P. 1
Tipos de transistor

Tipos de transistor

|Views: 31|Likes:
Publicado porarqueonte
Tipos de transistor. Descripcion completa del transistor, clases y partes.
Tipos de transistor. Descripcion completa del transistor, clases y partes.

More info:

Categories:Types, School Work
Published by: arqueonte on Dec 28, 2012
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOCX, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

12/14/2013

pdf

text

original

Tipos de transistor Transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener

ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unión bipolar Artículo principal: Transistor de unión bipolar. El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión. Transistor de efecto de campo El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido. Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común); Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación). Transistores y electrónica de potencia Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado. El transistor bipolar como amplificador El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador: Emisor común

Emisor común. La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de

. Despejando La tensión de salida. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno. la ganancia queda: La corriente de entrada. la base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. por RC Como la base está conectada al emisor por un diodo en directo. También supondremos que β es constante. podemos escribir: y la impedancia de entrada: Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más elaborados. Que podemos escribir como Vemos que la parte es constante (no depende de la señal de entrada). entre ellos podemos suponer una tensión constante. Es muy frecuente usar el modelo en pi. la ganancia en tensión se aproxima bastante bien por la siguiente expresión: . El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada 180º respecto a la de entrada. y para frecuencias bajas. debido a .emisor. que es la de colector se calcula como: Como β >> 1. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. Entonces tenemos que la tensión de emisor es: Y la corriente de emisor: . y la impedancia de salida. y la parte salida. La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base: . Vg. nos da la señal de Finalmente. entonces. que aproximamos por . RE > 50 Ω. Base común Base común. Suponiendo que VB>>Vg. se puede aproximar: y.

sin embargo a través de los años se desarrollaron etapas de potencia con múltiples transistores en paralelo capaces de conseguirlo. Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar. o sea con tensiones reducidas y corrientes altas. Además. por ejemplo. El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante. Los transistores trabajan con impedancias bajas. llamada ENIAC. reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década de 1950. ya que necesitan estar calientes para establecer la conducción. Las válvulas consumen mucha energía. la enciclopedia libre . lo que las vuelve particularmente poco útiles para el uso con baterías.que parte de la corriente de emisor sale por la base. siguieron utilizando válvulas en amplificadores de audio para guitarras. algunos fabricantes siguieron utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama alta. Probablemente. conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos de potencia. Tenía alrededor de 18. Transistor de unión bipolar De Wikipedia. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. Aunque existe unanimidad sobre este punto. impensables para los transistores en sus comienzos. que son peligrosas para el ser humano. uno de los problemas más importantes haya sido el peso. de modo que el tamaño que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del disipador. llamado rejilla. Las válvulas tienen características eléctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensión en el borne de comando. como Collins y Drake. micrófonos dinámicos. la impedancia de salida es baja. que iba desde algunos kilos a decenas de kilos. aproximadamente β veces menor que la de la fuente de señal. El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas es muy corto comparado con el de los transistores. muy frecuente en las válvulas. En efecto. Si añadimos una resistencia de emisor. incluso que los nuvistores. Colector común . [cita requerida] Los armónicos introducidos por la no-linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano (véase psicoacústica). El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica Véanse también: Válvula termoiónica y Transistor bipolar. sobre todo a causa del calor generado. nos da la ganancia aproximada siguiente: La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida como. Colector común. de equipo de audio esta vez. sobrio en sus necesidades de energía. Los transistores son más pequeños que las válvulas. mientras que las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones pequeñas corrientes. Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947. fue considerado una revolución. rápido.[cita requerida] Las válvulas son capaces de manejar potencias muy grandes. durante los años 1960. fiable. Era un equipo que pesaba más de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios. necesitando una logística y una organización importantes. poco costoso. luego el transistor desplazó a la válvula de los transmisores pero no del todo de los amplificadores de radiofrecuencia. pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados sino hasta varios años después. sino que contaba con la promesa de que continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente investigación y desarrollo. Finalmente. un análisis similar al realizado en el caso de emisor común. pero no del todo. suficientes para alimentar una pequeña ciudad. el costo de los transistores no solamente era muy inferior.000 válvulas. La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. por lo que se siguieron utilizando válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control-comando de aviones caza de fabricación soviética. El transistor es intrínsecamente insensible al efecto microfónico. con lo que basta un disipador mucho más pequeño. Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias: El transistor no tiene las características de linealidad a alta potencia de la válvula termoiónica. La impedancia de entrada es alta. de las cuales algunas se quemaban cada día. la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores. Pequeño. Las razones por las que el transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias: Las válvulas necesitan tensiones muy altas. como Fender. estos deben llevar un disipador. Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital. Como las válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas. por lo que son preferidos por los audiófilos. Antes de la aparición del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados válvulas termoiónicas. del orden de las centenas de voltios. Otros fabricantes. El transistor es muy sensible a los efectos electromagnéticos de las explosiones nucleares. que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de señal. aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga. En esta configuración se tiene ganancia de corriente.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. En su funcionamiento normal. El emisor está altamente dopado. El transistor de unión bipolar. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar en modo activo. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte. Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital. haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados. otorgarle al transistor un gran β. base (B) o colector (C). como la tecnología TTL o BICMOS. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados por la base. Colector. . no es usualmente un dispositivo simétrico. La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. de extensión mucho mayor. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. tipo P. denominado emisor (E). que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada. la unión base-emisor está polarizada en directa. entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. y la mayoría pasa al colector. permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. Base. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos). Para una gran ganancia de corriente. la región de la base y la región del colector. o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí. la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal. hay poca recombinación de portadores. según corresponda. Donde se puede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que la base-emisor. respectivamente. mientras que la base-colector en inversa. porque es muy angosta. y tipo N en un transistor NPN. tipo N y tipo P en un PNP.5. pero tienen ciertos inconvenientes. y por eso. Estas regiones son. que separa el emisor del colector. El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor. El colector rodea la región del emisor. lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad. y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base. separados por una región muy estrecha. Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor. Estructura Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor. y tipo N. comportándose como un metal. intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo. mientras que el colector está ligeramente dopado. a diferencia de otros transistores. muy estrecha. muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0. la intermedia. tipo P. estado de saturación y estado de actividad.Transistor de unión bipolar. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector.

lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100. Esto es debido a la relación tensión-corriente de la unión base-emisor. desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Otro parámetro importante es la ganancia de corriente base común. un diodo). para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector.El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente. Control de tensión. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. por ejemplo. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio. debido a la baja impedancia de la base. permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. En una configuración normal. que oscila entre 0. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. En un transistor NPN. y que la corriente de colector es β veces la corriente de la base. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. La ganancia de corriente emisor común está representada por o por hfe. A su vez. o por amplificadores de corriente. En una operación típica. para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor. se requiere el uso de modelos matemáticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensión. la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es decir. No obstante. La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada. El Alfa y Beta del transistor Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad. la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. pero la mayoría de los BJT modernos están compuestos de silicio. el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. pero son caracterizados más simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente. para diseñar circuitos utilizando BJT con precisión y confiabilidad. la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.998. el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. carga y corriente La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente). Actualmente. cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor.98 y 0. Estos electrones "vagan" a través de la base. una pequeña parte de éstos (los transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio. especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad. Funcionamiento Característica idealizada de un transistor bipolar. Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es aproximadamente constante. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones. . La ganancia de corriente base común es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región activa directa. o por la tensión base-emisor (control de voltaje). prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector. En el diseño de circuitos analógicos. El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN): Tipos de Transistor de Unión Bipolar NPN . Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β veces la corriente de la base.

debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares. permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo Regiones operativas del transistor Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas. debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN. en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. Región inversa: . Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. PNP El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. definidas principalmente por la forma en que son polarizados: Región activa: corriente del emisor = (β + 1)·Ib . de β (ganancia de corriente. la región activa. es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. corriente del colector= β·Ib Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia. Pocos transistores usados hoy en día son PNP. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.El símbolo de un transistor NPN. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib). Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. El símbolo de un transistor PNP.

