Universidad Politcnica de Guanajuato Examen Segundo Parcial de Ingeniera de los materiales Mayo-Agosto 2010 Prof. M. C.

Maribel Maldonado Garca Grupo Nombre del alumno: 1.- Indica el tipo de semiconductor de acuerdo a las caracteristicas siguientes: Tiene el mismo nmero de electrones y de huecos No tienen carga neta Estn cargados negativamente Estn dopados con elementos trivalentes Estn dopados con elementos pentavalentes Son implementados en diodos Son implementados en transistores I. A que tipo de material se refieren las siguientes relaciones de esfuerzo-deformacion

III. Relaciona ambas columnas y coloca la letra en donde se describa mejor la definicin.
(a) Adicin de cantidades controladas de impurezas para incrementar el nmero de portadores de carga en un semiconductor (b) Nveles de energa sin ocupar en la banda de valencia. (c) Nveles de energa ocupados por electrones en sus estados energticos ms bajos (d) Cantidad de energa entre la parte superior de la banda de valencia y la inferior de la banda de conduccin, que debe obtener un portador de carga antes de que pueda transferirla (e) Facilidad con la cual un portador de carga se mueve a travs de un material (f) Condiciones de temperatura y presin a las que pueden coexistir en equilibrio las tres fases de una sustancia pura: slida, lquida y gaseosa (g) Estos datos experimentales permiten la construccin de los diagramas de fase (h) Son lneas horizontales (isotermas) en las que tienen lugar transformaciones eutcticas y eutectoides, respectivamente (i ) Se caracteriza por el nmero de fases, su proporcin y distribucin dentro de sistemas. (j) Es utilizada para determinar las propiedades de las fases en equilibrio en un campo de dos fases (k) Distancia del centro de una laminilla de al centro de la siguiente laminilla de .un espaciamiento interlaminar pequeo indica que el area de interfase - es grande incrementando la. (l) proceso metalrgico que ocurre durante el enfriamiento de aleaciones con determinada concentracin de los aleantes. (m) indica las temperaturas para las cuales una solucin slida ()de A y B deja de ser soluble para transformarse en ()+ sustancia pura (A B) en un sistema de fases binario isomorfo. ( ( ( ( ) Anlisis trmico diferencial (ATD) ) Microestructura ) Banda de valencia ) Reaccin eutectoide

( ( ( ( ( ( (

) brecha de energa ) Regla de la palanca ) movilidad ) Resistencia del eutctico ) huecos ) Lnea de solvus ) Punto triple

( (

) dopado ) Lnea eutctica y eutectoide