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Dispositivos Cmos
Dispositivos Cmos
NMOS (caractersticas)
SUSTRATO: LIGERAMENTE DOPADO (p-) FUENTE Y DRENADOR: ALTAMENTE DOPADO (n+) PUERTA: POLISILICIO
NMOS (caractersticas)
UNA CAPA DE OXIDO SEPARA LA PUERTA DEL CANAL. EL OXIDO DEL CAMPO Y EL CAMPO IMPLANTADO AISLAN EL DISPOSITIVO
NMOS
CAPACITANCIAS MOSFET
TIENEN TRES ORIGENES: LA ESTRUCTURA MOS BASICA LA CARGA DEL CANAL LA DEFLEXION EN LAS REGIONES DE JUNTURA P-N
CAPACITANCIA DE CANAL
LA CAPACITANCIA E CANAL ES NOLINEAL ESTE VALOR DEPENDE DE LA REGION DE OPERACIN.
CAPACITANCIA DE CANAL
ESTA FORMADO POR TRES COMPONENTES: Cgb: CAPACITANCIA PUERTA A MASA Cgs: CAPACITANCIA PUERTA A FUENTE Cgd: CAPACITANCIA PUERTA A DRENADOR
HAZARDS EN CMOS
PESTILLO DE FUENTES: DISTURBIOS ELECTRICOS TRANSITORIOS EN BUSES DE FUENTE Y TIERRA SECUENCIAMIENTO IMPROPIO DE FUENTES RADIACION DISTURBIOS ELECTROMAGNETICOS
HAZARDS EN CMOS
COMO EVITARLOS: METODOS TECNOLOGICOS (REDUCCION BETA, REDUCCION DE RESISTENCIA DE SUSTRATO, REDUCCION DEL AISLANTE) REGLAS DE DISEO (REGLAS DE ESPACIAMIENTO, DISTRIBUCION DE CONTACTOS, ANILLOS DE GUARDA)
LOGICA CMOS: 0, 1
LOS CIRCUITOS LOGICOS PROCESAN VARIABLES BOOLEANAS.
LOS VALORES LOGICOS ESTAN ASOCIADOS CON NIVELES DE VOLTAJE: VIN > VIH 1 VIN < VIL 0
INVERSOR CMOS
INVERSOR CMOS
TEORICAMENTE, SE ASUME QUE LAS SEALES PUEDEN PROPAGARSE SIN RETARDO A LO LARGO DE LAS INTERCONEXIONES.
O SEA SE INTRODUCEN RETARDOS DE PROPAGACION EN LA SEAL QUE DEBEN SER TOMADOS EN CUENTA PARA LA OPERACIN CORRECTA DEL CIRCUITO
RESISTENCIA () 10 10 7
CAPA DE INTERCONEXIO N Polisicio a sustrato Metal 1 a sustrato Metal 2 a sustrato Metal 3 a sustrato