Diagramas de Energía a 0 K según

Comportamiento Eléctrico
Banda de
Banda de Banda de
Banda de conducción
conducción conducción
conducción vacía
vacía vacía
vacía
Intervalo Intervalo
EF Intervalo
prohibido de prohibido de Eg prohibido de
energía energía energía

Estados Banda de
vacíos Valencia Banda de
Banda de EF Banda de
llena Valencia
Valencia Estados Valencia llena
llenos llena

(a) (b) (c) (d)

a) Metales: Cu, Ag, Au (1 ē de valencia)

b) Metales: Mg
c) Aisladores: Eg > 4 eV
d) Semiconductores: Eg < 4eV

1
 Efecto de la temperatura sobre la
resistividad en metales y aleaciones

† El aumento de energía
térmica de la T, aumenta las
vibraciones locales de los
iones en sus posiciones de la
red cristalina
† ⇒ Disminuye el camino libre
medio de los electrones a
través de la red
† ⇒ Aumento de resistividad
„ ρT = ρ0(1 + aΔT)
„ a = coeficiente de resistividad
térmica

Resistividad eléctrica en función de la T para Cu y aleaciones Cu-Ni.

Las contribuciones térmica, de las impurezas y de la deformación se Indican a -100 °C.

2
 Influencia de las impurezas…
† La presencia de impurezas o
elementos de aleación
produce deformación de la
red cristalina
† ⇒ Disminuye el camino libre
medio de los electrones a
través de la red
† ⇒ Aumento de resistividad
„ ρI = bfa(1-fa)
„ b = Cte. Independiente de la
composición
„ fa = fracción atómica de
impurezas
Resistividad eléctrica a T ambiente
en función de la composición para
aleaciones de Cu-Ni.

3
 Semiconductores

† Semiconductor intrínseco – Un semiconductor en el cual las

propiedades son controladas por el elemento o compuesto
y no por dopantes o impurezas.
† Semiconductor extrínseco – Un semiconductor preparado
por la adición de dopantes, lo cuales determinan el número
y tipo de portadores de carga.
† Dopaje – Adición de una cantidad controlada de otros
elementos para aumentar el número de portadores de
carga en un semiconductor.
† Recombinación radiactiva – Recombinación de huecos y
electrones que producen emisión de luz; lo cual ocurre en
materiales con brecha de energía directa.

4
 Semiconductores intrínsecos
† Comportamiento eléctrico se basa en la estructura
electrónica inherente al material puro.
† σ » 10-6 – 104 W-1m-1
† Eg < 2 eV

5
6
 Semiconductores intrínsecos

Cuando se aplica voltaje a un semiconductor, los electrones

se mueven a través de la banda de conducción, mientras que
los huecos se mueven a través de la banda de valencia en la
dirección opuesta.

7
 Distribución de electrones y uecos en
las banda de valencia y de conducción

(a) en el cero absoluto; (b) a temperatura elevada.

8
 Conductividad intrínseca
† La excitación térmica de electrones a la
banda de conducción produce huecos en la
banda de valencia
† 2 tipos de portadores de carga:
σ = nqe μ e + pqe μ h
† En los SC intrínsecos n=p:
† => σ = nqe ( μ e + μ h ) = pqe ( μ e + μ h )
⎛ − Eg ⎞
† Dependencia de la T: ⎜⎜ ⎟⎟
σ (T ) = σ 0 (T )e⎝ ⎠
2 k BT

σ 0 (T ) = n0 ( μ e + μ h )T
3
2

9
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Conductividad eléctrica
vs temperatura para
semiconductores
intrínsecos comparados
con metales. Notar el
quiebre en la escala del
eje Y.

