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Circuitos Con Transistores

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TRANSISTORES

El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues inició una auténtica revolución en la electrónica que ha superado cualquier previsión inicial. Con el transistor vino la miniaturización de los componentes y se llegó al descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milímetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales. Por otra parte, la sustitución en los montajes electrónicos de las clásicas y antiguas válvulas de vacío por los transistores, reduce al máximo las pérdidas de calor de los equipos. Un transistor es un componente que tiene, básicamente, dos funciones: Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de mando. Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de señales.

¿Cómo es físicamente un transistor? Hay dos tipos básicos de transistor: a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o unipolar A) Transistor bipolar Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre sí. Según como se coloquen los cristales hay dos tipos básicos de transistores bipolares. Transistor NPN: en este caso un cristal P está situado entre dos cristales N. Son los más comunes. Transistor PNP: en este caso un cristal N está situado entre dos cristales P

La capa de en medio es mucho más estrecha que las otras dos. En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metálico, lo que da origen a tres terminales: • • Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga. Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.

Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor. Es el cristal de en medio. El conjunto se protege con una funda de plástico o metal. Nos centraremos en el transistor NPN: B) Polarización del transistor Se entiende por polarización del transistor las conexiones adecuadas que hay que realizar con corriente continua para que pueda funcionar correctamente. Si se conectan dos baterías al transistor como se ve en la figura, es decir, con la unión PN de la base-emisor polarizada directamente y la unión PN de la base-colector polarizado inversamente. Siempre que la tensión de la baseemisor supere 0,7 V, diremos que el transistor está polarizado, es decir, que funciona correctamente.

Este montaje se llama con emisor común. En este caso, el hecho de que el transistor esté en funcionamiento significa que es capaz de conducir la corriente desde el terminal colector hasta el terminal emisor. Se cumplen dos expresiones para este caso: La primera…

IE= IB + IC
Donde… IE es la corriente que recorre el terminal emisor. IC es la corriente que recorre el terminal colector. IB es la corriente que recorre el terminal base. Como la corriente de base resulta siempre MUY PEQUEÑA, se puede decir que la corriente del colector y la del emisor prácticamente coinciden.

IE ≈ IC
La segunda expresión dice

IC= β·IB
Donde β es una constante que depende de cada transistor llamado ganancia que puede valer entre 50 y 300 (algunos transistores llegan a 1000). La ganancia de un transistor nos habla de la capacidad que tiene para amplificar la corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un transistor, más puede amplificar la corriente. Se concluye que la corriente por el colector de un transistor bipolar es proporcional a la corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base, mayor corriente en el colector. En la práctica no se utilizan dos baterías, sino una sola.

Según estas dos expresiones el transistor bipolar puede tener tres estados distintos de funcionamiento: a) Corte: En este caso la corriente de base es nula (o casi), es decir, IB

= 0,

por lo tanto, IC= β·IB= β·0 = 0  IC= 0 En este caso, el transistor no conduce en absoluto. No está funcionando. Se dice que el transistor se comporta como un interruptor abierto.

b) Activa: En este caso el transistor conduce parcialmente siguiendo la segunda expresión (IC= β·IB). La corriente del colector es directamente proporcional a la corriente de la base. Ejemplo: Si β = 100, la corriente del colector es 100 veces la corriente de la base. Por eso se dice que el transistor amplifica la corriente. c) Saturación: En este caso, el transistor conduce totalmente y se comporta como un interruptor cerrado. Este estado se alcanza cuando la corriente por la base (IB) alcanza un valor alto. En este caso la expresión (IC= β·IB) ya no tiene sentido pues, por mucho que aumente el valor de la corriente de base (IB), no aumenta el valor de la corriente de colector. Veamos un cuadro resumen con las tensiones de trabajo en los diferentes estados de funcionamiento, así como las corrientes de un transistor conectado a una pila cuya tensión es V

Estados de funcionamiento de un transistor

Corte VCE IC IB
en cualquier caso B

Activa 0< VCE < V IC= β·IB IE ≈ IC

Saturación VCE ≈ 0 IE ≈ IC

VCE = V IC≈ IE = 0 I

siempre es una corriente pequeña, es decir, B

I << IC

IB≈0

IB>0

IB con máximo valor

Conducción del transistor

No conduce (se comporta como un interruptor abierto)

Conduce parcialmente

Conduce totalmente (se comporta como un interruptor cerrado)

Donde VCE es la tensión que existe entre el colector y el emisor. Si la corriente de base es muy alta, el transistor puede estropearse, por eso, la base del transistor debe protegerse SIEMPRE con una resistencia de una valor alto.

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UNIVERSIDAD VERACRUZANA
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA ELÉCTRICA

ELECTRÓNICA DIODOS

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DIODOS SEMICONDUCTORES.
En los años que siguieron a la introducción del transistor semiconductor en los años cuarenta, se ha atestiguado un cambio sumamente drástico en la industria electrónica. La miniaturización que ha resultado, nos maravilla cuando consideramos sus límites. La miniaturización de los últimos añosa producido sistemas semiconductores tan pequeños que el propósito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que las puntas de conexión permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los límites de la miniaturización: la calidad del propio semiconductor, la técnica de diseño de la red y los límites del equipo de manufactura y procesamiento. Un diodo es un componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. El más sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se creó en los primeros días de la radio. Los diodos de unión constan de una unión de dos tipos diferentes de material semiconductor. DIODOS.

Vemos los dos tipos de diodos, en el dibujo que está al lado vemos la orientación del diodo con su nombre, en la misma posición que en la fotografía. Observar que la barrera de paso se pinta en el diodo con una línea en el extremo correspondiente y en todo el perímetro. FOTODIODOS Los fotodiodos se hacen trabajar con una tensión inicial en sentido de bloqueo. Sin dicha tensión inicial trabajan, el sentido de paso, como fotoelementos (son bipolos que al ser iluminados engendran tensión). La corriente en la oscuridad es reducida. Con resistencias de trabajo de elevado valor ohmico pueden engendrarse variaciones de tensión que alcanzan casi la plena tensión de servicio. DIODO DE USO COMUN El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que están en, o cerca de, la región de "unión", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la región cercana a la unión. Esta región de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Región de Agotamiento por la ausencia de portadores.

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Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo: - No hay polarización (Vd = 0 V). - Polarización directa (Vd > 0 V). - Polarización inversa (Vd < 0 V). Vd = 0 V. En condiciones sin polarización, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la región de agotamiento pasarán directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier dirección es cero para un diodo semiconductor.

La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la región de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD ³ 0.7 V para diodos de Silicio. Id = I mayoritarios - Is

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Condición de Polarización Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condición el número de iones positivos descubiertos en la región de agotamiento del material tipo N aumentará debido al mayor número de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El número de iones negativos descubiertos en el material tipo P también aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparán los huecos. El fenómeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocará que la región de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrán superar, esto significa que la corriente Id del diodo será cero. Sin embargo, el número de portadores minoritarios que estarán entrando a la región de agotamiento no cambiará, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarización inversa se denomina corriente de saturación inversa: Is. El término "saturación" proviene del hecho que alcanza su máximo nivel (se satura) en forma rápida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarización inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.

El máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse antes de entrar en la región Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal. Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente más altos e intervalos de temperatura más amplios que los diodos de germanio. En general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: en la zona directa se puede considerar como un generador de tensión continua, tensión de codo (0.50.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensión inversa de disyunción (zona Inversa) se produce un aumento drástico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, protección contra cortocircuitos, de moduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc. Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de características suministradas por el fabricante):

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1. La tensión inversa máxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR máx. o VR máx., respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la máxima que este va a soportar. 2. La corriente máxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM máx. e IF máx. respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la máxima que este va a soportar. 3. La potencia máxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la máxima que este va a soportar. En la siguiente figura podemos observar la representación gráfica o símbolo para este tipo de diodo.

Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o región de operación. Si consideramos la región definida por la dirección de I d y la polaridad de Vd, encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

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Donde Vf es el voltaje de polarización directo a través del diodo e I F es la corriente en sentido directo a través del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para la región de conducción. Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la región en la que no hay conducción. DIODOS PIN El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada, separadas por una región de material que es casi intrínseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Además, las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. En virtud de las características del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propósitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. También se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, está esta formada por difusión de átomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada está formada difundiendo grandes cantidades de fósforo. La región intrínseca i es realmente una región P de alta resistividad y se suele denominar región . Cuando el circuito está abierto, los electrones fluyen desde la región i() hasta la región P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la región i para recombinarse con los electrones de la región N. Si el material i() fuese verdaderamente intrínseco, la caída de tensión en la región i sería nula, puesto que la emigración de huecos sería igual a la emigración de electrones. Si embargo, como el material es en verdad  (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones. Cuando se aplica una polarización inversa al diodo los electrones y los huecos del material  son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensión inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la región de transición L es aproximadamente igual a la región i y aproximadamente independiente de la tensión inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarización. Una variación típica de la capacidad podría ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variación de la polarización inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la región i, la longitud de la región de transición es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que

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el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varían desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles. Cuando el diodo está polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la región , creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la región i. En la condición de polarización directa la caída de tensión en la región i es muy pequeña. Además, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, también disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una primera aproximación, la resistencia rd en pequeña señal es inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarización directa, lo mismo que en el diodo PN. En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita, mientras que en polarización inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parásita paralelo que se produce soldando el diodo a la cápsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexión desde el diodo hasta la cápsula. EMISORES INFRARROJOS. Los diodos emisores infrarrojos son dispositivos de estado sólido de arseniuro de galio que emiten un haz de luz de flujo radiante cuando se polarizan directamente. Cuando la unión se polariza en forma directa, los electrones de la región N se recombinarán con los huecos en exceso de la región tipo P en una región de recombinado diseñada especialmente emparedada entre los materiales tipo P y tipo N. Durante este proceso de recombinación se radía energía alejándose de la fuente en forma de fotones. Los fotones que se generan serán reabsorbidos en la estructura o abandonarán la superficie del dispositivo como energía radiante. EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED) La optoelectrónica es la tecnología que combina la óptica con la electrónica. Este emocionante campo incluye muchos dispositivos basados en la acción de una unión pn. Ejemplos de estos dispositivos son los diodos emisores de luz (LED), los fotodiodos, los optoacopladores. El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado. El voltaje de polarización de un LED varía desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA. Su uso es frecuente como luces “piloto” en aparatos electrónicos para indicar si el circuito está cerrado. Los elementos componentes son transparentes o coloreados, de un material resina-epoxi, con la forma adecuada e incluye el corazón de un LED: el chip semiconductor. Los terminales se extienden por debajo de la cápsula del LED o foco e indican cómo deben ser conectados al circuito. El lado negativo está indicado de dos formas: 1) por la cara

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plana del foco o, 2) por el de menor longitud. El terminal negativo debe ser conectado al terminal negativo de un circuito.

Los LEDs operan con un voltaje relativamente bajo, entre 1 y 4 volts, y la corriente está en un rango entre 10 y 40 mili amperes. Voltajes y corrientes superiores a los indicados pueden derretir el chip del LED. La parte más importante del “light emitting diode” (LED) es el chip semiconductor localizado en el centro del foco, como se ve en la figura. El chip tiene dos regiones separadas por una juntura. La región p está dominada por las cargas positivas, y la n por las negativas. La juntura actúa como una barrera al paso de los electrones entre la región p y la n; sólo cuando se aplica el voltaje suficiente al chip puede pasar la corriente y entonces los electrones pueden cruzar la juntura hacia la región p. Si la diferencia de potencial entre los terminales del LED no es suficiente, la juntura presenta una barrera eléctrica al flujo de electrones. ¿Qué causa la emisión de luz de un LED y qué determina el color de la luz? En la siguiente figura se ve una fuente conectada a un resistor y un LED. Las flechas que salen simbolizan la luz radiada. En un LED con polarización directa, los electrones libres atraviesan la unión y caen en los huecos. Como caen de niveles energéticos altos a niveles energéticos bajos, radian energía. En los diodos ordinarios, esta energía se disipa en forma de calor, pero en un LED la energía se disipa en forma de luz. Los LED han sustituido a las lámparas incandescentes en muchas aplicaciones por su bajo voltaje, larga vida y su gran rapidez para activar y desconectar. Rs

Rs FUENTE DE PODER + Vs + Vd

+ Vs -

+ Vd -

-

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Los diodos ordinarios están hechos de silicio, un material opaco que obstruye el paso de la luz. Los LED son diferentes. Empleando elementos tales como el galio, arsénico y fósforo, un fabricante puede producir LED que radien luz roja, verde, amarilla, azul, naranja, o infrarroja (invisible). Los LED que producen radiación visible son útiles en los instrumentos, las calculadoras, etc. Los LED de luz infrarroja tiene aplicaciones en sistemas de alarma antirrobo y otras áreas en las que se requiera luz invisible. Cuando se aplica una tensión al chip del LED los electrones pueden moverse fácilmente sólo en una dirección a través la juntura entre p y n. En la región p hay muchas cargas positivas y pocas negativas. En cambio en la región n hay más cargas negativas que positivas. Cuando se aplica tensión y la corriente empieza a fluir, los electrones en la región n tienen suficiente energía para cruzar la juntura hacia la región p. Una vez en ésta, los electrones son inmediatamente atraídos hacia las cargas positivas, de acuerdo a la ley de Coulomb, que dice que fuerzas opuestas se atraen. Cuando un electrón se mueve lo suficientemente cerca de una carga positiva en la región p, las dos cargas se recombinan. Cada vez que un electrón se recombina con una carga eléctrica positiva, energía eléctrica potencial es convertida en energía electromagnética. Por cada una de estas recombinaciones un quantum de energía electromagnética es emitido en forma de fotón de luz con una frecuencia que depende del material semiconductor. Los fotones son emitidos en un rango de frecuencia muy estrecho que depende del material del chip; el color de la luz difiere según los materiales semiconductores y requieren diferentes tensión para encenderlos. VOLTAJE DE CORRIENTE EN UN LED. El resistor de la figura anterior, es el resistor limitador de corriente usual que evita que la corriente exceda la especificación de corriente máxima del diodo. Como el resistor tiene un voltaje de nodo de Vs a la izquierda y un voltaje de nodo Vd a la derecha, el voltaje en el resistor es la diferencia entre estos dos voltajes. Por ley de Ohm, la corriente en serie es

