcionamiento.Jairo Andrés Pinzón. BIBLIOGRAFIA [1] http://www.com/ [3] ricardoarreola. en este caso. VI.blogspot. Carlos Mario Zabala.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/r ecursos/r64957.itescam. observando que el cambio de temperatura modifica el beta del transistor. siendo la polarización por retroalimentación de colector la más recomendable.com . para un aumento de temperatura en el sistema.blogspot. Polarización de transistores V.PDF [2] http://jorgemendozapua.