10
 Semiconductores extrínsecos
† Resultan de agregar “impurezas” a los SC
intrínsecos:
„ SC intrínseco + Dopado (ppm) = SC extrínseco
† De esta forma se puede aumentar en varios
órdenes de magnitud la conductividad (por huecos
o por electrones).
† ¿Cómo se hace? ¿Qué tipo de “impurezas”?
„ Portadores de carga negativos: TIPO-n
„ Portadores de carga positivos: TIPO-p

11
 … en la Tabla Periódica

† Energía de Fermi: determina el portador dominante

„ Tipo n: EF > Eg/2
„ Tipo p: EF < Eg/2

12
 Semiconductores tipo n

Cuando un átomo dopante con valencia mayor que cuatro se adiciona

a Silicio, un electrón extra se introduce y un estado de energía
donante se crea en la brecha de energía. Ahora los electrones son
fácilmente excitados en la banda de conducción.

13
Niveles de energía en SC tipo n

(a)Esquema de energía para impurezas donadoras

(b)Excitación desde el estado donador para crear un electrón libre
en la banda de conducción

14
 ¿y la conductividad?

σ = nqe μ e + pqe μ h
Pero:
n >> p ⇒ σ = nqe μ e
⎛ − ( E g − Ed ) ⎞
⎜⎜ ⎟⎟
σ (T ) = σ 0 (T )e ⎝ k BT ⎠

15
Efecto de la temperatura sobre la concentración de portadores de carga de un
semiconductor tipo-n

† A bajas temperaturas, los átomos donantes no están ionizados.

† Al aumentar la temperatura, el proceso de ionización se completa y aumenta la
concentración de portadores de carga.
† La conductividad se mantiene constante hasta que la temperatura aumenta y los
portadores de carga generados térmicamente comienzan a dominar.
† A muy alta temperatura se pierde el efecto del dopante y el semiconductor muestra
comportamiento esencialmente “intrínseco”.

16
 Semiconductores tipo p

Cuando se introduce un átomo dopante con valencia menor que cuatro

en la estructura de Silicio, se crea un hueco en la estructura y se añade
un nivel de energía aceptor justo sobre la banda de valencia. Se
requiere poca energía para poner huecos en movimiento.

17
Niveles de energía en SC tipo p

σ = nqe μ e + pqe μ h
⎛ − Ea ⎞
⎜⎜ ⎟⎟
p >> n ⇒ σ = pqe μ h ⇒ σ (T ) = σ 0 (T )e ⎝ k BT ⎠

18
19
 Efecto Hall
† Método para determinar el tipo de portador de carga
mayoritario en metales y semiconductores.
† También sirve para determinar movilidades, μ
† Características:
„ Barra rectangular sólida
„ Campo eléctrico (E, Va) en dirección de la barra
„ =>corriente I
„ Campo magnético aplicado
perpendicular a E:
„ => Fuerza sobre partículas
cargadas en dirección ⊥ a E
y B.
r r r r
F = −q( E + v × B)

20
 Efecto Hall
† Efectos:
„ Desviación de huecos (+) hacia una cara
„ Desviación de electrones (-) hacia la otra
† ⇒ Se genera EH entre ambas caras:
„ ⎪F⎪= qEH = qVH/d (VH: voltaje Hall)
† VH = RHIxB / d
„ RH=1/nq : constante de Hall
„ μH = ⎪RH⎪σ
† Consecuencias:
„ VH < 0 ⇔ presencia mayoritaria de e-
„ VH > 0 ⇔ presencia mayoritaria de huecos

21
 Energía de Fermi en Semiconductores
† La Energía de Fermi es la energía del nivel más alto
ocupado por un sistema cuántico a temperatura cero.
† La energía de Fermi de un gas de Fermi (o gas de
electrones libres) se puede relacionar con el potencial
químico a través de la ecuación:

† El potencial químico electrónico es el potencial

electrostático eficaz experimentado por la densidad
electrónica.
† Por definición, en un sólido con brecha de energía (SC),
EF no tiene un valor único, ya que cualquier valor en Eg
cumple la definición.