Is = Vs - Vd Rs En la mayor parte de los LED disponibles comercialmente, la caída de voltaje típica es de 1.5 a 2.5 V para corrientes que fluctúan entre 10 y 50 mA. El valor exacto de la caída de voltaje depende de la corriente del LED, el color, la tolerancia, etc. A menos que se diga otra cosa, supondremos una caída nominal de 2 V para la detección de fallas o el análisis de circuitos con LED. Pantalla de siete segmentos. En la figura 1-a se muestra una pantalla de siete segmentos. Contiene siete LED rectangulares (A a G). Cada LED recibe el nombre de segmento por que forma parte del carácter (símbolo) que se esté mostrando. La figura 1-b es un diagrama de la pantalla de siete segmentos. Se incluyen resistores externos en serie para limitar la corriente a niveles de seguridad. Aterrizando uno o mas segmentos, puede formarse cualquier dígito del 0 al 9. Por ejemplo aterrizando A,B,C se obtiene un 7. Aterrizando A,B,C,D y G se obtiene un 3. Con una pantalla de siete segmentos se puede formar también las letras A,C,E y F y las letras minúsculas b y d. Los entrenadores de

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microprocesador usan a menudo pantallas de siete segmentos para exhibir todos los dígitos del 0 al 9, más A, b, C, d, E y F. + A F G E C A D 1-A 1-B B C D E F G B

El indicador de 7 segmentos de la figura 1-B se conoce como tipo ánodo común por que todos los nodos están conectados entre si. También existe el tipo de cátodo en que todos los cátodos están conectados entre si. ¿Cuánta energía libera un LED? La energía eléctrica es proporcional a la tensión que se necesita para hacer que los electrones fluyan a través de la juntura p-n. Son predominantemente de un solo color de luz. La energía (E) de la luz emitida por un LED está relacionada con la carga eléctrica (q) de un electrón, y el voltaje (v) requerido para encenderlo se obtiene mediante la expresión E= q x V . Esta expresión dice simplemente que el voltaje es proporcional al la energía eléctrica y es una regla general que se aplica a cualquier circuito, como el LED. La constante q es la carga eléctrica de un solo electrón: - 1,6 x 10 exp –19 Coulomb. ENCONTRANDO LA ENERGÍA DESDE LA TENSIÓN Supongamos que se ha medido el voltaje a través de los terminales del LED, y Ud. desea averiguar la energía necesaria para prender al LED. Supongamos que tiene un LED rojo y que la tensión entre los terminales es de 1,71 volts; la energía requerida para prender el LED es E= q x V ó E= -1,6 x 10 exp –19. 1,71 Joule, dado que Coulomb / Volt es un Joule. La multiplicación de estos números nos dan E= 2,74 x 10 exp –19 Joule. ENCONTRANDO LA FRECUENCIA DESDE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ La frecuencia de la luz está relacionada con la longitud de onda de luz de una manera muy simple. El espectrómetro puede ser usado para examinar la luz de un LED, y para estimar el pico de la longitud de onda emitido por el LED. Pero preferimos tener la frecuencia de la intensidad pico de la luz emitida por el LED. La longitud de la onda está relacionada con la frecuencia de la luz por la fórmula F = c / v , donde c el la velocidad de la luz y v es la longitud de onda de la luz leída desde el espectrómetro (en unidades de nanómetros, es decir, la millonésima parte de un milímetro).

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Supongamos que observó un LED rojo con el espectrómetro y vio que el LED emite un rango en colores con un máximo de intensidad de acuerdo con la longitud de onda leída en el espectrómetro de = 660 nm

La frecuencia correspondiente a la emisión del LED rojo es de 4,55 x 10 exp 14 Hertz. La unidad de un ciclo de una onda en un segundo (ciclos por segundo) es un Hertz. Información básica sobre los LED La mayoría de las características de los LED s están especificada para una corriente de 20 mA, si uno no está seguro de obtener 20 mA en la función de la conductividad del calor en la plaqueta más el calor del LED, variaciones de calor y corriente, conviene diseñar todo para 15 mA. - Cómo lograr 15 mA a través del LED: Primero se necesita saber la caída de tensión en el LED. Se puede asumir con suficiente seguridad 1,7 V para rojo no muy brillante, 1,9 V para alto brillo, alta eficiencia y rojo de baja corriente, y 2V para naranja y amarillo; 2,1 V para verde, 3,4 V para blanco brillante, verde brillante sin amarillo y la mayoría de los azules, 4,6 V para azul brillante de 430 nm. En general se diseña para 12 mA para los tipos de 3,4 V y 10 mA para el azul de 430 nm. Se puede diseñar una fuente que entregue mayor corriente si se está seguro de una excelente disipación de calor en el conjunto. En este caso asigne 25 mA a los LED de cerca de 2V, 18 mA para los de 3,4 V y 15 mA para el azul de 430 nm. En condiciones óptimas de disipación de calor se puede hacer circular una corriente mayor pero la vida útil del LED se reducirá al 50% del normal: 20.000 a 100.000 horas. En cuanto al voltaje debe estar algo por arriba de lo asignado para los LED s. Use por lo menos 3 V para los de bajo voltaje, 4,5 V para los de 3,4 V y 6 V para el azul de 430 nm. El próximo paso es restar el voltaje de los LED s de la fuente; esto le da la caída de voltaje que se logra mediante una resistencia. Ej.: 3, 4 V del LED con una fuente de 6 V. haciendo la resta da 2,6 V de caída que debe ser producida por la resistencia. El próximo paso consiste en dividir la caída de voltaje por la corriente del LED, obteniéndose así el valor de la resistencia; al dividir V / A se obtiene un valor de resistencia en ohms. Si se divide V / mA la resistencia se obtiene en K ohms.

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Otro paso a seguir es determinar la potencia de la resistencia. Multiplique la caída de voltaje por la corriente del LED para obtener la potencia de la resistencia. No ponga los LED s en paralelo entre sí; si bien esto funciona no es confiable porque los LED s se vuelven más conductores a medida que aumenta su temperatura, con lo que se vuelve inestable la distribución de la corriente. Cada LED debe tener su propia resistencia. RESUMIENDO: la tensión de arranque de un LED depende del color que deban emitir, teniendo en cuenta los materiales de los que están hechos, que se eligen de acuerdo al color Información de otras fuentes: Son diodos y por lo tanto con polaridad:

Tenemos tres sistemas en los leds que nos indican la polaridad, una pata más corta que otra, dentro de la cápsula distinta longitud de espadín, y la más efectiva, donde va la barrera de paso está plano el encapsulado. En la foto vemos a la izquierda un led rojo y otro verde debajo, además vemos dos soportes para ponerlos en la placa de control, el primero es el más complicado, se ponen primero el led en la zona plástica blanca antes de soldarlo, la zona metálica se fija al tablero de mandos, y después, se incrusta el conjunto led+plástico al soporte metálico. El segundo soporte (el negro) es una simple pieza de plástico como las usadas en las bases aislantes de los 2N3055, que se pone en un agujero del tablero de mandos desde arriba, incrustándose el led desde abajo del tablero en dicha pieza. Principio de Funcionamiento: En cualquier unión P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unión, ocurre una recombinación de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinación requiere que la energía que posee un electrón libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energía se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razón se utiliza otro tipo de

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materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).

Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, ámbar, azul y algunos otros. Hay que tener en cuenta que las características obtenidas de las hojas de especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el mismo lote. También hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100W puede ser realmente de 98W o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V. De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento análogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensión de codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Según el material y la tecnología de fabricación estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED. Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de señalización, instrumentación, optoaclopadores, etc. Resulta difícil distinguir, por pura inspección visual, el modelo del LED así como el fabricante: los valores máximos de tensión y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante serán por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA,

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precaución de carácter general que resulta muy válida. En la figura siguiente se muestra el símbolo electrónico de este tipo de diodo.

El diodo LED puede ser tratado de manera análoga a un diodo normal. sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no están fabricados de silicio monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensión de polarización directa Vd depende del material con el que esté fabricado el diodo. El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende únicamente del material y del proceso de fabricación principalmente de los dopados. En la tabla que a continuación se presenta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos:

Material AsGa InGaAsP AsGaAl AsGaP InGaAlP CSi

Longitud de Onda 904 nm 1300 nm 750-850 nm 590 nm 560 nm 480 nm

Color IR IR Rojo Amarillo Verde Azul

Vd Típica 1V 1V 1,5 V 1,6 V 2,7 V 3V

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DIODO ZENER La corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a la de un diodo polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseñado para trabajar en la región Zener.

De acuerdo con la definición, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseñado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a él mismo). Es importante mencionar que la región Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el número de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener Vz. Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.

En el circuito que se muestra en la figura anterior, se desea proteger la carga contra sobre voltajes, el máximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activará cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegiéndola de esta manera. De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: en la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensión continua (tensión de codo). En la zona de disrupción, entre la tensión de codo y la tensión Zener (Vz nom.) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupción se puede considerar como un generador de tensión de valor Vf= -Vz.

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El Zener se usa principalmente en la estabilidad de tensión trabajando en la zona de disrupción.

Podemos distinguir: 1. Vz nom,Vz: Tensión nominal del Zener (tensión en cuyo entorno trabaja adecuadamente el Zener). 2. Iz min: Mínima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupción (Vz min). 3. Iz máx.: Máxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz máx.). 4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz máx. En la gráfica siguiente se puede observar la curva característica de este tipo de diodo.

Cuando usamos un diodo Zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de características suministradas por el fabricante): 1. Para un correcto funcionamiento, por el Zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. 2. La corriente máxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz máx. 3. La potencia nominal Pz que puede disipar el Zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la máxima que este va a soportar en el circuito. DIODOS DE CORRIENTE CONSTANTE. Estos son diodos que funcionan en forma exactamente opuesta a los diodos Zener. En vez de mantener constante el voltaje, estos diodos mantienen constante la corriente. Conocidos como diodos de corriente constante (y también como diodos reguladores de corriente), estos dispositivos mantienen la corriente que circula a través de ellos en un valor fijo, aún

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cuando varíe el voltaje aplicado. Por ejemplo, el 1N5305 es un diodo de corriente constante con una corriente típica de 2 mA en un intervalo de voltaje de 2 a 100 V. DIODOS DE RECUPERACION EN ESCALON. El diodo de recuperación en escalón tiene un perfil de impurificación no usual ya que la densidad de portadores disminuye cerca de la unión. Esta distribución poco común de portadores es el origen de un fenómeno llamado desplome de reversa. Durante el semiciclo positivo, el diodo conduce igual que un diodo de silicio. Pero durante el semiciclo negativo, la corriente inversa existe sólo durante un tiempo muy corto, desplomándose repentinamente a cero. La corriente de desplome de un diodo de recuperación en escalón es rica en armónicos y se puede filtrar para producir una onda sinusoidal de frecuencia más alta. Debido a esto, los diodos de recuperación en escalón son útiles en multiplicadores de frecuencia, circuitos cuya frecuencia de salida es un múltiplo de la frecuencia de entrada.

DIODOS INVERTIDOS.

Los diodos Zener normalmente tienen voltajes de rompimiento mayores que 2 V. Incrementando el nivel de impurificación, puede lograrse que el efecto Zener ocurra próximo al voltaje cero. La conducción en polarización directa aún ocurre aproximadamente a los 0.7 V, pero la conducción inversa (rompimiento) comienza más o menos a los -0.1 V. Un diodo como éste recibe el nombre de diodo invertido por que conduce mejor en la dirección inversa que en la directa. Los diodos invertidos se emplean ocasionalmente para rectificar señales débiles cuyas amplitudes pico se hallen entre 0.1 y 0.7 V.
DIODOS VARACTORES (VARICAP) El varactor (llamado también capacitancia de voltaje variable, varicap, epicap y diodo sintonizador) se usa mucho en receptores de televisión, receptores de FM, y demás equipo de comunicaciones. La idea básica es la siguiente. En la figura 1-D, la capa de empobrecimiento se halla entre la región p y la región n. Las regiones p y n son como las placas de un capacitor, y la capa de empobrecimiento es como el dieléctrico. Cuando un diodo se polariza inversamente, la anchura de la capa de empobrecimiento aumenta con el voltaje inverso. Como la capa de empobrecimiento se ensancha cuando el voltaje inverso aumenta, la capacitancia disminuye. Es como si las placas del capacitor se separasen. La idea es que la capacitancia está controlada por el voltaje. En la figura 1-E se muestra el circuito equivalente para un diodo con polarización inversa. A frecuencia más altas, el varactor actúa igual que una capacitancia variable. En la figura 1-F se ilustra la variación de la capacitancia con el voltaje inverso. Esta gráfica muestra que la capacitancia se hace más pequeña cuando el voltaje inverso se hace más grande. Lo realmente importante aquí es que el voltaje inverso controla la capacitancia. Esto es la puerta de entrada para el control remoto. En la figura 1-G se aprecia el símbolo para un varactor. ¿Cómo se emplea este dispositivo? Puede conectarse un varactor en paralelo con un inductor para obtener un circuito resonante. Entonces se puede cambiar el voltaje inverso para cambiar la frecuencia

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resonante. Este es el principio de la sintonización de una estación de radio, un canal de TV, etc. p ++ ++ ++ ++ n ---------

+ + + +

Cr

Capa de empobrecimiento 1-D

1-E

Cr

V 1-G Características del varactor: 1-F

Son diodos de Silicio diseñados para aprovechar su capacitancia variable. Como la capacitancia está controlada por el voltaje, los varactores han sustituido a los capacitores sintonizadores mecánicamente en muchas aplicaciones, tales como en los receptores de televisión y en los radios para automóvil. En las hojas de datos para los varactores se lista un valor de referencia de capacitancia medido a un voltaje inverso específico típicamente -4V. Por ejemplo, la hoja de datos de un 1N5142 indica una capacitancia de referencia de 15pF a -4V. Además del valor de referencia de la capacitancia, las hojas de datos indican un intervalo de sintonización y un intervalo de voltaje. Por ejemplo, junto con el valor de referencia de 15 pF, la hoja de datos de un 1N5142 indica un intervalo de sintonía de 3:1 para un intervalo de voltaje de -4 a -60 V. Esto significa que la capacitancia disminuye de 15 a 5 pF si el voltaje fluctúa entre -4 y -60 V. El intervalo de sintonía de un varactor depende del nivel de impurificación. Por ejemplo la figura 1- H muestra el perfil de impurificación para un diodo de unión abrupta (el tipo ordinario de diodos). Obsérvese que la impurificación es uniforme en ambos lados de la unión; esto significa que el número de huecos y de electrones libres está igualmente distribuido. El intervalo de sintonía de un diodo de unión abrupta oscila entre 3:1 y 4:1.

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Nivel de impurificación.

n

p

Distancia a partir de la unión.

