ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase AB Operacin del circuito

Para vI=0 y v0=0 se tiene que: iN=iP=IQ=ISe(VBB/2VT) Para vI=0 y >0 se tiene que: v0=vI+(VBB/2)-vBEN iN=iP+iL Por otro lado se tiene: vBEN+vBEP=VBB VTln(iN/IS)+ VTln(iP/IS)=2 VTln(iQ/IS) iNiP=I2Q Combinando las dos ec. anteriores: i2N-iLiN-I2Q=0

vDD
VBB 2 + vi VBB 2 QN

iN iL iP

vo RL

QP

-vDD
tecnun

ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase AB Curva caracterstica de transferencia

tecnun

ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase AB Resistencia de salida

Rout=reN//reP QN reN= VT iN VT iP

QP Rout Rout= tecnun

reP=

VT VT VT // = iP iN iN+iP

ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase AB Polarizacin del circuito con el uso de diodos vDD
QN vo RL QP

Ibias + VBB -

D1 D2 + vi -

-vDD
tecnun

ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase AB Polarizacin usando un multiplicador de VBE

Ibias + VBB + vi tecnun R1 QP

vDD
QN Si se desprecia la corriente de base de Q1 se tiene: vo RL IR= VBE1 R1

R2

IR

IC1

Q1

R2 VBB=IR (R1+R2) =VBE1(1+ ) R1

-vDD

ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase AB Quasi-complementaria

Uno de los problemas de las etapas de salida clase B y AB es la reducida capacidad para manejar potencia que presentan los transistores pnp. Para salvar dicha dificultad en gran cantidad de diseos se implementa el transistor pnp (QP) mediante un transistor pnp (Q3) y un transistor npn (Q4) capaz de manejar elevadas potencias.

VBE B + IC3 Q3

IE VBE B+

E -

IE

QP C IC

Q4

IC3= -ISe

-(VBE /VT)

tecnun

-(V IC I =( +1)I = -( +1) I e BE /VT) C F4 C3 F4 S

ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase AB Quasi-complementaria vDD

QN vo RL Q3 Q4
Problemas de inestabilidad del lazo de retroalimentacin formado por Q3 y Q4. Propenso a oscilaciones a alta frecuencia (~5 MHz) La tensin de saturacin del transistor formado por Q3 y Q4 ser VCE3(sat)+VBE4. Este valor es superior al normal con lo que la excursin de seal negativa ser menor.

Ibias + VBB -

D1 D2 + vi -

tecnun

-vDD

ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase AB Proteccin contra cortocircuito

Ibias Q3 D1 D2 + vi tecnun RE1 RE2 QP RL
Mejora la estabilidad trmica del circuito.

vDD
QN
La excursin de seal positiva y negativa que podr experimentar la seal de salida ser menor en un valor RE1iN. Normalmente suele ser +0.5 V.

vo

-vDD

ETAPAS DE SALIDA Amplificadores de potencia de circuito integrado LM380 (National Semiconductor Corporation)

tecnun

ETAPAS DE SALIDA Anlisis de pequea seal LM380 (National Semiconductor Corporation)

tecnun

ETAPAS DE SALIDA Disipacin de potencia (PD) contra potencia de salida (PL) para el LM380 con RL=8

tecnun