Electronica de potencia Circuitos, dispositivos y aplicaciones Segunda edicién MUHAMMAD H. RASHID Ph.D... Fellow IEE Professor of Electrical Engineering Purdue University at Fort Wayne TRADUCCION: ING. GABRIEL SANCHEZ GARCIA Ingeniero Mecanico Electricista-UNAM REVISION TECNICA: ING. JOSE ANTONIO TORRES HERNANDEZ Inaeniero en Electronica Universidad La Salle, A.C. BIBLIONE. LATACE M4 PRENTICE HALL. HISPANOAMERICANA, S.A MEXICO - NUEVA YORK - BOGOTA « LONDRES « SYDNEY PARIS « MUNICH + TORONTO + NUEVA DELHT «TOKIO SINGAPUR + RIO DE JANEIRO + ZURICHo2L3e1 SBR aaad EDICION EN ESPANOL PRESIDENTE DE LA DIVISION LATINO AMERICANA DE SIMON & SCHUSTER RAYMUNDO CRUZADO GONZALEZ. DIRECTOR GENERAL: ‘MOISES PEREZ ZAVALA DIRECTOR DE EDICIONES: ALBERTO SIERRA OCHOA (GERENTE DIVISION TNIVERSIT ARIA: ENRIQUE IVAN GARCIA HERNANDEZ (GERENTE EDITORIAL: JOSE TOMAS PEREZ BONILLA EDILOK; LUIS GERARDO CEDENO PLASCENCLA, GERENTE DE EDICIONES: JULIAN ESCAMILLA LIQUIDANO SUPERVISOR DE TRADUCCION: TOAQUIN RAMOS SANTALLA. SUPERVISOR DE PRODUCCION: ENRIQUE GARCIA CARMONA BDICION BN INGLES. Publisher: Aba Apt Procicton Fair: Mona Porpili Cover Designer: Wanda Lubelska Design Copy Editor: Barbara Zeiders Prepress Buyer: Linda Behrens Manufactring Buyer: Dave Dickey ‘Supplements Editor: Alice Dworkin Editorial Assistant: Sherley McGuire ‘RASHID: ELECTRONICA DE POTENCIA, CIRCUITOS, DISPOSITIVOS ¥ APLICACIONES 2/E4. ‘Traducido del inglés de la obra: Power Electronics Circuits, Devices, and Applications All Rights Reserved. Authorized translation from english Janguage edition published by Prentice Hall Inc. ‘Todos los Derechos Reservados. Traduccién autorizada de a edividn en ingles publicada por Prentice Hal! Inc AL Rights Reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form ‘or by any means, electronic or mechanical, including photocopying recoding ot by sty information storage retrieval system. without permission in writing ere the pilisher Proihibida la reproduccisn total o parcial de esta obra, por cualquicr medio 0 método sin autorizaciGn por escrito del editor. TDerachas mservados © 1905 respecto a la primera edicién en expafiol publicada por PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A. Enrique Jacob 20, Col. El Conde 53500 Naucalpan de Juez, Edo, de Mex. ISBN 968.880-586-6 ‘Miembro de la Cémmara Nacional de Ia Industria Editorial, Reg. Num, 1524 ‘Original English Language Eaition Published by Prentice Hal Inc, Copyright © 1993 eave eae All Righty Reserve. = ISBN 0-13-678996-X S Impreso en Mexico/Printed in Mexico5 A mis padres. mi esposa Fatima y mis hijos, Faeza, Farzana y HasanPrefacio El libro Electrénica de potencia esté concebido como libro de texto para el curso sobre “electrtni- cca de potencia/convertidores estéticos de potencia” para estudiantes intermedios y avanzados en Ingenieria eléctrica y electrénica, También se podré utilizar como libro de texto para estudiantes graduados, y podrd considerarse como libro de referencia para ingenieros practicantes involucra- {dos en el disenio y en las aplicaciones de ta electronica de potencia. Los prerrequisitos serian cur- 303 sobre clectr6nica bdsica y circuitos clécwicos bisicos. El contenido de Electrénica de potencia sobrepasa el alcance de un curso de un semestre. Para un curso elemental, os capitulos 1 al 11 de- berdn ser suficientes para dar una solida base de la electr6nica de potencia. Los capftulos 11 al 16 deberdn dejarse para otros cursos, o bien incluirse en un curso de graduados. El tiempo que se asigna normalmente a un curso sobre electrinica de potencia en una curti- ‘cla tfpica de subgraduados es un semestre, La electronica de porencia se ha desarrollado ya a tal punto que en un curso de un solo semestre resulta dificil eubrir completamente el tema, Los fun- amentns ie Ia electrdnics de potencia esti hien exiablecidos y no cambian con rapide7. Sin em- bargo, las caractersticas de Los dispositivos mejoran en forma continua y aparecen otros nuevos. Flecirénica de potencia, mediante el método de anélisis empirico, cubre primero las técnicas de conversién y las caracteristicas de los dispositivos y después sus aplicaciones. Hace nfasis en los principios fundamentales de la conversiGn de potencia, Esta ediciGn de electrénica de potencia es ‘una revisidn completa de su primera edicién, que (i) utiliza métodos de andlisis empiricos, en vez de método