22
¿Energía de Fermi en Semiconductores?
† De lo que en verdad se habla es del potencial químico.
† Cuando T Æ 0 K, el potencial químico de un sólido con
brecha de energía tiende a la energía media de la brecha
(Eg) y…
† a veces, se afirma que corresponde a la “Energía de
Fermi” de un material con brecha de energía.
† Independiente de esta afirmación coloquial, un sólido
con brecha de energía (SC) no tiene superficie de Fermi.
† Niveles de energía en el “espacio cristalográfico”
determinado por la energía de Fermi y su relación con
las bandas de energía

23
 Bandas de energía y energía de
Fermi
† La energía de Fermi μ es la energía para agregar
o remover un electrón, la cual es la misma en
todo lugar si el sistema está en equilibrio.
† Se puede trabajar tanto con μ, como con el
“potencial electroquímico” μe = μ + eV(r) debido
a un potencial electrostático V(r).

24
 Bandas de energía y energía de
Fermi
Ejemplos:
† Línea superior de la
Energía de Fermi en dos
metales en contacto
† Dos Semiconductores:
„ La banda es desplazada
en una cantidad –eV(r)
para que coincidan
„ Esto significa que debe
haber un potencial
electrostático V(r) para
que esto suceda

25
 Junta p-n
† En el equilibrio (V=0) no hay corriente neta, pero
siempre hay generación y absorción de huecos y
electrones a través de la interfaz.
† Lo que produce un campo eléctrico y un potencial interno
† V0= Cantidad de deformación que sufren las bandas.

26
 Aplicaciones de Semiconductores

† Los semiconductores se utilizan para construir Diodos,

transistores, láseres y LEDs. El Silicio es el caballo de
batalla de los circuitos integrados de gran escala (VLSI).
† Potencial directo – Conexión de una junta p-n a un
dispositivo, en que lado p es conectado al positivo. Una
difusión mejor ocurre al bajar la barrera de energía,
permitiendo que un monto considerable de corriente fluya
bajo el voltaje de activación.
† Potencial inverso – Conexión de una junta a un dispositivo
de forma que el lado p se conecta al terminal negativo; una
corriente muy baja fluye a través de la unión p-n bajo un
voltaje aplicado.
† Ruptura dieléctrica – El voltaje del potencial inverso causa un
gran flujo de corriente en una unión p-n levemente dopada.
† Transistor – Dispositivo semiconductor que puede usarse
para amplificar señales eléctricas.

27
Diodo o Rectificador

28
 Diodo Emisor de Luz (LED)
† Cuando se aplica el potencial directo en un sistema
donde la combinación de electrones y huecos
genera luz.
† Por ejemplo: GaAs o GaN

29
 Celda Solar
† La luz absorbida en la región de agotamiento
genera pares electrón-hueco

30
 Juntura Shottky
† Juntura Schottky: unión metal-semiconductor
„ Ojo: No todos los contactos de este tipo se convierten en una
juntura Schottky.
† Es rectificante.
† Se basa en la inyección de portadores sobre la barrera de
potencial φB de la juntura.

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 Juntura Shottky
† Para un voltaje directo la corriente aumenta exponencialmente
(hasta que se satura), lo que tiende a reducir la deformación
de las bandas
† Con un voltaje inverso actúa como un capacitor incrementando
la deformación de las bandas
† Aplicaciones:
„ Rectificación de señales
„ Desplazamiento de niveles de voltaje Voltaje directo
„ Construcción de transistores, CCDs
„ Dispositivos de microondas
„ Sensores, detectores
† Ventajas: Voltaje inverso
„ Simplicidad de fabricación
„ Ausencia de carga almacenada

32
 Contacto metal-semiconductor
† Propiedades específicas de la juntura
dependen de las propiedades de los
materiales constituyentes.
† Cuando 2 sólidos poseen buen contacto
eléctrico ocurrirá que:
„ Tienen una referencia energética común
„ Los niveles de Fermi están alineados
† En este caso:
„ Implica algún tipo de flexión de las bandas en
las juntura.
„ Esto determina si se forma un contacto óhmico
(resistivo, I=αV) o rectificante

33
 Contacto metal-semiconductor
† Los contactos óhmicos se requieren para minimizar
los efectos de los contactos sobre un dispositivo y
mantener la fidelidad de la señal transmitida.
† Cualquier resistencia provocará caída de potencial y
degradará la intensidad de la señal.
† Lo ideal: resistencia cero
† La resistencia observada se llama resistencia de
contacto.