1-H Para obtener intervalos de sintonía más extensos, algunos varactores tienen una unión hiperabrupta, cuyo perfil de impurificación es como el que se ve en la figura 1 - I. El perfil indica que la densidad de carga aumenta conforme nos acercamos a la unión. Esta mayor concentración lleva a una capa de empobrecimiento más angosta y una mayor capacitancia. Además, los cambios en el voltaje inverso tienen efectos más pronunciados sobre la capacitancia. Un varactor hiperabrupto tiene un intervalo de sintonía de aproximadamente 10:1, suficiente para sintonizar todo el intervalo de frecuencia de radio AM (de 535 a 1 605 kHz).

Nivel de impurificación

n

p

Distancia a partir de la unión.

1- I Los diodos varactores [llamados también varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el elemento está polarizado inversamente. En condiciones de polarización inversa, se estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante: CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el área de la unión PN y Wd el ancho de la región de agotamiento. Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para diodos

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varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n donde: K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción. VT = potencial en la curva según se definió en la sección VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado n = 1/2 para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión

En la gráfica, se observa la variación de la capacitancia con respecto al voltaje.

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En la gráfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado también como generador armónico. Las consideraciones importantes del varactor son: a) Valor de la capacitancia. b) Voltaje. c) Variación en capacitancia con voltaje. d) Voltaje de funcionamiento máximo. e) Corriente de la salida.

DIODO LASER Los diodos láser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las características de un diodo láser son: 1. La emisión de luz es dirigida en una sola dirección: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo láser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola dirección.

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Corte esquemático de la emisión de luz en diodos LED y láser

Intensidad de luz en función de la longitud de onda para diodos LED y láser Debido a estas dos propiedades, con el láser se pueden conseguir rayos de luz monocromática dirigidos en una dirección determinada. Como además también puede controlarse la potencia emitida, el láser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energía con precisión. Ejemplo de aplicación: El lector de discos compactos: Una de las muchas aplicaciones de los diodos láser es la de lectura de información digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproducción de discos compactos musicales. El principio de operación de uno y otro es idéntico.

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Esquema del funcionamiento del CD-ROM Un haz láser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prácticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz láser en una zona reflectante, la luz será guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. Los ingredientes básicos de la emisión láser en los diodos son el mecanismo de bombeo y la cavidad óptica. En un láser semiconductor, la ganancia es aportada por una corriente de inyección. De esta manera, los pares electrón-agujero dan la inversión de población necesaria para la emisión láser. La recombinación estimulada lleva a la amplificación de la luz, generando fotones con la misma dirección de propagación, polarización, frecuencia y fase que el fotón que ha inducido la recombinación. Los pares electrón-hueco deben estar confinados en una zona estrecha para mantener la inversión de población a un nivel elevado. Si no es así, hay que suministrar inyecciones de corriente demasiado grandes al diodo para obtener emisión láser. Por simplicidad, los pares electrón-agujero se llaman portadores, y la vida media de los portadores es el tiempo medio que tardan los portadores en recombinar.

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La sencilla unión p-n, resultado del crecimiento en el mismo sustrato, pero con diferentes niveles de dopaje, no es capaz de conseguir el confinamiento necesario, porque la anchura de la región en que los portadores están confinados aumenta debido a la difusión de los portadores. El problema de la difusión de los portadores puede resolverse parcialmente usando heterostructuras. Dos tipos diferentes de estructuras pueden analizarse dependiendo del mecanismo de confinamiento lateral de los portadores. En láseres semiconductores guiados por la ganancia, no se incorpora ningún confinamiento añadido, y el perfil de la ganancia viene determinado esencialmente por la región con corriente de inyección y efectos difusivos. En los láseres guiados por el índice, la región activa está rodeada lateralmente por material con un índice de refracción menor. En estos dispositivos, se consigue un nivel de confinamiento bastante elevado. Aparte de dar un buen confinamiento a los portadores, los láseres de doble heterostructura guiados por el índice también incorporan un confinamiento adecuado para la luz. El mecanismo de guiaje es debido a un mayor índice de refracción en la región activa que en el resto de capas que la rodean. De esta manera, la luz viaja hacia adelante y hacia atrás como lo haría en el interior de una fibra óptica. Una cavidad óptica adecuada es necesaria para conseguir la emisión láser. Sólo el proceso de amplificación tiene sentido, y se emite luz coherente, cuando la vida media de los fotones es suficientemente grande. En otros tipos de láser, la cavidad está limitada por dos espejos con curvaturas que dependen de la distancia entre ellos y de la geometría del medio activo. Mientras uno de los espejos puede diseñarse totalmente reflectante, el otro debe permitir que haya luz de salida.

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Los láseres de cavidad vertical (VCSELs) tienen una longitud de cavidad muy corta, y necesitan reflectividades del 99 %. El espejo normalmente está incorporado en la estructura láser a partir del mismo sustrato, y está formado de muchas capas alternadas de diferentes materiales. El reflector de Bragg que así resulta permite una característica casi plana de la reflectividad para un rango considerable de longitudes de onda. Láseres más convencionales (EELs) no necesitan espejos para operar. La longitud de su cavidad, de unas 300 micras, es suficientemente grande para permitir la emisión láser sin espejos adicionales. De hecho, la reflectividad en la separación láser-aire es cercana al 32 %. El valor grande del índice de refracción en la zona activa confina la luz a la región con ganancia material.

Los dos tipos de láseres semiconductores antes mencionados se llaman láseres de tipo Fabry-Pérot. Los láseres con feedback distribuido (DFB) incorporan un

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grating a la estructura que colabora en la selección de la longitud de onda de
emisión. EL DIODO TÚNEL En 1958, el físico japonés Esaki, descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminación del material básico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una característica tensión-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los físicos denominan efecto túnel, del que no nos ocuparemos aquí debido a su complejidad. Para las aplicaciones prácticas del diodo túnel, la parte mas interesante de su curva característica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensión aplicada corresponde una disminución de la corriente; en otros términos, la relación entre un incremento de la tensión y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. Así, por ejemplo, las pérdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numérico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo túnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Los ejemplo de circuito que se describen a continuación muestra como puede aprovecharse este fenómeno en la práctica. Aumentando el nivel de impurificación de un diodo invertido, se puede hacer que el rompimiento ocurra a los 0 V. Diodos como éstos reciben el nombre de diodos túnel. En este tipo de diodos se presenta un fenómeno conocido como resistencia negativa. Esto significa que un aumento en el voltaje de polarización directa produce una disminución de corriente, por lo menos en una parte de la curva de polarización directa. La resistencia negativa de los diodos túnel es útil en circuitos de alta frecuencia llamados osciladores. Estos circuitos pueden convertir potencia de c.d. en potencia c.a. ya que crean una señal sinusoidal. DISPLAY DE CRISTAL LIQUIDO (LCDS) Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la reflexión de la luz. El principio de funcionamiento es sencillo. Estos cristales líquidos están formados por unas moléculas alargadas con forma de puro, que se llaman moléculas nemáticas y se alinean con una estructura simétrica. En este estado el material es transparente. Un campo eléctrico provoca que las moléculas se desalinien de manera que se vuelven opacas a la luz. De esta manera, aplicando o no aplicando un campo eléctrico (es decir, polarizando o no polarizando), podemos jugar con oscuridad o transparencia respectivamente. Si aplicamos el campo localmente en geometrías iguales al display de 7 segmentos, conseguiremos un display análogo al de los LEDs pero con cristal líquido.

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Esquema constructivo de un LCD En la construcción de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior de los cristales, tal y como aparece en la figura superior. Estos electrodos tienen la geometría deseada, por ejemplo, el display de 7 segmentos. El espesor del cristal líquido es muy pequeño, del orden de 0.01mm. Ya tenemos nuestro invento preparado. Si no se polarizan los terminales, al incidir la luz sobre el cristal frontal, pasa a través del cristal líquido y es reflejada por el espejo incidiendo en el ojo que está mirando. El resultado: todo se ve de color claro. Si polarizamos un electrodo, por ejemplo, el electrodo a, el cristal líquido pegado al electrodo se vuelve opaco, negro, oscuro. La luz ya no es reflejada. Características eléctricas del LCD Desde el punto de vista eléctrico, se puede representar el LCD como una capacidad de valor muy pequeño en paralelo con una resistencia muy grande.

Figura 9: Circuito equivalente de un LCD.

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Se necesita una señal pequeña en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. Tensiones mayores romperían la fina capa de cristal líquido. La frecuencia de la tensión puede variar entre 30 y 50 Hz. Frecuencias más bajas producen un efecto de parpadeo, frecuencias más altas producen un aumento del consumo. DIODO DE CONTACTO PUNTUAL El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la punta de un alambre delgado. La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unión. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual conduce algo mas de corriente. Más aún, conforme el voltaje negativo aumenta, la corriente inversa tiende a aumentar mas bien que permanecer aproximadamente constante. La marca inflexión en la curva del diodo de unión en -Vno ocurre en los diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la dirección negativa. OPTOACOPLADORES Un optoacoplador (llamado también optoaislador acoplado combina un LED y un fotodiodo en un solo encapsulado. En la figura 1-C se muestra un optoacoplador. Tiene un LED en el lado de entrada y un fotodiodo en el lado de salida. El voltaje de fuente a la izquierda y el resistor en serie establecen una corriente en el LED. Luego la luz proveniente del LED incide sobre el fotodiodo, y esto genera una corriente inversa en el circuito de salida. Esta corriente inversa produce un voltaje en el resistor de salida. El voltaje de salida es igual al voltaje de salida de la fuente menos el voltaje en el resistor. Si el voltaje de entrada varia, la cantidad de luz también lo hará. Esto significa que el voltaje de salida cambia de acuerdo al voltaje de entrada. Es por esto que la combinación de un LED y un fotodiodo recibe el nombre de optoacoplador. El dispositivo puede acoplar una señal de entrada con el circuito de salida. R1 R2 +

+ V1

-

+ Vcn -

+ Vsal -

+

V2

-

1-C La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el único contacto que hay entre la entrada y la salida es un haz de luz. Por eso. es posible tener una resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden de miles de megaohms. Los aislamientos como éste son útiles en aplicaciones de alto voltaje en las que los potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de volts.

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Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un foto emisor, un fotorreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.

Funcionamiento del Optoacoplador La señal de entrada es aplicada al foto emisor y la salida es tomada del fotorreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.

Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores. Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guia-ondas de plástico o cristal hacia el fotorreceptor. La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensión eléctrica a su salida. Este responde a las señales de entrada, que podrían ser pulsos de tensión. Diferentes tipos de Optoacopladores

Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un

transistor BJT. Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac Fototriac de paso por cero: optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac sólo en los cruce por cero de la corriente alterna. DIODOS DE POTENCIA Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no

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pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde: VRRM: tensión inversa máxima VD: tensión de codo. A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:  Características estáticas: o o o  Parámetros en bloqueo (polarización inversa). Parámetros en conducción. Modelo estático.

Características dinámicas: o o o Tiempo de recuperación inverso (trr). Influencia del trr en la conmutación. Tiempo de recuperación directo.

Potencias: o o o o Potencia máxima disipable. Potencia media disipada. Potencia inversa de pico repetitivo. Potencia inversa de pico no repetitivo.

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  Características térmicas. Protección contra sobre intensidades.

Características estáticas

Parámetros en bloqueo 

Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el

dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. 

Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de
1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.

Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una
sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.

Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el
diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.

Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado
de bloqueo.

Parámetros en conducción 

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de
impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquélla que puede ser soportada cada 20 ms
, con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).

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Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad
aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.

Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra
en el estado de conducción.

Modelos estáticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del programa. Características dinámicas Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea

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IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo t a llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. 

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero
de la intensidad hasta llegar al pico negativo.

tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad
hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.

trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

  

Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de
la característica de recuperación inversa del diodo. di/dt: es el pico negativo de la intensidad. Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la gráfica podemos considerar Q rr por el área de un triángulo :

De donde :

Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos:   Para ta = tb trr = 2ta Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

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Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutación Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :   Se limita la frecuencia de funcionamiento. Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida. Factores de los que depende trr :   A mayor IRRM menor trr. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad almacenada, y por tanto mayor será trr.

Tiempo de recuperación directo

tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que

la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF. Este tiempo el de no suele potencia es bastante menor que recuperación inversa y producir pérdidas de apreciables.

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Disipación de potencia Potencia máxima disipable (Pmáx) Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo. Potencia media disipada (PAV) Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conducción, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresión el modelo estático, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado Nos queda finalmente :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media). Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM) Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM) Similar a la anterior, pero dada para un pulso único.

Características térmicas
Temperatura de la unión (Tjmáx) Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción.

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En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo. Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura. Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula: Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable. Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc). Protección contra sobreintensidades Principales causas de sobreintensidades La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentación de motores, carga de condensadores, utilización en régimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión, que es incapaz de evacuar las calorías generadas, pasando de forma casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica). Órganos de protección Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los casos. Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que están compuestos y tienen sus características indicadas en función de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensión. Parámetro I2t La I2t de un fusible es la característica de fusión del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que así será el fusible el que se destruya y no el diodo.

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EL FOTODIODO. Como ya se había dicho, una de las componentes de la corriente inversa en un diodo es el flujo de portadores minoritarios. La existencia de estos portadores se debe a que la energía térmica continuamente está desligando electrones de valencia de sus orbitales, produciendo durante este proceso electrones libres y huecos. El tiempo de vida de los portadores minoritarios es corto, pero mientras existen pueden contribuir a la corriente inversa. Cuando la energía luminosa bombardea una unión pn, puede desligar electrones de valencia. Cuanta más luz incida sobre la unión, mayor será la corriente inversa en el diodo. Un fotodiodo es aquel cuya sensibilidad a la luz es óptima. En este tipo de diodos, una ventana permite que la luz pase por el encapsulado hasta la unión. La luz incidente produce electrones libres y huecos. Cuanta más intensa sea la luz, mayor será el número de portadores minoritarios y mayor será la corriente inversa. La figura siguiente muestra el símbolo de un fotodiodo. Las flechas representan la luz incidente. Especialmente importante es lo siguiente: la fuente y el resistor en serie polarizan inversamente al fotodiodo. Conforme la luz se hace más intensa, la corriente inversa aumenta. En los fotodiodos típicos, la corriente inversa es del orden de decenas de microamperes. R

+ V

-

Fotodiodo. El fotodiodo de unión pn polarizada en sentido inverso es un elemento básico para comprender los dispositivos fotosensibles de silicio. Cuando la luz de longitud de onda apropiada es dirigida hacia la unión, se crean pares hueco-electrón que se desplazan a través de la unión debido al campo generado en la región deprimida. El resultado es un flujo de corriente, denominado fotocorriente, en el circuito externo, que es proporcional a la irradiancia efectiva en el dispositivo. El fotodiodo se comporta básicamente como un generador de corriente constante hasta que se alcanza la tensión de avalancha.

