Está en la página 1de 17

Diseo de Amplificador de RF con Genesys

Electrnica Analgica III FCEFyN - UNC

Diseo de Amplificador de RF para Baja Seal


Seleccin del Transistor Seleccin del Condiciones de Trabajo Clculo del Coeficiente de Estabilidad Clculo de Mxima Ganancia Clculo de Crculos de Estabilidad Clculo de Coeficientes de Reflexin de Entrada y Salida Clculo de Impedancias de Entrada y Salida Implementacin con Microtiras: Adaptacin mediante Transformador de /4

Seleccin del Transistor

Seleccin del Transistor

Seleccin del Condiciones de Trabajo


Frecuencia de Trabajo: 1500MHz Polarizacin: Vce=3V, Ic=50mA
Infineon Technologies Discrete & RF Semiconductors BFP450

Vce = 3.0 V, Ic = 50 mA Common Emitter S-Parameters: # GHz S MA R 50 f S11 S21 GHz MAG ANG MAG ANG 1.500 0.7300 161.9 4.924 64.2

Sep 2010

S12 S22 MAG ANG MAG ANG 0.0572 52.1 0.4858 173.9

Clculo del Coeficiente de Estabilidad de Rollett


Coeficiente de Estabilidad de Rollett:

Para las condiciones de trabajo propuestas:

Amplificador Incondicionalmente Estable

Ganancia de Transductor y Ganancia de Transductor Unilateralizada


Ganancia de Transductor

Ganancia de Transductor Unilateralizada Mxima


Ganancia Unilateralizada Mxima

Clculo de los Crculos de Estabilidad


Circulo de Estabilidad de Salida :

10

Clculo de los Crculos de Estabilidad


Circulo de Estabilidad de Entrada

11

Clculo de Coeficientes de Reflexin de Salida

12

Clculo de Coeficientes de Reflexin de Entrada

13

Clculo de Impedancia de Entrada y Salida


Impedancia de entrada

Impedancia de salida

14

Implementacin con Microtiras


Ecuaciones de Diseo de Microtiras

15

Implementacin con Microtiras


Longitud de onda en una microtira

16

Adaptacin mediante Transformador de /4


Red de Adap. de entrada Red de Adap. de Salida

17

Introduccin a Genesys