deductivos, (i) introduce lo més avanzado y de actuatidad en técnicas de. modnlacién, (Gi) presenta un nuevo capitulo sobre “Inversores de pulso resonante” y cubre las técnicas corres- pondientes de avanzada, (iv) integra el software estindar de la industria, SPICE, y los ejemplos de disetio que se verfican mediante la simulacién SPICE, (v) analiza convertidores con cargas RL, y (vi) ha comregido errores tipogréficos y expandido secciones y/o parrafos a fin de aftadir explica ciones. El libro esti dividido en cinco partes: 1, Introduccién—capitulo 1 2. Técnicas de conmutacién del SCR y técnicas de conversién de potencia—capftulos 3, 5, 6, 7,9, 10y 113. Dispositivos—capitulos 2, 4 y 8 4, Aplicaciones—capftulos 12, 13, 14 y 15 5. Protecciones—capitulo 6 Los temas como los referentes a los circuitos trffsicos, cieuitos magnéticos, funciones de con- mutacién de convertidores, anlisis transitorios en cd y anilisis de Fourier se incluyen en los apéndices. La electidnica de potencia se ocupa de la aplicacién de la electrénica de estado s6tido para el control y la conversién de la potencia elécirica. Las tScnicas de conversién requieren de la con- mutacién Ue dispositivos semiconduciores de potencia, Los circuitws elecunicus de bajo nivel, ue por lo comiin estin formados por circuitos intogrados y de componentes discretos, generan las sefiales de compuerta requeridas para los dispasitivos de potencia. Tanto los circuitas integrados ‘como los componentes discretos se han ido reemplazando por los microprocesadores, Un dispositivo de potencia ideal no deberia presentar limitaciones de conmutacién, en tér- ‘minos del tempo de activacién, ef tiempo de desactivacién y las capacidades de manejo de co- rriewts y de voligi, v conectarse ui al desconectarse. La tecuulugia de toy semiconductores de ppotencia esti desartollando ripidamente dispositivos de potencia de conmutacién répida, con \i- mites crecientes de voltaje y de corriente. Dispositivos de conmutacién de potencia como los TBS de potencia, los MOSFET, SIT, IGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, GTO y otros, estén encontran- do crecientes aplicaciones en una amplia gama de’ productos. Con dispositivos de conmutacién mas rdpidos disponibles, las aplicaciones de los microprocesadores modernos en la sintesis de las estrategias de control de los dispositivos de potencia mancjados por compucrta para cumplir con las especificaciones de conversién, han ampliado el Ambito de la electrdnica de potencia. La revo- Tucién de la electrénica de potencia ha ganado un gran impulso, desde fines de los afios ochenta y principios de los aftos noventa. En el curso de los siguientes 30 aos, a electrénica de potencia conformaré la forma y el estado de la electrcidad en algsin lugar entre su generacidn y todos sus usuarios. Las aplicaciones potenciales de la electrdnica de potencia auin estén pendientes de ser ‘exploradas por completo, pero en este libro hemos hecho toda suerte de esfuerzos para cubrir tan tas apticaciones como nos ha sido posible. Muhammad H. Rashid Fort Wayne, Indiana PrefectReconocimientos Muchas personas han contribuido a esta edicién y han hecho sugerencias bazadas en eus experien- cias como profesores 0 como estudiantes en cl saldn de clase, Me gustaria dar las gracias a las si- _guientes personas por sus comentarios y sugerencias: Mazen Abdel-Salam—Universidad del Petrdleo y 1os Minerales King Fahd Arabia Saudita Ashoka K. $. Bhat—Universidad de Vietoris, Canadé Fred Rrockhurst—Instituta de Tecnologia Rose-Hulman Joseph M. Crowley—Universidad de Illinois, Urbana-Champaign Mehrad Ehsani—Universidad Texas A&M Alexander E, Emanuel—Instituto Politécnico de Worcester George Gelt—Universiiad Estatal le Ohio Herman W. Hill—Universidad de Ohio ‘Wahid Hubbi—Insiinuo de Tecnologia de New Tersey Marrija llie-Spong—Universidad de Illinois, Urbana-Champaign Shahidut I. Khan—Universidad de Concordia, Canada Peter Lauritzen—Universidad de Washington Jack Lawlet—Universidad de Tennessee Arthur R. Miles Universidad Estatal del Norte North Dakota ‘Mehdat M. Morcos—Universidad Estatal de Kansas Hassan Moghbelli—Universidad Calumet de Purdue H. Ramezani-Ferdowsi—Universidad de Mashhad, Irén Ha sido muy placentero poder tibujar von el editor, Alatt Apt, y cou la editora de desarrollo, Son dra Chdvez. Finalmente, me gusta sign, fa agradecer a mi familia por su carifo, paciencia y compren