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Fotodiodo sensible a la luz con unión pn polarizada inversamente. El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante determinada. Para esta longitud de onda, se produce la máxima cantidad de pares huecos-electrón en la proximidad de la unión. El máximo de la curva de respuesta espectral de un fototransistor típico se halla en 850 nm, aproximadamente. La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unión a fotodiodo y un amplificador. En la mayoría de dispositivos comerciales, la corriente del fotodiodo se halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las decenas de microamperios, pudiendo añadirse a la pastilla un amplificador por un coste mínimo. Fotodiodo de avalancha. Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo común formando parte del propio fotodiodo. El fotodiodo de avalancha utiliza la

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multiplicación por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco-electrón. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez. Sin embargo, el equilibrio entre ruido y ganancia es difícil de conseguir y como consecuencia, el coste es alto. Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se requiere una tensión de alimentación de valor elevado (100-300 v.), estrechamente controlada. Por estas razones, el fotodiodo de avalancha tiene limitadas aplicaciones. Fototransistor. El transistor sensible a la luz es una de las combinaciones fotodiodo amplificador más simples. Dirigiendo una fuente de luz hacia la unión pn polarizada en sentido inverso (colector-base), se genera una corriente de base, que es amplificada por la ganancia de corriente del transistor.

Se requiere un cuidadoso proceso de elaboración de la pastilla del transistor para hacer compatible la máxima reducción de la corriente en la oscuridad del fototransistor, con la obtención de una alta sensibilidad a la luz. Las corrientes de este tipo, típicas del fototransistor para una tensión inversa de 10v, son del orden de 1 nA a temperatura ambiente y aumentan en un factor de 2 para cada 10 ºC de aumento de temperatura. Las especificaciones del fototransistor garantizan normalmente unos límites de corriente en la oscuridad mucho más altos, por ejemplo 50 a 100 nA, debido a las limitaciones del equipo automático de prueba. Fotodarlington. Básicamente, este dispositivo es el mismo que el transistor sensible a la luz, excepto que tiene una ganancia mucho mayor debido a las dos etapas de amplificación, conectadas en cascada, incorporadas en una sola pastilla.

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Amplificador fotodarlington.

Foto SCR. El circuito equivalente con dos transistores del rectificador controlado de silicio mostrado en la figura ilustra el mecanismo de conmutación de este dispositivo. La corriente debida a los fotones, generada en la unión pn polarizada en sentido inverso, alcanza la región de puerta y polariza en sentido directo el transistor npn, iniciando la conmutación.

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Corte transversal de un fotodiodo comercial LOS DIODOS VARISTOR O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentación eléctrica. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-homogéneo.(Carburo de silicio). Los relámpago , las fallas en la línea de potencia, etc., pueden contaminar el voltaje de la línea superponiendo valles, picos y otros transitorios en los 115 V rms normales. Los valles son caídas de voltaje severas que duran microsegundos o menos. Los picos son sobrevoltajes muy cortos en duración, desde 500 hasta más de 2000 V. En algunos equipos, se usan filtros entre la línea de potencial y el primario del transformador para eliminar los problemas ocasionados por los transistores en la línea. Uno de los dispositivos empleados para el filtrado en la linea es el varistor (llamado también supresor de transistorios). Este dispositivo semiconductor es como dos

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diodos Zener encontrados con un gran voltaje de rompimiento en ambas direcciones. Por ejemplo, el V130LA2 es un varistor con un voltaje de rompimiento de 184 V (equivalente a 130 V rms) y una especificación de corriente pico de 400 A. Conectando uno de éstos en el arrollamiento primario no habrá por que preocuparse acerca de los picos. El varistor recortará todos los picos al nivel de los 184 V y protegerá el equipo. CARACTERISTICAS: 1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una selección fácil

del componente correcto para una aplicación específica. 2. 3. Alta capacidad de absorción de energía respecto a las dimensiones del componente. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que

ocurre. 4. 5. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la protección de

circuitería en conmutación digital. 6. Alto grado de aislamiento.

Máximo impulso de corriente no repetitiva

  

 

El pico máximo de corriente permitido a través del varistor depende de la forma del impulso, del duty cycle y del número de pulsos.  Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se permite generalmente que garantice un ‘máximo impulso de corriente no repetitiva’. Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma “IEC 60-2”, con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar más del 10% como máximo.  Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora.  Si se aplica más de un de impulso o el impulso es de una duración mas larga, habría que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la máxima variación de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.

Energía máxima Durante la aplicación de un impulso de corriente, una determinada energía será disipada por el varistor. La cantidad de la energía de disipación es una función de: 1. 2. 3. La amplitud de la corriente. El voltaje correspondiente al pico de corriente. La duración del impulso.

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4. El tiempo de bajada del impulso; la energía que se disipa durante el tiempo entre

100% y 50% del pico de corriente. 5. La no linealidad del varistor.

A fin de calcular la energía disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma “IEC 60-2 secciona 6” tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien sinusoidal.

Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2) DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA) A frecuencias bajas, un diodo ordinario puede desconectarse fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa. Pero conforme aumenta la frecuencia, el diodo llega a un punto en el que ya no puede desconectarse lo suficientemente rápido para evitar una corriente considerable durante parte del semiciclo inverso. Este efecto se conoce como almacenamiento de carga. Impone un límite sobre la frecuencia útil de los diodos rectificadores ordinarios. Lo que sucede es esto. Cuando el diodo está polarizado directamente, algunos de los portadores en la capa de empobrecimiento aún no se han recombinado. Si se aplica súbitamente polarización inversa al diodo, estos portadores pueden circular en la dirección inversa durante un pequeño intervalo de tiempo. Cuanto más largo sea el tiempo de vida, mayor será el tiempo durante el cual estas cargas puedan contribuir a la corriente inversa. El tiempo que un diodo polarizado directamente tarda en desconectarse se llama tiempo de recuperación inversa. Este es tan corto en los diodos para señales pequeñas que su efecto ni siquiera se nota a frecuencias inferiores a los10 Mhz, más o menos. Es importante sólo cuando se está trabajando con frecuencias muy superiores a los 10 Mhz. La solución a este problema es un dispositivo para usos especiales llamado diodo Schottky. Este tipo de diodo no tiene capa de empobrecimiento, con lo cual no existen las

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cargas en la unión. La ausencia del almacenamiento de carga implica que el diodo Schottky puede cambiar (activar o desconectar) más rápido que un diodo ordinario. De hecho, un diodo Schottky puede rectificar con facilidad frecuencias superiores a los 300 Mhz. La aplicación más importante de los diodos Schottky se halla en las computadoras digitales. La velocidad de las computadoras depende de la rapidez con la que se puedan activar o desconectar sus diodos y sus transistores, y aquí es donde el diodo Schottky entra en escena. Como no tiene almacenamiento de carga, el diodo Schottky se ha convertido en la parte medular de la TTL Schottky de baja potencia, un grupo de dispositivos digitales extensamente empleados. Una indicación final: en la dirección directa, un diodo Schottky tiene una barrera de potencial de sólo 0.25 V. Así, es posible ver diodos Schottky utilizados en rectificadores de puente de bajo voltaje, ya que solamente hay que restar 0.25 V en vez de los 0.7 V usuales por cada diodo. En un diodo Schottky se emplea un metal como el oro, la plata o el platino en un lado de la unión y silicio impurificado (generalmente tipo n) en el otro lado . Cuando un diodo Schottky no tiene polarización, los electrones libres en el lado n se hallan en órbitas más pequeñas que los electrones libres del lado metálico. A esta diferencia en el tamaño de las órbitas se le llama barrera de Schottky. Si el diodo tiene polarización directa, los electrones libres pueden atravesar la unión y penetrar al metal, produciendo una gran corriente de polarización directa. Como el metal no tiene huecos, no hay almacenamiento y por tanto tampoco hay tiempo de recuperación inversa. La ausencia de almacenamiento de carga implica que el tiempo de recuperación inversa tienda a cero. Por ello, un diodo Schottky puede desconectarse mas rápido que un diodo ordinario. Cuando se le usa en un circuito como el de la siguiente figura el diodo Schottky produce una señal de media onda perfecta, incluso a frecuencias superiores a los 300 Mhz.

+ V -

Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes. Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica se hace un material semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando también a tener un

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efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en la figura N°05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo. En una deposición de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los

electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la ensambladura. Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V. La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión, en las cuales las caídas en los rectificadores son significativas.

Figura N°05 (Diodo Schottky construido a través de la técnica de CIs.)

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SIMBOLOGÍA

Gráfica Simbología Tipos de Diodos

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BIBLIOGRAFÍA Millman J., Halkias Ch.C. Dispositivos y Circuitos Electrónicos. 5ta edición. Mc. Graw Hill, 1983. Boylestad R., Nashelky L. Electrónica teoría de Circuitos, Prentice Hall int.1992. Lob U. Funcionamiento del diodo semiconductor ep 14. Marcombo Boixareu Editores, 1987. Lob U. Curvas Características de diodos ep 15. Marcombo Boixareu Editores, 1987. González F. Curso practico de luces y sonido. Publicaciones CEKIT, 1992. http://www.americanmicrosemi.com/tutorials/varactor.htm http://www.ifent.org/Lecciones/varistores/Varistores.htm http://www.vc.echu.es/campus/centro…epjt/Otros/Electronica/Diodo2.html http://webserver.pue.udlap.mx/~lgojeda/apuntes/electronica1/1_5.htm

El oscilador 555

CIRCUITO OSCILADOR 555 1.- Introducción
Nos proponemos estudiar a fondo uno de los chips más famosos desde su desarrollo; el circuito integrado 555. Desde su lanzamiento en 1972, por la compañía Signetics, ha sido utilizado en un gran número de sistemas electrónicos, tanto en sistemas de control industrial como en fabricación de aparatos electrónicos de consumo. Además de un gran número de aplicaciones, en todo este tiempo ha tenido un gran número de cambios. Su nombre se debe a la presencia internamente de resistencias de 5k cada una, que forman un divisor de tensión. 3

La gran importancia que conlleva el diseño de este circuito es su gran versatilidad, ya que es un circuito universal generador de pulsos que se adapta a diversas condiciones de trabajo, lo que unido a su económico precio lo convierten en un pequeño/gran componente a tener en cuenta por todos los diseñadores. En los próximos apartados estudiaremos más a fondo todos los aspectos que lo caracterizan.

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2.- Descripción del circuito y características
El circuito 555 se presenta normalmente en un encapsulado DIP de 8 patillas, aunque también es posible encontrarlo en encapsulado metálico, y cada vez menos en otros formatos menos utilizados. El encapsulado metálico se suele utilizar en aplicaciones militares e industriales principalmente. El chip está compuesto internamente por 23 transistores, 2 diodos y 12 resistencias, aunque nosotros estudiaremos una versión esquematizada. Estas características son tal cual para el modelo estándar, ya que, diversas compañías se han preocupado de modificarlo para adaptarlo a sus necesidades, creando así una gama de circuitos 555 modificados. Una de sus características más útiles es su rango de alimentación, que va desde 4,5v hasta 18 v, pudiendo además manejar corrientes de salida de hasta 200mA. Gracias a este rango el circuito es versátil, pudiendo trabajar externamente con lógicas como TTL o CMOS, además de impulsar relés, zumbadores y otros componentes.

2.2 Esquema eléctrico del 555

Puede trabajar con dos modos principales de trabajo: modo astable y monoestable. Dedicaremos un apartado de este documento al funcionamiento de ambos modos. La descripción de las patillas es la siguiente: La patilla 1 es la conexión a tierra del circuito. La patilla 2, llamada entrada de disparo, se utiliza para trabajar en modo monoestable. Más adelante explicaremos su cometido. La patilla 3, es la salida del circuito. La patilla 4 sirve de señal de Reset, que normalmente se conecta directamente a Vcc.

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La patilla 5, o entrada de modulación, sirve para producir modulación por anchura de pulsos (PAM). Es un uso particular del circuito, que explicaremos más adelante. La patilla 6, o señal de alcance máximo, se utiliza conjuntamente con la patilla anterior. La patilla 7, o descarga, se utiliza para descargar un condensador externo que se coloca en los distintos modos de trabajo. Por último, la patilla 8 será la alimentación (Vcc).

Vamos a ver el funcionamiento a un nivel más interno. La fuente de alimentación se suele conectar a un circuito pasivo RC exterior, que proporciona descargando el condensador una señal de tensión que depende del tiempo. Ya dentro del circuito, la entrada de Vcc va a un divisor de tensión. Este divisor de tensión lleva al comparador B una señal de 1/3·Vcc, que será comparada en este componente con la tensión de la entrada 2 (disparo). El mismo divisor de tensión ofrece a la entrada del comparador A una señal de 2/3·Vcc, que será comparada contra la tensión de alcance máximo.(6)

2.1 – Esquema interno del circuito 555

Por otro lado, la señal 5, se utiliza para producir modulación por anchura de pulsos. La patilla 7 servirá para descargar un condensador externo cuando el transistor T1 se encuentra en saturación. Otra forma de descargarlo será polarizando el transistor
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T2. Para ello se utiliza la patilla 4 ( Reset). Si no queremos que se descargue antes de tiempo el condensador, debemos conectar esta patilla a Vcc, para mantener en corte al transistor T2. La salida del circuito (patilla 3) es la salida de una puerta inversora, lo que le da un alto nivel de versatilidad al 555, ya que la corriente máxima que se puede obtener será de 200 mA. Las salidas de ambos comparadores están conectadas al Reset y Set de un Flip-Flop de tipo SR. La salida de este flip-flop sirve de entrada al amplificador de corriente. Mientras que la tensión en la patilla 6 sea más pequeña que el nivel de voltaje con el que se compara (dependerá del nivel de la patilla 5, modulación), la entrada Reset del FF no se activará. Por otra parte, mientras que el nivel de tensión presente en la patilla 2 sea más grande que el nivel contra el que se compara (1/3 de Vcc), la entrada Set del FF, no se activará. El modo de trabajo a un nivel global no da una idea buena sobre las prestaciones del circuito. Deberemos estudiar más a fondo los dos modos de trabajo particulares del 555 para comprender su extendido uso.

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3.- MODOS DE TRABAJO
Como vimos anteriormente, para comprender la versatilidad de este circuito, deberemos antes entender sus modos de trabajo, independientemente. El 555 puede trabajar de dos formas principales: como multivibrador u oscilador astable y como multivibrador u oscilador monoestable. • Oscilador astable Un circuito oscilador astable es aquel que cambia de estado con un cierto periodo. Por decirlo de otra manera, puede funcionar como un reloj, dando una señal cuadrada de una frecuencia que estará determinada por los componentes externos que le conectemos. Estudiémoslo paso a paso. Para hacer el oscilador astable, necesitamos dos resistencias y un condensador.