para la electrónica digital. la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple. se puede decir que el la unión CE se comporta como un cable.sat. La versión de unión. Cuando el transistor esta el saturación. Historia Replica del primer transistor. el uso de BJT ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados. En este modo. ya que la corriente que lo atraviesa es cero. Debido a que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo. respectivamente.Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo. inventada por Shockley en 1948. el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente maxima. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE. De forma simplificada. no hay caída de voltaje. representando el estado lógico alto y bajo. las regiones del colector y emisor intercambian roles. Teoría y Modelos Matemáticos Análisis en continua El modelo Ebers-Moll Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación normal son determinadas por: Modelo Ebers-Moll para transistores NPN Modelo Ebers-Moll para transistores PNP La corriente interna de base es principalmente por difusión y . el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo. ver Ley de Ohm). ver Ley de Ohm. (como no hay corriente circulando. la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por ende. se puede decir que el la unión CE se comporta como un circuito abierto. ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero. (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (Ic ≈ Ie = Imax) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Como se puede ver. Hoy en día. fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. Región de corte: Un transistor está en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0. El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. la región activa es útil para la electrónica analógica (especialmente útil para amplificación de señal) y las regiones de corte y saturación. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) De forma simplificada.

Dónde: es la corriente de colector. (de 0. Un valor de β de 100 es típico para pequeños transistores bipolares. La relación entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia. β está relacionada con α a través de las siguientes relaciones: Eficiencia del emisor: Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier región del transistor están expresadas más abajo.98 a 0. es la ganancia activa en emisor común (de 20 a 500) es la ganancia inversa en emisor común (de 0 a 20) es la corriente de saturación inversa (en el orden de 10−15 a 10−12 amperios) es el voltaje térmico es la tensión base-emisor. En una configuración típica. una señal de corriente muy débil circula a través de la unión base-emisor para controlar la corriente entre emisorcolector. .998) es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10−15 a 10−12 amperios) es el voltaje térmico (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K). La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor. Modelo en pequeña señal Parámetros h (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K). En el transistor de unión bipolar una pequeña variación de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor.0. es la corriente de emisor. es la tensión base-colector. Estas ecuaciones están basadas en el modelo de transporte de un transistor de unión bipolar. es la ganancia de corriente directa en configuración base común. β o hFE. es la corriente de base. debido a que el valor de αT es muy cercano a 1.Dónde: es la corriente de emisor. W es el ancho de la base. es la tensión base emisor. es la corriente de colector.

. También debe notarse que el modelo de parámetro h es sólo aplicable al análisis de señales débiles de bajas frecuencias. hrx = hre .La impedancia de salida del transistor. Otro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parámetro h. Para análisis de señales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias. BC y CC respectivamente. Este término es usualmente especificado como una admitancia. un aproximado del modelo de parámetro h es comúnmente utilizado ya que simplifica el análisis del circuito. y puede ser usado para desarrollar modelos más exactos. Reemplazar x con e. Para condiciones de corriente continua estos subíndices son expresados en mayúsculas.Modelo de parámetro h generalizado para un BJT NPN.La ganancia de corriente del transistor. debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de VCE. Como se ve. respectivamente). Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unión bipolar y permite un fácil análisis del comportamiento del circuito. Para el modo emisor-común los varios símbolos de la imagen toman los valores específicos de: x = 'e' debido a que es una configuración emisor común. Terminal 1 = Base Terminal 2 = Colector Terminal 3 = Emisor iin = Corriente de Base (ib) io = Corriente de Colector (ic) Vin = Tensión Base-Emisor (VBE) Vo = Tensión Colector-Emisor (VCE) Y los parámetros h están dados por: hix = hie . Por esto los parámetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero. hox = hoe . el término "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. los parámetros h tienen subíndices en minúscula y por ende representan que las condiciones de análisis del circuito son con corrientes alternas. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se considera cero).La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re). Como se muestra. Para la topología emisor común. Este parámetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (βDC) in en las hojas de datos. b o c para las topologías EC. hfx = hfe .

You're Reading a Free Preview

Descarga
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->