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 Consideraciones de materiales
† Los semiconductores y sus óxidos son los
materiales más importantes en la fabricación de
dispositivos electrónicos.
† El silicio es el semiconductor más ampliamente
utilizado:
„ Puede fabricarse como monocristal casi sin defectos
(excepto por defectos puntuales).
„ Autointersticiales están presenten en cantidades
elevadas (≈1022 m-3).
„ Ventaja del O: aumenta resistencia mecánica del Si
fijando las dislocaciones.
„ Exceso de O: se precipita en forma de óxidos.
„ La mayoría de las obleas de Si para fabricación de CI
requieren una zona sin defectos de 20 μm

35
• Técnica de crecimiento de Czochralski
para producir monocristales de Silicio.
• Fabricación de un monocristal de silicio
de cientos de quilos de peso (unos 20
cm x 150 cm) en un proceso muy lento
(10 a 40 mm/hora) a alta temperatura
(1370º C)

36
 Ley de Moore (Wikipedia)
† La Ley de Moore expresa que aproximadamente cada
dos años se duplica el número de transistores en una
computadora. Se trata de una ley empírica, formulada
por Gordon E. Moore el 19 de abril de 1965, cuyo
cumplimiento se ha podido constatar hasta hoy.
† En 1965 Gordon Moore
afirmó que la
tecnología tenía futuro,
que el número de
transistores por
pulgada en circuitos
integrados se duplicaba
cada año y que la
tendencia continuaría
durante las siguientes
dos décadas.

37
 Ley de Moore
† Algo más tarde modificó su propia ley al afirmar que el ritmo
bajaría, y la densidad de los datos se doblarían
aproximadamente cada 18 meses.
† Esta progresión de crecimiento exponencial, doblar la
capacidad de los microprocesadores cada año y medio, es lo
que se considera la Ley de Moore.
† La consecuencia directa de la Ley de Moore es que los precios
bajan al mismo tiempo que las prestaciones suben: la
computadora que hoy vale US$3.000 costará la mitad al año
siguiente y estará obsoleta en dos años. En 26 años el número
de transistores en un chip se ha incrementado 3.200 veces.
† Actualmente se aplica a ordenadores personales. Sin embargo,
cuando se formuló no existían los procesadores, inventados en
1971, ni los ordenadores personales, popularizados en los años
1980.
† En el momento de escribir el artículo que originó su ley, Moore
era Director de los laboratorios de Fairchild Semiconductor.
Más tarde, en el verano de 1968, creó Intel junto con Robert
Noyce, uno de sus compañeros en ambas empresas.

38
 Transistores
† Inventados en 1947: barden, Brattaub, Shockley
† Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el
emisor y el colector.
† La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia
que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer
resistor".

39
 Transistores
† Funciones fundamentales:
„ Amplifican una señal
„ Conmutación de señales (procesado y almacenamiento)
† Tipos:
„ Transistor de unión (bimodal)
„ Transistor de efecto campo metal-óxido-SC (MOSFET)
† Transistor de unión: p-n-p (en el equilibrio)

40
 Transistores
† Aplicando voltajes: una unión se hace directa y la
otra inversa
† Amplificador: Corrientes pequeñas controlan
corrientes GRANDES

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 Transistores
† Con el potencial directo un gran número de huecos entran
en la región base
† Muchos de ellos pasan directamente a la región colectora
† Un pequeño aumento del voltaje en el circuito emisor-
base produce un gran aumento de corriente en la Junta 2

42