3.1 – Oscilador Astable

Inicialmente contamos con que C está descargado, la salida se encuentra a nivel alto, la salida /Q del biestable se encuenta a nivel bajo y el divisor de tensión proporciona 1/3 Vcc en la entrada del comparador B y 2/3 Vcc en la entrada del comparador A. El condensador C empieza a cargarse a través de Ra y Rb. Cuando alcanza una tensión superior a 1/3 Vcc, (t 1) la salida del comparador B pasa a nivel bajo, lo que lleva un 0 a la señal de Set del Flip-Flop. En este momento no pasa nada. El condensador sigue cargándose, hasta que llega a un nivel de 2/3 Vcc, (t 2) lo que lleva al “comparador A” a que de una salida positiva, llevando por lo tanto un ‘1’ a la entrada del Reset del flip-

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Opcional

3.2 Oscilador Astable (esquema completo)

flop. Eso conlleva a este a poner un ‘1’ en /Q, lo que convierte la salida del circuito en un ‘0’. Al llegar a este punto, tenemos, un ‘1’ a la salida /Q del FlipFlop, y un ‘0’ a la salida del circuito. El ‘1’ del FF hace que el transistor T1 entre en saturación, lo que conlleva a que el condensador empiece su descarga a través de Rb. Cuando la tensión en C es menor que 2/3 Vcc, el comparador A se satura negativamente, llevando un ‘0’ a la entrada Reset. Todavía no cambia el estado del FF. Pero cuando la tensión en el condensador es menor que 1/3 (t 3) Vcc, el comparador B cambia de nivel, lo que coloca a la salida /Q del FF a nivel bajo, y, por lo tanto, la salida del 555 a nivel alto. Hemos llegado al punto de partida. Para saber los periodos de trabajo y los tiempos de carga y descarga, estudiaremos la señal en el condensador.

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Temporización:

Podemos observar 3 periodos de tiempo fundamentales en un ciclo de trabajo astable. Como hemos podido comprobar, estos tiempos dependerán del tiempo que tarda en cargarse y descargarse el condensador externo C. Partimos del tiempo de carga del condensador: V=Vcc(1-e -t/RC ) donde V es la tensión en bornes del condensador y Vcc es la tensión del generador. Para t1: Para t2: 2·Vcc/3 = Vcc (1-e -t2/RC ) è t 2=R·C·ln(3) Para estos dos casos R=Ra·Rb Para la descarga del condensador tenemos que t=t 3 – t2 Vcc/3=2·Vcc/3 · e-(t3-t2)/R·C è t 3 – t 2 = R·C·Ln2 Con R=Rb, ya que la resistencia Ra no influye en la descarga. Vcc/3 = Vcc (1-e -t1/RC ) è t 1=R·C·ln(3/2)

3.3

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El periodo de la señal de salida será: T=(t 3 – t1) = (t3 – t 2)+(t 2 - t1) T= C·(Ra + 2Rb)·Ln2 F=T-1=1.44/C·(Ra+2Rb) Hay dos aspectos que debemos tener muy en cuenta: - En primer lugar, la frecuencia resulta independiente de la alimentación del circuito, y únicamente dependerá de los componentes externos asociados al circuito. Esto es un factor importante, ya que la calidad de la señal de salida será la misma sin importar para qué lógica la utilizamos. - En segundo lugar, el periodo de descarga será siempre menor que el de carga, por lo que el ciclo de trabajo (duty cicle) de la tensión de salida será siempre menor al 50%. Para reducirlo, podríamos añadir un diodo en paralelo con Rb. De este modo, durante el periodo de carga actúa únicamente Ra y durante la descarga Rb, pudiéndose ajustar independientemente los tiempos de bajada y subida, y, por lo tanto, el ciclo de trabajo. En cualquier otro caso, el ciclo de trabajo será (t 2-t 1)/T Ciclo de trabajo=[(1+Rb)/(Ra+Rb)]-1=(Ra+Rb)/(Ra+2Rb)

3.4 Circuito astable mejorado

Oscilador monoestable

Este es el otro modo de trabajo más importante del integrado 555. Se basa en la producción de un pulso de salida de una duración determinada por los componentes externos (recordemos que es una de las características más importantes de este circuito), que será producido por un estímulo externo. Vamos a ver su funcionamiento.

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Para el oscilador monoestable, hace falta una resistencia y un solo condensador.

3.5 Circuito monoestable básico

Partimos de que la salida es un ‘0’ lógico. El condensador C está descargado, por lo que T1 deberá estar en saturación, y la salida /Q del biestable a nivel alto.

3.5 Esquema completo del oscilador monoestable

Para empezar a funcionar, deberá existir en la entrada de disparo (2) una señal con una tensión menor que 1/3 Vcc, con lo que
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el comparador B se satura positivamente, es decir, la señal Set=1, lo que hace que el biestable de un 0 en /Q. Así el transistor T1 pasa de saturación a corte, empezándose a cargar el condensador C a través de Ra. Cuando la tensión en el condensador alcanza 2/3 Vcc, el comparador A se satura positivamente, lo cual hace que el biestable vuelva a cambiar de estado, pasando a poner un ‘1’ en su salida /Q. Esto implica: - Vsalida a nivel bajo. - T1 pasa a saturación. El condensador se descarga a través de T1 y el comparador B se satura negativamente, con lo que el circuito vuelva a donde empezamos, a la espera de un nuevo pulso. Obsérvese que si en mitad del pulso llegara un nuevo disparo, no ocurriría nada. El tiempo característico del monoestable está relacionado con el periodo de carga del condensador, que a su vez depende únicamente de componentes externos. 2·Vcc/3 = Vcc(1-e -T/RC ) è T=Ra·C·Ln3

3.6 Gráfica del modo monoestable

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4. MONTAJES CLÁSICOS
Para profundizar en el estudio del funcionamiento del temporizador 555 vamos a estudiar varias configuraciones de montajes clásicos y típicos. • Modulador por posición de pulso

Este circuito se realiza en la configuración astable. Su fundamento está en que el voltaje de la patilla 5 (modulación) no es constante como hemos visto anteriormente, sino que varía con el tiempo (en nuestro caso ponemos el ejemplo de una onda triangular). De ese modo la tensión del condensador no se compara con 2/3 Vcc, sino que lo hace con el valor instantáneo de la onda triangular. Cuanto mayor sea este valor, más tardará la tensión del condensador en alcanzarlo, por lo tanto la duración del pulso es mayor.

4.1 Modulador por posición de pulso

Cuando el valor en la patilla 5 es negativo, ( semiciclo negativo de la onda triangular) la salida está en nivel bajo, ya que el 555 no trabaja con tensiones negativas. Por tanto, la salida del comparador A siempre estará en el nivel alto, lo que implica que el biestable también lo hará. Así pues T1 está siempre en saturación y el condensador nunca llega a cargarse.

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Circuito modulador por anchura de pulso

Otra aplicación dentro del extenso campo de la modulación es la de modular una señal dependiendo de la anchura de sus pulsos, y no de la posición de estos. Igual que en el circuito anteriormente expuesto, podemos lograr este propósito aplicando una señal al conector 5, que será la entrada a modular, solo que esta vez utilizamos el oscilador en modo monoestable. En la patilla de disparo (2) pondremos un tren continuo de pulsos. Dependiendo del valor en tensión de la entrada (5) obtendremos pulsos de más o menos ancho. (vease figura)

4.2 Modulador por anchura de pulso

OSCILADOR CON CICLO DE TRABAJO 50%

Como vimos anteriormente cuando estudiamos el modo astable, el ciclo de trabajo de la salida no será del 50%, ya que el tiempo de descarga del condensador externo será menor que el de carga. Existe, sin embargo, una manera de hacer que estos dos tiempos sean iguales. Simplemente habrá que cambiar la posición de las resistencias conectadas al circuito, y ponerlas tal y como está el esquema. Como vimos antes, el tiempo que está la salida en alto es de: t1= 0.693·Ra·C Con la configuración aconsejada, conseguimos que el tiempo que está la salida en bajo, que es de:

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t2= [(Ra·Rb)/(Ra+Rb)]·C·Ln[(Rb-2Ra)/2Rb-Ra)] sea igual a t1è t 1=t2

4.3 Astable con un ciclo de trabajo del 50%

Debemos de tener en cuenta que el circuito no oscilará si Rb es mayor que ½·Ra, ya que la unión de Ra y Rb no llevaría al pin 2 a 1/3 de Vcc, lo que a su vez haría que el comparador interno no se disparase. • Temporizador secuencial

Muchas aplicaciones, tales como ordenadores, requieren señales para las condiciones iniciales durante el arranque. Otras, como equipos de testeo, requieren la activación de señales de test secuencialmente. Para estas tareas podemos usar estos circuitos temporizadores secuenciales. Los osciladores pueden ser conectados en varias combinaciones de astable y monoestable, con o sin modulación, para un control de forma de onda extremadamente flexible.

4.4 Circuito secuencial

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Salidas para el circuito secuencial

Circuito anti-rebote Una posible aplicación del 555 es la de circuito anti-rebote. Realmente no es una aplicación utilizada, ya que los circuitos antirebote normalmente utilizados son más simples y, por lo tanto, más baratos. No obstante, este circuito tiene un alto nivel educativo a la hora de comprender mejor el funcionamiento del integrado.

Lógicamente, utilizaremos el modo de trabajo respondiendo al estímulo nuestro 555.

monoestable,

El circuito de la figura, más concretamente, nos muestra un antirebote que dará a su salida (tras presionar el pulsador) un pulso de 0.1 segundos. Es un clásico montaje monoestable.

4.5 Circuito anti-rebote

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El oscilador 555

Detector de pulso perdido

Este circuito muestra a un oscilador en modo monoestable que está siendo continuamente redisparado por una serie de pulsos entrantes. Cuando uno de esos pulsos se retrasa o no llega, el circuito lleva su salida a nivel bajo hasta que un nuevo pulso llega a la entrada. Se suele usar en sistemas de alarmas y testeadores de continuidad, así como en aplicaciones de comunicaciones sícronas.

4.6 Detector de pulso perdido

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El oscilador 555

5.- EXTENSIÓN DEL 555
Ya que conocemos bien el funcionamiento del oscilador 555, vamos a hacer una breve reseña a dos modelos existentes del integrado. • Circuito integrado 556 El 556 se puede considerar primo-hermano del 555, ya que realmente es un integrado, generalmente de 14 patillas que contiene interiormente dos 555. Su utilidad es lógica, ya que para la mayoría de tareas complejas del circuito, se suelen utilizar varios integrados 555. Con la utilización del 556, conseguimos una reducción en los costes y espacio.

5.1 Esquema externo del integrado 556

• Circuito 555 versión CMOS Debemos señalar que existe la versión del integrado 555 fabricada con tecnología CMOS. Esta versión permite un tiempo de trabajo más eficaz, así como un consumo muy inferior de potencia. Incluimos un esquema muy básico de esta versión CMOS. Nos permitimos el no explicar su funcionamiento, ya que no difiere apenas del ya visto, y sería redundar demasiado en el tema.

5.2 Circuito 555 versión CMOS

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El oscilador 555

6.- CONCLUSIONES FINALES
El circuito 555 fue en su tiempo un gran avance dentro del campo de la circuitería integrada. Un oscilador cuyos parámetros de temporización solamente dependieran de parámetros externos, ofrecía todo un universo de posibilidades a la hora de realizar nuevos y modernos diseños en la era de la integración. Sin embargo, esta gama de posibilidades se veía limitada debido a una serie de restricciones técnicas, que pasamos a detallar y explicar: La frecuencia máxima en modo astable es del orden de 1 Mhz. En las versiones más modernas (CMOS), puede llegar a los 3 MHz, velocidad que hoy en día es ridícula comparada con la velocidad de los sistemas actuales, que se mide por Gigahercios. Su precisión en modo astable es del 1%. Esto conlleva a que en tareas que precisen una temporización más apurada se pasen a usar osciladores de cristal de cuarzo, lo que nunca ha afianzado al 555 como oscilador por excelencia. Su impedancia de salida es muy baja (10Ω), lo que hace posible que el oscilador alimente a su salida un pequeño altavoz (8Ω). Hoy en día su uso se destina a tareas que precisen una temporización poco estricta, como puede ser el cierre de la puerta de un ascensor, que deberá permanecer abierta unos segundos. También se emplea en aparatos destinados al ocio, como generador de tonos para realizar ruidos de ciertas frecuencias. Entre los aficionados a la electrónica es un circuito útil y valioso para diversas tareas.

-

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El oscilador 555

ANEXO A: Componentes internos. El comparador y el Flip-Flop RS
Comparadores Ofrecen a su salida dos estados perfectamente diferenciados (alto y bajo) en función de las tensiones aplicadas a sus entradas (+ y -), de tal forma que: Si V(+) > V(-), la salida toma nivel alto Si V(-) > V(+), la salida toma nivel bajo No se contempla el caso en que V(+)=V(-), ya que una pequeña variación entre ambas partes hace que la salida tome el nivel determinado por el sentido de dicha variación. El tema de los comparadores es algo muy amplio, en el que no vamos a profundizar más por razones obvias. Flip-Flop RS

Es un biestable con dos entradas (R y S) y dos salidas (Q y /Q, donde /Q es la inversa de Q). Se caracteriza principalmente porque, al llevar un ‘1’ a su entrada R, la salida Q tendrá un ‘0’. Sin embargo, si llevamos un ‘1’ a la entrada S, la salida Q tendrá un ‘1’. Otra de las características de este biestable es que, al llevar un ‘0’ a ambas entradas, conservará el último valor establecido en sus salidas.

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SISTEMAS ELECTRÓNICOS ANALÓGICOS Y DIGITALES

CONEXIONES CON VARIOS TRANSISTORES:
1. El Amplificador Darlington 2. El Amplificador Cascodo 3. El Amplificador Diferencial

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1. EL AMPLIFICADOR DARLINGTON
La conexión en cascada de dos transistores bipolares, según se muestra en la figura 1, se denomina conexión Darlington o transistor compuesto y es utilizada cuando se desea una ganancia de corriente elevada y además una alta impedancia de entrada en la configuración emisor común.

Figura 1.- Conexión Darlington con transistores NPN.

Tomando como ejemplo la configuración con transistores NPN, la ganancia de corriente se puede hallar (suponiendo que los transistores sean idénticos) de la siguiente forma:

Ai =

Io I +I α ⋅ I E1 α ⋅ I E 2 = C1 C 2 = + I B1 I B1 I B1 I B1

(1)

A continuación hallamos:

I E 2 I E 2 I B 2 I E1 2 = ⋅ ⋅ = (hfe + 1) ⋅ (1) ⋅ (hfe + 1) = (hfe + 1) I B1 I B 2 I E1 I B1
Utilizando este resultado en (1), tenemos:

Ai = α ⋅ (hfe + 1) + α ⋅ (hfe + 1) = α ⋅ (hfe + 1) ⋅ (hfe + 2) ≈ hfe 2
2

Este resultado es previsible observando el circuito, a causa de que la corriente de emisor de Q1 llega a ser la corriente de base de Q2.

1.1 IMPEDANCIA DE ENTRADA
La impedancia de entrada vista hacia la base de Q1 y el emisor de Q2 se halla fácilmente reflejando la impedancia base-emisor (hie2) de Q2 desde el circuito de emisor de Q1 al circuito de base de Q1, como se muestra en la figura 2. El resultado es:

Zi = hie1 + (hfe + 1) ⋅ hie2

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Figura 2.- Uso de reflexión para determinar la impedancia de entrada de una configuración Darlington.

Sin embargo,

hie =

m ⋅ VT ⋅ (hfe + 1) , por lo que (considerando m = 1): I EQ

Zi =

VT ⋅ (hfe + 1) VT ⋅ (hfe + 1) + I EQ1 I EQ 2

2

Recordando que ecuación anterior:

hfe1 = hfe2 y además

(hfe + 1)

I EQ 2

= I EQ1 obtenemos, reemplazando en la

Zi = 2 ⋅ (hfe + 1) ⋅ hie2 = 2 ⋅ hie1

2. EL AMPLIFICADOR CASCODO
Se denomina amplificador cascodo a la conexión serie de dos transistores tal como se muestra en la figura 3.

Figura 3.- Conexión Cascodo.

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La particularidad relevante de esta configuración es que, debido a la conexión serie necesariamente debe ser I CQ1 ≈ I CQ 2 . El circuito de la figura 3 tiene variantes que dependen de la aplicación, en particular veremos una de ellas, el desplazador de nivel.

2.1 DESPLAZADOR DE NIVEL ACTIVO
En aplicaciones de amplificadores con acoplamiento directo, la señal amplificada contiene un nivel de continua que no es deseable que aparezca sobre la impedancia de carga, entonces es necesario eliminarla antes de conectarla a aquella, sin atenuar la componente de señal. Esto se puede hacer con una variante del amplificador cascodo, que consiste en operar el transistor Q1 como fuente de corriente constante y conectar la fuente de señal a la base del transistor Q2, la figura 4 esquematiza la idea. El circuito conformado por Vi, VDC y ri se puede interpretar como el equivalente de Thevenin de la etapa precedente donde la componente VDC, es la que se quiere eliminar de la salida Vo. Ello se logra incluyendo la resistencia R, de forma tal que la caída de tensión que produce ICQ1 en ella, compense el nivel de continua parásito.

Figura 4.- Desplazador de nivel activo.

Analizaremos este circuito cuantitativamente. La ecuación de equilibrio de tensiones de continua desde la malla de entrada de Q2 hacia la salida Vo es:

V DC = I BQ 2 ⋅ ri + V BE + I CQ1 ⋅ R + VOC
Pero si

VOC = 0 tenemos:

VDC −
Lo que se logra ajustando R o ICQ1.

I CQ1 hfe

⋅ ri − 0,7 = I CQ1 ⋅ R

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El efecto del circuito sobre las componentes de señal, lo analizaremos sobre el esquema lineal equivalente de la configuración (figura 5) donde es evidente que, en condiciones ideales, es decir, si la impedancia interna de la fuente de corriente e impedancia de carga RL, son ambas infinitas, la tensión de salida es igual a la tensión de entrada.

Figura 5.- Circuito hibrido equivalente.

Considerando una impedancia de carga real finita, la atenuación aumenta según disminuye la relación:

Vo RL ⋅ hfe = Vi ri + hie + (R + RL ) ⋅ hfe

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3. EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
El amplificador diferencial es un circuito versátil que sirve como etapa de entrada para la mayoría de los amplificadores operacionales como así también para una amplia gama de circuitos. En la figura 6 está representada la configuración básica. El esquema indica que el circuito tiene dos entradas, v1 y v2 , y tres salidas, vo1 , vo 2 y vo1 − vo 2 . La importancia del amplificador diferencial estriba en el hecho de que las salidas son proporcionales a la diferencia entre las dos señales de entrada, como vamos a ver. Así pues, el circuito se puede utilizar para amplificar la diferencia entre las dos entradas o amplificar una sola entrada conectando simplemente a masa la otra.

Figura 6.- Amplificador Diferencial.

Vamos a suponer que el amplificador diferencial que vamos a analizar en está sección se supone que está fabricado en una pastilla o chip. Cuando este es el caso, podemos suponer que los transistores Q1 y Q2 son idénticos y por lo tanto que existe una simetría perfecta entre ambas mitades del circuito.

3.1 SEÑALES DE MODO COMÚN Y DE MODO DIFERENCIAL
Como el amplificador diferencial se utiliza más comúnmente para amplificar la diferencia entre las dos señales de entrada, es adecuado expresar las entradas como sigue, de manera que resalte este hecho. Llamaremos vd a la diferencia entre las tensiones de entrada, por lo que:

vd = v2 − v1

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Esta es la tensión de entrada del modo diferencial. Para completar necesitamos un término que designe el valor medio de las tensiones de entrada, que llamaremos definir esta tensión por:

va . Resulta cómodo

va =
Puesto que

v2 + v1 2

va

es el promedio de las dos tensiones de entrada, se le denomina tensión de

entrada de modo común.

vd 2 v v1 = va − d 2 v2 = va +
Por estas expresiones vemos que las tensiones de entrada pueden ser expresadas en función de una tensión de entrada de modo común y una tensión de entrada de modo diferencial. En las aplicaciones usuales del amplificador diferencial, la entrada de modo diferencial es la señal deseada que se amplifica mientras la entrada de modo común debe ser suprimida o rechazada y por lo tanto no es amplificada. Las definiciones anteriores nos permiten analizar directamente el circuito en función de estas entradas de modo común y de modo diferencial y concentrarnos en los parámetros importantes del amplificador diferencial. Para fines de ensayo podemos calcular fácilmente señales de entrada que son totalmente de modo común o totalmente de modo diferencial. Por ejemplo, si v1 = v 2 , la entrada de modo diferencial es cero y la entrada de modo común es simplemente

va = v1 = v2 . Por otra parte, si v1 = −v2 , la

entrada de modo común es cero, mientras que la entrada de modo diferencial es:

vd = 2 ⋅ v2 = −2 ⋅ v1 . 3.2 SANÁLISIS DEL PUNTO DE REPOSO Q
Cuando estudiamos las etapas individuales de un amplificador vimos que la recta de carga (de c.a o de c.c) definía completamente la curva de funcionamiento del circuito de colector dentro de los límites de variación de la señal de entrada. Esta curva se mantiene como línea recta cuando el circuito contiene solamente resistencias y fuentes de tensión. Ahora estamos en una situación diferente; tenemos dos señales de entrada. Cada transistor funcionará dentro de una región de las características del colector a la que corresponden valores máximo y mínimo de las dos señales de entrada. A continuación determinaremos los confines de la región de funcionamiento; esto nos conducirá a expresiones que se pueden utilizar para asegurar que estos confines aseguren un funcionamiento lineal en el margen previsible de variación de las señales de entrada. El análisis se realiza mejor en función de las entradas de modo diferencial y de modo común definidas anteriormente. Usualmente cuando deseamos determinar el punto Q de un amplificador, ajustamos a cero la señal de entrada. Para el amplificador diferencial es apropiado partir del análisis del punto Q suponiendo que la entrada de modo diferencial es cero. Esto se consigue haciendo simplemente que las dos entradas sean iguales; entonces tenemos que va = v1 = v2 . Con este supuesto comenzamos observando que, gracias a la simetría del circuito, podemos separar los emisores, intercalando una resistencia 2 ⋅ R E en cada rama de emisor, como muestra la figura

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7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff al circuito original de la figura 6 podemos ver que la tensión de emisor no ha cambiado. En efecto:

vE1 = v E 2 = (iE1 + iE 2 ) ⋅ RE − VEE

Figura 7.- Circuito equivalente para cualquiera de los transistores Q1 o Q2 cuando

v1 = v2 = va.

Cuando

v1 = v2 , tendremos nuevamente, gracias a la simetría, i E1 = i E 2 = i E , por lo que
v E1 = v E 2 = i E ⋅ (2 RE ) − VEE

la ecuación anterior se simplifica y queda:

Esta tensión es justamente la misma que la tensión de emisor hallada en el circuito separado de la figura 7. La ecuación de la recta de carga, que es válida cuando

va = v1 = v2 , se halla aplicando

la ley de Kirchoff de tensiones en el bucle colector-emisor de la figura 7:

vCE = VCC − iC ⋅ RC − i E ⋅ (2 RE ) + VEE ≈ VCC + VEE − iC ⋅ (RC + 2 RE )
La corriente de emisor (y por lo tanto la corriente de colector) se halla aplicando la ley de Kirchoff de tensiones al bucle base-emisor.

v a = i B ⋅ RB + VBE + i E ⋅ (2 RE ) − VEE
Como

iB =

iE , i ≈ i y V = 0,7V , la ecuación anterior se simplifica y queda: (hfe + 1) E C BE

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iC ≈

Va + V EE − 0,7 RB 2 RE + (hfe + 1)

Figura 8.- Recta de carga de modo común en que se muestra el punto Q cuando variación del punto Q cuando varía

va = 0

y la

va desde Va ,max a Va ,min .

En la obtención de la ecuación anterior hemos despreciado el efecto del hie y considerado a V BE constante. En este caso la aproximación es excelente, puesto que la impedancia hie reflejada en el emisor en la figura 7 es

hie . Esta impedancia está en serie con 2 R E , que (hfe + 1)

es una resistencia mucho mayor en la práctica. La recta de carga definida por la ecuación anterior se muestra en la figura 8. Como solo está presente la entrada de modo común, la llamaremos recta de carga de modo común. Aquí Q es el punto estático o de reposo obtenido ajustando a cero la entrada en modo común va . Los

Qmin representan los puntos de trabajo obtenidos cuando la entrada de modo común v a varía desde su valor máximo positivo v a ,max hasta su valor más
puntos marcados como Qmax y negativo va ,min con la entrada en modo diferencial igual a cero. Hay que señalar que se aplica la misma recta de carga a cada transistor, puesto que la corriente de colector de cada uno es la misma en tanto que las tensiones de entrada sean iguales, independientemente del valor de v a . Como las corrientes de colector son las mismas y el circuito es simétrico, las tensiones de colector serán idénticas y la tensión de salida vo1 independientemente del valor de v a en tanto que colector v o1 y

− vo 2 , entre los colectores, será cero

v1 = v2 . Las tensiones individuales de

vo 2

variarán, sin embargo, con las variaciones de v a .

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Lo que acabamos de exponer determina la región de funcionamiento cuando la entrada de modo diferencial es cero. Debemos determinar el efecto de una entrada no nula del modo diferencial. Por lo tanto, sea

v2 = −v1 =

vd . En este caso la entrada de modo común es nula y 2 v2 =

el punto estático o de reposo es el punto Q representado en la figura 8. Volviendo al circuito del

vd v y v1 = − d , vemos que cuando v 2 2 2 aumenta, también aumenta la corriente de emisor i E 2 y cuando v1 disminuye, también
amplificador diferencial básico y poniendo disminuye la corriente

iE1 . Si las variaciones de v1 y v 2 no son excesivas, el aumento de iE 2 es igual a la disminución de iE1 y por lo tanto no habrá variación de la corriente iE1 + iE 2 que
RE . Así pues, la tensión de emisor v E1 = v E 2 se mantiene fija cuando se aplica la señal de modo diferencial. Pero, puesto que iE1 e i E 2 están variando, vCE1 y vCE 2 deben
variar también de modo tal que:

circula en

∆ CE1 = − RC ⋅ ∆iC1
Visto de otra manera: y o

vce1 = − RC ⋅ ic1 ∆vCE 2 = − RC ⋅ iC 2 vce 2 = − RC ⋅ ic 2

Las ecuaciones anteriores son las correspondientes a la recta de carga de modo diferencial del amplificador diferencial y la pendiente de estas rectas de carga es

1 . RC

La combinación de las rectas de carga de modo diferencial y de modo común define la región de funcionamiento de cada transistor. Como cada señal de entrada tendrá en general presentes ambas componentes, podemos establecer los confines de la región de funcionamiento si conocemos los valores máximo y mínimo de las señales o de sus componentes de modo diferencial y de modo común respectivamente.

3.3 RELACIÓN DE RECHAZO DE MODO COMÚN
Podemos escribir las tensiones de salida

vo1 y vo 2 como sigue:

vo1 = Ad ⋅ vd − Aa ⋅ va
y donde

vo 2 = − Ad ⋅ v d − Aa ⋅ v a Ad , ganancia de modo diferencial, es:

Ad =

RC 2 hib + RB (hfe + 1)

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y

Aa , ganancia de modo común, es:
Aa = RC 2 R E + hib + RB (hfe + 1) vd y no depende

En un amplificador diferencial ideal la tensión de salida es proporcional a de la tensión de modo común

va . Según esto, en un amplificador diferencial ideal Aa = 0 . Aa = 0 , RC tendría que

Esta condición no se puede cumplir en la práctica, ya que para que

ser infinita. Con el fin de medir la desviación con respecto al ideal, se utiliza una cantidad denominada relación de rechazo de modo común (RRMC). Se define como la relación entre la ganancia de modo diferencial y la ganancia de modo común.

RRMC =
Utilizando las ecuaciones anteriores nos queda:

Ad Aa

RB hfe RRMC =  R  2 ⋅  hib + B   hfe   

2 R E + hib +

Así, tal como ocurre realmente en la práctica,

2 R E >> hib + RE hib + RB hfe

RB , entonces: hfe

RRMC ≈

En general, la RRMC debe ser elegida de modo que:

RRMC >>

va vd

3.4 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON FUENTE DE CORRIENTE CONSTANTE
Un buen amplificador diferencial tiene una ganancia diferencial muy grande, que es mucho mayor que la ganancia en modo común. La habilidad del rechazo en modo común del circuito puede mejorarse considerablemente, si se permite que la ganancia en modo común sea lo más pequeña posible (idealmente 0). De las ecuaciones anteriores podemos ver que entre mayor sea RE , menor es Aa . Un método popular para incrementar el valor en A.C de RE es

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utilizando un circuito de fuente de corriente constante. En la figura 9 se muestra un amplificador diferencial con una fuente de corriente constante para proporcionar un gran valor de resistencia del emisor común a la tierra de A.C.

Figura 9.- Amplificador diferencial con fuente de corriente constante.

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Dispositivos de Electrónica de Potencia
Introducción: Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor uniunión programable o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída de tensión entre los electrodos principales.

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción).

 

Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos, cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.

Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá una mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

Aplicaciones :   Tracción eléctrica: troceadores y convertidores. Industria: o Control de motores asíncronos. o Inversores. o Caldeo inductivo. o Rectificadores. o Etc.

A continuación se describen los principales dispositivos de Electrónica de Potencia: Triac: El Triac puede ser considerado como la integración de 2 SCR’s en forma paralela invertida. El símbolo eléctrico del TRIAC, así como sus características de Voltaje corriente, se muestran en la figura. Cuando la terminal T1 es positiva con respecto a la terminal T2, y el dispositivo es disparado por una corriente positiva en la terminal “gate” (+ig), éste se enciende. De igual forma, cuando la terminal T2 es positiva con respecto a la terminal T1 y el dispositivo es disparado por una corriente negativa en la terminal “gate” , el dispositivo también se enciende.

Es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere, pues la característica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 -T2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una caída de tensión en conducción prácticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conducción, si se supera la tensión de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destrucción por sobretensión.

El modo de operación del Triac, se describe a continuación: El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuación se verán los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalización del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.

La corriente de puerta circula internamente hasta T1, en parte por la unión P2N2 y en parte a través de la zona P2. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el área próxima a la puerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella iniciándose la conducción. Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal. El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de cátodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. La unión P2N1 de la estructura principal que soporta la tensión exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conducción. Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4. La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión, haciéndose más conductora. El potencial positivo de

puerta polariza más positivamente el área de la unión P2N1 próxima a ella que la próxima a T1, provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción. Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. También se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente que la próxima a la puerta. Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción. Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los más sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo más difícil y debe evitarse su empleo en lo posible.

El Triac es usado frecuentemente en muchas aplicaciones de baja potencia como extractores de jugo, mezcladoras y aspiradora. Es económico y fácil de controlar en comparación de 2 SCR’s conectados en forma antiparalela . Sin embargo, el Triac tiene una baja capacidad de dv/dt y un largo tiempo de apagado. No es recomendable su uso en niveles altos de voltaje y corriente.

Diac: Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona básicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarización directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarización del dispositivo, para que cese la conducción hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma análoga, no tienen por qué ser simétricas.

GTO (Gate Turn-off Thyristor) Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal “gate” (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal “gate”. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal “gate”. El símbolo para el tiristor GTO usado más frecuente, así como sus características de conmutación se muestran en la figura. El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las características de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a través de las terminales “gate” y cátodo, la corriente en el gate (ig), crece. Cuando la corriente en el gate alcanza su máximo valor I GR, la corriente de ánodo comienza a caer y el voltaje a través del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de caída de la corriente de ánodo (I A) es abrupta, típicamente menor a 1 s. Después de esto, la corriente de ánodo varía lentamente y ésta porción de la corriente de ánodo es conocido como corriente de cola. La razón (IA/IGR) de la corriente de ánodo IA a la máxima corriente negativa en el gate (IGR) requerida para el voltaje es baja, comúnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en el gate de 250 A para el apagado.

La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Como se muestra en la figura, existen 4 capas de silicón (pnpn), 3 uniones y tres terminales (ánodo, cátodo y gate). La diferencia en la operación, radica en que en que una señal negativa en el gate puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (I A leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la

aplicación de una voltaje en inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del método de fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding I h, en la cual, la acción regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el método más recomendable porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, éste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc –ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET’s, TBJ’s e IGBT’s no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutación rápida son preferibles. En la conversión de AC – DC, los GTO’s, son útiles porque las estrategias de conmutación que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El símbolo más comúnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el TBJ. La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porción de la estructura es la combinación de regiones n+ , p y n- que forman el MOSFET entre el source S y el gate G con la región de flujo n- que es el drain D del MOSFET. Otra parte es la combinación de 3 capas p+ n- p, que crea un transistor de unión bipolar

entre el drain D y el source. La región p actúa como colector C, la región n- actúa como la base B y la región p+ actúa como el emisor E de un transistor pnp. Entre el drain y el source existen 4 capas p +n-pn+ que forman un tiristor. Este tiristor es parásito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente I D persiste para el tiempo tON en el que la señal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA señal de encendido es un voltaje positivo V G que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal gate. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor límite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el

voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente i D se autolimita.

El IGBT se aplica en controles de motores eléctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW. MCT (MOS- Controlled Thyristor) El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado. El símbolo de éste dispositivo se muestra en la figura. Está integrado por 2 MOSFET’s, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga.

Existen diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor pnpn que determina las propiedades de conducción (y de bloqueo). También, todos los MCT’s tienen integrados dos dispositivos MOS para controlar las propiedades de conmutación. Entre el ánodo A y el cátodo K existe una estructura pnpn que como ya se mencionó forma la estructura del tiristor del MCT. La región gate – ánodo está formada por más de 105 celdas. Este largo número de celdas provee superficies cortas de largas secciones transversales para una rápida y uniforme conmutación de corriente. Dentro de la región ánodo – gate existen dos MOSFET’s. Uno de ellos es un canal p, tipo pnp que es usado para el encendido y el otro es un canal n, de tipo npn que es usado para el apagado. Existen otras regiones p-pn+ que producen el encendido y el apagado del MCT. La estructura descrita aquí es muy general y no muestra que solo el 4 por ciento de las celdas que posee el MOSFET sirven para el encendido.

En su operación, si el cátodo K es positivo con respecto al ánodo, no importando la polarización del gate, el MCT va a caer a un voltaje muy bajo, ésta situación debe ser evitada. Si el ánodo A es positivo con respecto al cátodo K, y no existe un voltaje en le gate, el MCT permanece en estado de apagado hasta que un voltaje de ruptura es alcanzado cuando una avalancha de ruptura ocurre. En la práctica una pequeña corriente de fuga I A leak existe en el estado de bloqueo hasta que la ruptura suceda y el dispositivo se encienda. Si el ánodo es positivo con respecto al cátodo y un voltaje negativo es aplicado al gate, el MCT se enciende. La caída de voltaje VMCT (ON) es muy pequeña y varía desde 0. 7 V sin carga hasta 1.1 V a plena carga. La corriente de ánodo es limitada solo por el valor de la impedancia de la carga. Si el MCT está encendido, la aplicación de un voltaje positivo en el gate, regresa al dispositivo al estado de apagado hasta que un voltaje negativo en el gate es aplicado.

Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 s) y que posee un elevado di/dt (1000 A/s) y dv/dt ( 5000 V/s), éstas características superiores lo convierten en un dispositivo de conmutación ideal y posee un tremendo potencial para aplicaciones en motores de media y alta potencia, así como en distintas aplicaciones en la electrónica de potencia.

INTERRUPTOR CONTROLADO DE SILICIO (SCS)
El interruptor controlado de silicio (SCS) es un tiristor con una compuerta adicional. Puede usarse como un tiristor, pero que se dispara con pulsos positivos o negativos en cualquiera de las compuertas. Sin embargo, también puede pasar al estado de no conducción aplicando pulsos a las compuertas.

Un interruptor de silicio controlado consiste en una estructura de cuatro capas cuyas cuatro regiones semiconductoras son accesibles. El dispositivo puede ser considerado como un circuito integrado con sendos transistores npn y pnp conectados como un par de realimentación positiva. Siendo accesibles las cuatro regiones, la realimentación positiva es fácilmente controlada, y el dispositivo puede ser accionado como un amplificador lineal de elevada ganancia de c.c. o como un interruptor.

El SCS es semejante en construcción al SCR. Sin embargo, el SCS tiene dos terminales de compuerta, como se muestra en la figura 1.1: la compuerta del cátodo y la compuerta del ánodo. El SCS puede encenderse y apagarse usando cualquiera de sus terminales de compuerta. El SCR puede encenderse usando sólo su terminal de compuerta. Normalmente el SCS se encuentra disponible sólo en rangos de potencia menores que las del SCR.

Compuerta anódica (GA)

Ánodo (A)

Cátodo (K)

Compuerta Catódica (GK)

Figura 1.1 Interruptor controlado de silicio (SCS)

La operación básica del SCS puede comprenderse refiriéndose al equivalente con transistores que se muestra en la figura 1.2. Se supone que ambos Q1 y Q2 están apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso positivo en la compuerta anódica lleva al Q2 hacia la conducción y proporciona así una trayectoria para la corriente de base al Q1. Cuando éste se enciende, su corriente de colector proporciona excitación de base al Q2, manteniendo así el estado encendido del dispositivo. Esta acción regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo Shockley y se ilustra en la figura 1.2 (a).

+V

+V

RA A Q1 Encendido GA Q1 Apagado

RA

GA

GK

Q2 Encendido K

GK

I=0

Q2 Apagado K

(a) Paso a encendido: pulso positivo en GK o negativo en GA

(b) Paso a apagado: pulso positivo en GA o negativo en GK

Figura 1.2 Operación del SCS

El SCS también puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del ánodo, como se muestra en la figura (a). Esto energiza al Q1 hacia conducción, en el que a su vez

proporciona corriente de base para el Q2. Una vez que el Q2 está encendido, proporciona una trayectoria para la corriente de base del Q1, sosteniendo así el estado encendido. Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del ánodo. Esta acción polariza e inversa a la unión base-emisor del Q1 y lo apaga. El Q2 a su vez, se apaga y el SCS deja de conducir como se muestra en la parte (b). El SCS tiene comúnmente un tiempo de apagado más rápido que el SCR.

Además del pulso positivo en la compuerta del ánodo o el negativo en la del cátodo, existen otros métodos para apagar un SCS. Las figuras 1.3 (a) y (b) muestran los métodos de conmutación para reducir la corriente del ánodo abajo del valor de retención. En cada caso, el transistor opera como un interruptor.

+V

+V

Q Encendido Q Apagado Q RA

RA Q Encendido Q Q Apagado

(a) El interruptor en serie apaga al SCS

(b) El interruptor en paralelo apaga al SCS

Figura 1.3

El interruptor transistorizado reduce la IA debajo de IH y apaga al SCS.

Aplicaciones

Los SCS y SCR se utilizan en aplicaciones semejantes. El SCS tiene la ventaja de apagado más rápido con pulsos en cualquiera de sus terminales de compuerta; sin embargo, es más limitado en términos de los rangos de corriente y voltaje máximos. Además, el SCS se usa algunas veces en aplicaciones digitales, tales como contadores, registradores y circuitos de sincronización.

A

P N GK P N GA N

P N

P N

P

K

(a)

(b)

(c)

Figura 1.4

La figura 1.4 (a) muestra las zonas dopadas de un interruptor controlado de silicio (SCS, en ingles Silicon Controlled Switch). Ahora un terminal externo se conecta a cada zona dopada. Imaginemos el dispositivo separado en dos secciones (b). Resulta equivalente a un latch con acceso a ambas bases (c). Un disparo de polarización directa en cualquiera de las bases cerrará el SCS. De la misma manera, un dispositivo de polarización inversa en cualquiera de las bases abrirá el dispositivo.

DIAC
Básicamente es un par de Diodos de cuatro capas en paralelo que permite el disparo en cualquier dirección. El Diac no conduce hasta que el voltaje a través de él excede el voltaje de rompimiento a saturación en cualquier dirección

El DIAC es un dispositivo de cuatro capas que puede conducir en ambas direcciones (bilaterales). En la figura 2.2 se muestra la construcción básica y el símbolo esquemático del DIAC. La ruptura ocurre en un voltaje relativamente bajo en ambos sentidos, después de la cual el DIAC exhibe una resistencia negativa, elevándose la corriente rápidamente y disminuyendo el voltaje hasta un valor de servicio inferior, como se muestra en la figura 2.2.

El DIAC es un dispositivo de dos terminales que se conoce como diodo de conmutación bidireccional. Este dispositivo se construye básicamente de tres capas semiconductoras y utiliza el principio de ruptura de un transistor bipolar, aunque se diseña de manera de que al suceder la segunda ruptura del transistor el dispositivo no se dañe y pueda conducir corrientes considerablemente mayores.

N P

P N

(a)

(b)

Figura 2.1 Construcción básica y símbolo del DIAC

En la construcción de estos dispositivos no se requiere que el transistor tenga una  (beta) grande, pues esto implica que el ancho de la base sea pequeño, lo que ocasionaría que al pasar una corriente apreciable ésta se dañara. Se requiere precisamente que el área transversal de las tres capas sea igual y de preferencia grande para que el dispositivo pueda soportar corrientes y pueda aplicarse como dispositivo de disparo o protección.

Principio de operación y curva característica

La operación del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta un voltaje de ruptura equivalente al BVCEO del transistor bipolar. Debido a la simetría de construcción de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura BVCEO, presentando una región de impedancia negativa (si se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.

Figura 2.2 Curva característica del DIAC

Como se ilustra en la figura 2.2, en este dispositivo se tiene siempre una pendiente negativa, por lo cual no es aplicable el concepto de corriente de sustentación

La conducción ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con cualquier polaridad, a través de las dos terminales. La curva de la figura 2.2 ilustra esta característica. Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye en una dirección que depende de la polaridad del voltaje en las terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de retención.

El circuito equivalente de un DIAC consiste en cuatro transistores dispuestos como se ilustra en la figura 2.3 (a). Cuando el DIAC esta polarizado como en la parte (b), la estructura pnpn desde A1 a A2, proporciona la operación del dispositivo con cuatro capas. En el circuito equivalente, Q1 y Q2 están polarizados en directa y los Q3 y Q4 en inversa. El dispositivo opera en la porción derecha superior de la curva característica de la figura 2.2, bajo esta condición de polarización. Cuando el DIAC está polarizado como se muestra en la figura 2.3 (c), la estructura pnpn, desde A2 a A1, es la que se usa. En el circuito equivalente, los Q3 y Q4 están polarizados en directa y los Q1 y Q2 en inversa. El dispositivo opera en la porción izquierda inferior de la curva característica, como se muestra en la figura 2.2.

A1 R Q3 Q1 Q4 Q2 A2 A2 (a) (b) (c) A2 A1 R A1

Figura 2.3 Circuito equivalente del DIAC y condiciones de polarización.

Características y especificaciones Los fabricantes dan normalmente las siguientes características fundamentales de este dispositivo: VS Voltaje de ruptura, | VS | = | -VS |  10 % ; IS Corriente en el punto de ruptura; IP Corriente de pico durante un cierto tiempo; ep Voltaje pico de disparo en la salida.

EL DIODO SHOCKLEY
Los diodos Shockley, o diodos de cuatro capas, son dispositivos de dos terminales construidos para impedir la circulación de la corriente directa hasta que sea alcanzada una tensión especificada de ruptura, para la cual el diodo se pone a conducir. La tensión de ruptura en el sentido inverso es mayor que en el directo y no está bien definida. Los diodos Shockley suelen ser dispositivos de baja potencia con tensiones directas de conmutación desde 10 V hasta 200 V y valores de disipación desde 0.5 W hasta 5 W. El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales (dispositivo de cuatro capas). La construcción básica consiste en cuatro capas semiconductoras, que forman una estructura pnpn, como se muestra en la figura 3.1 (a). El símbolo esquemático se muestra en la parte (b). Ánodo (A)

P

N P

Ánodo

Cátodo

N Cátodo (K) (a) Construcción básica (b) Símbolo esquemático Figura 3.1 Diodo Shockley

La estructura pnpn puede representarse por un circuito equivalente formado por un transistor pnp y uno npn, como se muestra en la figura 3.3 (a). Las capas pnp superiores forman al Q1 y las inferiores npn al Q2, con las dos capas intermedias compartidas por ambos transistores equivalentes. Observar que la unión base-emisor del Q1 corresponde a la unión pn 1 en la figura 3.1; la unión base-emisor del Q2 corresponde a la unión pn 3 y las uniones base-colector de ambos Q1 y Q2 corresponden a la unión pn 2.

P N N

P

P

N

Figura 3.2

El esquema de la figura 3.1 (a) se llamó originalmente diodo Shockley debido a su inventor. Se usan varios nombres para este dispositivo: diodo de cuatro capas, diodo pnpn e interruptor unilateral de silicio (SUS: Silicon Unilateral Switch). El dispositivo solo permite el paso de corriente en una dirección.

La manera más fácil de entender cómo funciona es imaginarlo en dos mitades separadas como se ve en la figura 3.2. La mitad izquierda es un transistor pnp y la derecha un transistor npn. En consecuencia el diodo de cuatro capas es equivalente al latch que aparece en la figura 3.3 (a).

La figura 3.1 (b) muestra el símbolo eléctrico del diodo de cuatro capas. El único modo de hacer que el diodo de cuatro capas conduzca es mediante el cebado, y la única forma de abrirlo es con bloqueo por disminución de corriente. En un diodo de cuatro capas no es necesario reducir la corriente a cero para abrir el latch. Los transistores internos del diodo de cuatro capas saldrán de la saturación cuando la corriente se reduzca a un valor por debajo de lo que se llama corriente de mantenimiento (indicada en las hojas de características). Este valor es la mínima corriente necesaria para que los transistores pasen de saturación a corte.

Una vez que el diodo de cuatro capas entra en saturación, la tensión que cae en él disminuye a un valor pequeño, que dependerá de la corriente que circule.

Ánodo

Unión 1 pn Q1 Q1 Q2 Unión 2 pn Q2

Unión 3 pn

(a)

(b)

Figura 3.3 Circuito equivalente del diodo Shockley

Operación básica

Cuando se aplica un voltaje positivo de polarización al ánodo respecto al cátodo, se muestra en la figura 3.3 (b), las uniones base-emisor de los Q1 y Q2 (uniones pn 1 y 3 en la figura 3.1 (a)) están polarizadas en directa y la unión común base-colector (unión pn 2 en la figura 3.1 (a)) está polarizado en inversa. En consecuencia, ambos transistores equivalentes están en la región lineal.

Para valores bajos de voltaje de polarización en directa, se establece una ecuación para la corriente del ánodo de la manera siguiente, usando las relaciones ordinarias del transistor y la figura 3.4.

A

IA = IE1 IC2 = IB1 IC1= IB2 Q2 K IK = IE2

Q1

Figura 3.4 Corrientes en un circuito equivalente al diodo Shockley básico

En niveles de corriente bajos el alfa del transistor es muy pequeña. Por consiguiente, en niveles de polarización bajos hay muy poca corriente del ánodo en el diodo Shockley, así se encuentra en apagado o en la región de bloqueo directo.

TRIAC
El TRIAC (trio de AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensión y conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura básica y símbolo aparecen en la fig.8. Es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere, pues la característica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 -- iT2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una caída de tensión en conducción prácticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conducción, si se supera la tensión de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destrucción por sobretensión.

Figura 8 TRIAC: Estructura y símbolo.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC

Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexión de compuerta común, como se muestra en la fig.9

Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales

como ánodo y cátodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activará al aplicar una señal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1. No es necesario que estén presentes ambas polaridades en las señales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola señal positiva o negativa de compuerta. En la práctica, la sensibilidad varía de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos).

Figura 9 Circuito equivalente de un TRIAC MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC:

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuación se verán los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1. Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalización del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2. La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unión P2N2 y en parte a través de la zona P2. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el área próxima a la puerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella iniciándose la conducción.

Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.

El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de cátodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. La unión P2N1 de la estructura principal que soporta la tensión exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conducción.

Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4.

La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión, haciéndose más conductora. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de la unión P2N1 próxima a ella que la próxima a T1, provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión

exterior

y

se

produce

la

entrada

en

conducción.

Modo III - :

Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente.

También se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente que la próxima a la puerta. Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción.

Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los más sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo más difícil y debe evitarse su empleo en lo posible.

El fabricante facilita datos de características eléctricas el bloqueo, conducción y de dispar por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.

Fig.10 Características V-I de un TRIAC

APLICACIONES TRIAC
La figura muestra un circuito con un Triac, que se utiliza para controlar la corriente a través de una carga grande. R1 y C, modifican el ángulo de fase en la señal de compuerta, debido a este corrimiento de fase, el voltaje de la compuerta esta atrasado con respecto al voltaje de línea un ángulo entre 0º y 90º. El voltaje de línea tiene un ángulo de fase de 0º mientras que el voltaje de la compuerta esta atrasado. Cuando este voltaje de la compuerta es suficientemente grande para alimentar la corriente de disparo, el Triac conduce. Una vez encendido el Triac, continua conduciendo hasta que el voltaje de línea regresa a cero, debido a que R1 es variable, el ángulo de fase del voltaje de línea se puede controlar por medio de la carga. Un control como este es muy útil en calentadores industriales, alumbrado y otras aplicaciones de potencia alta.

Termostato electrónico En la configuración actual este circuito enciende un motor u otro aparato cuando la temperatura alcanza un valor predeterminado, Si se quiere la operación contraria, se debe de hacer el cambio que se indica abajo. El triac debe montarse en disipador conveniente de calor.

Destellador

Este circuito básicamente es similar al flash, con la diferencia que este usa un oscilador por relajación, formado por una lámpara neón, la cual se encarga de gatillar el SCR, cuando en las placas del capacitor de 0.2 µF. hay más de 60 voltios. Aquí el ánodo y el cátodo del SCR substituyen al S1 del flaxh. Se producirá un destello cada vez que le llegue un pulso negativo al gate dundo se enciende el neón. Los destellos por minuto se controlan con el potenciómetro de 1M., el resistor de 150K y por supuesto, el capacitor de 0.2µF.

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Un rectificador controlado de silicio (SCR, rectificador controlado de silicio) es un dispositivo de tres terminales usado para controlar corrientes mas bien altas para una carga. El símbolo esquemático del SCR se presenta en la figura 1.

Figura 1 Símbolo esquemático y nombres de las terminales de un SCR.

Un SCR actúa a semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del ánodo al cátodo. Actúa entonces como un interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente

del ánodo al cátodo. Por tanto, actúa como un interruptor abierto. Dado que es un dispositivo de estado só1ido, la acción de conmutación de un SCR es muy rápida. El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un SCR en serie con la carga. Este arreglo es presentado en la figura 2. La alimentaci6n de voltaje es comúnmente una fuente de 60-Hz de ca, pero puede ser de cd en circuitos especiales. Si la alimentación de voltaje es de ca, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del ciclo de ca en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una fuente de 60-Hz de ca, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los que se dividen entre el tiempo que esta en ON y el tiempo que esta en OFF. La cantidad de tiempo que esta en cada estado es controlado por el disparador. Si una porción pequeña del tiempo esta en el estado ON, la corriente promedio que pasa a la carga es pequeña. Esto es porque la corriente puede fluir de la fuente, a través del SCR, y a la carga, só1o por una porción relativamente pequeña del tiempo. Si la señal de la compuerta es cambiada para hacer que el SCR este en ON por un periodo mas largo del tiempo, entonces la corriente de carga promedio será mayor. Esto es porque la corriente ahora puede fluir de la fuente, a través del SCR, y a la carga, por un tiempo relativamente mayor. De esta manera, la corriente para la carga puede variarse ajustando la porci6n del tiempo del ciclo que el SCR permanece encendido.

Figura 2 Relación de circuito entre la fuente de voltaje, un SCR y la carga

Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el ánodo del SCR es mas positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR de la figura 2 no puede estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga. FORMAS DE ONDA DE LOS SCR

Los términos populares para describir la operación de un SCR son ángulo de conducción y ángulo de retardo de disparo. El ángulo de conducción es el numero de grados de un ciclo de ca durante los cuales el SCR esta encendido. El ángulo de retardo de disparo es el número de grados de un ciclo de ca que transcurren antes de que el SCR sea encendido. Por supuesto, estos términos están basados en la noción de que el tiempo total del ciclo es igual a 360 grados. En la figura 3 se muestran las formas de onda de un circuito de control con SCR para un ángulo de retardo de disparo. Al momento que el ciclo de ca inicia su parte positiva, el SCR esta apagado. Por tanto tiene un voltaje instantáneo a través de sus terminales de ánodo y cátodo igual al voltaje de la fuente. Esto es exactamente lo que se vería si se colocara un interruptor abierto en un circuito en lugar del SCR. Dado que el SCR interrumpe en su totalidad el suministro de voltaje, el voltaje a través de la carga (VLD) es cero durante este lapso. La extrema derecha de las ondas ilustran estos hechos. Mas a la derecha en los ejes horizontales, se muestra el voltaje de ánodo a cátodo (VAK) cayendo a cero después de aproximadamente un tercio del semiciclo positivo. Esto es el punto de 60°. Cuando VAK cae a cero, el SCR se ha "disparado", o encendido. Por tanto, el ángulo de retardo de disparo es de 60°. Durante los siguientes 120° el SCR se comporta como un interruptor cerrado sin voltaje aplicado a sus terminales. El ángulo de conducci6n es de 120°. El ángulo de retardo de disparo y el ángulo de conducci6n siempre suman 180°.

Figura 3 Formas de ondas ideales del voltaje de la terminal principal (V AK) y el voltaje de carga de un SCR. Para un ángulo de retardo de disparo de unos 60o, un ángulo de conducción de 120o.

En la figura 3, la forma de onda del voltaje de carga muestra que, al dispararse el SCR, el voltaje de la fuente es aplicado a la carga. El voltaje de carga entonces sigue al voltaje de la fuente por el resto del semiciclo positivo, hasta que el SCR nuevamente se apaga. El estado OFF ocurre cuando el voltaje de la fuente pasa por cero. En general, estas formas de onda muestran que antes de que el SCR se dispare, el voltaje es retirado de entre las terminales del SCR, y la carga ve un voltaje cero. Después de haberse disparado el SCR, la totalidad del suministro de voltaje es retirado a través de la carga, y el SCR presenta voltaje cero. El SCR se comporta como un interruptor de acción rápida.

CARACTERÍSTICAS DE LA COMPUERTA DE LOS SCR

Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unión entre la compuerta y el cátodo, y sale del SCR por la terminal del cátodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayoría de los SCR

requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unión pn estándar entre la compuerta y el cátodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta para que un SCR se dispare.

Figura 4 Voltaje de compuerta a cátodo (VGK) y corriente de compuerta (IG) necesarios para disparar un SCR.

Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de compuerta. Mientras la corriente continué fluyendo a través de las terminales principales, de ánodo a cátodo, el SCR permanecerá en ON. Cuando la corriente de ánodo a cátodo (IAK) caiga por debajo de un valor mínimo, llamado corriente de retención, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su región negativa. Para la mayoría de los SCR de tamaño mediano, la IHO es alrededor de 10 mA.

APLICACIONES DEL SCR
Tiene variedad de aplicaciones entre ellas están las siguientes:
           

Controles de relevador. Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentación reguladas. Interruptores estáticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de baterías. Circuitos de protección. Controles de calefacción. Controles de fase.

En la figura 4.29a se muestra un interruptor estático es serie de medida de media onda. Si el interruptor está cerrado, como se presenta en la figura 4.29b, la corriente de compuerta fluirá durante la parte positiva de la señal de entrada, encendiendo al SCR. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se enciende, el voltaje ánodo a cátodo (VF) caerá al valor de conducción, dando como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca pérdida en el circuito de compuerta. Para la región negativa de la señal de entrada el SCR se apagará, debido a que el ánodo es negativo respecto al cátodo. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversión en la corriente de compuerta. Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura 4.29b. El resultado es una señal rectificada de media onda a través de la carga. Si se desea conducción a menos de 180º, el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la señal de entrada. El interruptor puede ser electrónico, electromagnético, dependiendo de la aplicación.

(a) Figura 4.29

(b)

Interruptor estático en serie de media onda.

En la figura 4.30a se muestra un circuito capaz de establecer un ángulo de conducción entre 90º y 180º. El circuito es similar al de la figura 4.29a, con excepción de la resistencia variable y la eliminación del interruptor. La combinación de las resistencias R y R1 limitará la corriente de compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada. Si R1 está en su valor máximo, la corriente de compuerta nunca llegará a alcanzar la magnitud de ence4ndido. Conforme R1 disminuye desde el máximo, la corriente de compuerta se incrementará a partir del mismo voltaje de entrada. De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido en cualquier punto entre 0º y 90º, como se muestra en la figura 4.30b. Si R1es bajo, el SCR se disparará de inmediato y resultará la misma acción que la obtenida del circuito de la figura 4.30b, el control no puede extenderse más allá de un desplazamiento de fase de 90º, debido a que la entrada está a su valor máximo en este punto. Si falla para disparar a éste y a menores valores del voltaje de entrada en la pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma respuesta para la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la señal. A esta operación se le menciona normalmente en términos técnicos como control de fase de media onda por resistencia variable. Es un método efectivo para controlar la corriente rms y, por tanto, la potencia se dirige hacia la carga.

(a) Figura 4.30

(b)

Control de fase de resistencia variable de media onda.

BIBLIOGRAFÌA Circuitos de transistores cálculos y aplicaciones Cowles Dispositivos electrónicos Tomo II García Electrónica Waterworth Principios de electrónica Malvino Dispositivos electrónicos 3 Floyd

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