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Tecnologias Digitales
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UC3M. Profesores Celia Lpez Ongil, Luis Entrena, Mario Garca y Enrique San Milln
Microelectrnica
Contenidos
1. Familia CMOS 2. Familia TTL 3. Caractersticas de las familias CMOS y TTL 4. Tipos de Entradas y Salidas 5. Otras familias lgicas
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Microelectrnica
Familia lgicas
Las puertas lgicas procesan informacin digital (reciben 0s y 1s y generan 0s y 1s). Los valores lgicos (0 y 1) se asocian a valores de tensin (0 V y VCC, mxima tensin (0.8, 1.2, 1.5, 3.3, 5 V). La construccin de las puertas lgicas requiere el uso de dispositivos electrnicos, que sean capaces de procesar las entradas y generar las salidas, manteniendo la correspondencia entre niveles de tensin y niveles lgicos. Estos dispositivos electrnicos se pueden entender como interruptores que permiten la conexin a masa (GND) o a alimentacin (VCC). VCC A Entrada B GND UC3M
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Salida
Microelectrnica
Familia lgicas
En general estos interruptores son transistores. Segn el tipo de transistor utilizado se habla de Familia lgica porque todas las puertas lgicas se generan con dicho dispositivo. La familia lgica ms extendida es la CMOS debido a su bajo consumo y alta capacidad de integracin. Utiliza el transistor MOSFET. Otras familias son la TTL (transistor bipolar: BJT), la ECL (par diferencial con BJT), BiCMOS (mixta MOSFET-BJT), etc.
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Microelectrnica
Familia CMOS
Familia basada en el transistor MOSFET (dispositivo gobernado por tensin).
n+ p
n+
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Microelectrnica
Familia CMOS
Gate
Drain
Body Source
Corte transversal
Metal
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Microelectrnica
Familia CMOS
Gate (puerta)
Drain (drenador)
Body (substrato)
Source (fuente) Corte transversal Drain n+ p Body n+ Gate Aislante de puerta Source
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Microelectrnica
Familia CMOS
Se genera un canal entre D y S por aplicacin de tensin en G. Gate
Drain
Substrate Source
S n+
VGS
n+ p
eee-
e-
Body GND
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Microelectrnica
Familia CMOS
Por el canal n circula corriente del drenador (D) a la fuente (S) Gate VDS D n+ p
eee-
Drain
Substrate Source
VGS
n+
e-
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Microelectrnica
Familia CMOS
Transistor MOSFET tipo p . Gate
Source
Substrate Drain
Corte transversal
p+ n
p+
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Microelectrnica
Familia CMOS
Transistor MOSFET tipo p . VCC VSG S p+ n Body
p+ p+ p+
Source
Gate VSD G D
Substrate Drain
p+
p+
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Microelectrnica
Familia CMOS
Transistor tipo n: La fuente est al mnimo potencial El substrato est a masa (GND) La corriente circula de Drenador a Fuente (DS) La tensin Puerta-Fuente (GS) es la que genera el canal entre D y S Transistor tipo p: La fuente est al mximo potencial El substrato est a alimentacin (VCC) La corriente circula de Fuente a Drenador (SD) La tensin Puerta-Fuente (GS) es la que genera el canal entre S y D
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Microelectrnica
Familia CMOS
La combinacin de transistores tipo p y tipo n generan la tecnologa CMOS (Complementary MOSFET). Gracias a esta tecnologa se consiguen circuitos integrados digitales de gran densidad y con muy bajo consumo 1. Los transistores tipo n proporcionan los valores bajos ( 0 lgico) 2. Los transistores tipo p proporcionan los valores altos ( 1 lgico)
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Microelectrnica
Familia CMOS
INVERSOR CMOS VCC
Transistor A
S
Transistor B
GND Casos: 1. E = 1 A no tiene canal (no conduce) B s tiene canal (s conduce) 2. E = 0 A s tiene canal (s conduce) B no tiene canal (no conduce)
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Microelectrnica
Familia CMOS
PUERTA NAND CMOS VCC
A
1 2
B A S 0 0
4
B 0 1 0 1
S 1 1 1 0
A B
on on off off on off off (on) off on (on) off off off (on) (on)
1 GND 1
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PUERTA ?? CMOS
A
1
S A
4
B
5 6
GND
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Microelectrnica
Familia TTL
Familia basada en el transistor BJT (dispositivo gobernado por corriente). TTL: Transistor-transistor Logic BJT: Bipolar Junction Transistor C B ib E V
La inyeccin de corriente en la base genera un incremento de potencial que permite el paso de corriente entre el emisor y el colector.
n p n
ic
E
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C
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Microelectrnica
Familia TTL
Para utilizar el transistor bipolar como interruptor es necesario usar dos elementos. El primero (T1) funciona gobernado por la tensin que pongamos en el emisor (Entrada). Si conectamos el emisor a masa (0), T1 est saturado y en su colector habr un 0. Si conectamos el emisor a alimentacin (1), T1 est polarizado en inversa y habr un 1 en su colector. El colector de T1 es la base de T2. Si en la base de T2 hay un 0, T2 est cortado y la Salida vale 1 Si en la base de T2 hay un 1, T2 est saturado y la Salida vale 0.
VCC
RTL
Salida Entrada
T1 GND T2
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Microelectrnica
Familia TTL
Para introducir ms entradas se utiliza el transistor multi-emisor Si A B son un 0 (0 V) el transistor est saturado y en el colector hay un 0 Si en A y en B hay un 1 (Vcc) el transistor est polarizado en inversa y la corriente circulara de emisor a colector
A B
T1
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Microelectrnica
Familia TTL
Para mejorar la inmunidad al ruido y la rapidez de conmutacin, se aade salida en Totemple (dos transistores en la etapa de salida para que uno ponga los 0s y otro los 1s)
VCC
CASOS:
TTL
A B
T3 T2 T1
S
T4
1. A y B = 1. T1 polarizado en inversa T2 saturado T4 saturado Salida = 0 2. A o B = 0 T1 saturado T2 cortado T4 cortado T3 saturado Salida = 1 PUERTA LGICA NAND
GND
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Microelectrnica
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Microelectrnica
Tensin de alimentacin
Caracterstica Tension de alimentacin CMOS 0,8 15 V TTL 5V
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Microelectrnica
Inmunidad al ruido
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V
CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD
TTL 5V
VOL VIH VIL
Niveles de tensin
VDD
Entrada
Salida
VDD
1
VDD- 0.05 V
1
0.7*VDD 0.3*VDD
0.05 V
0
0V 0V
CMOS
Margen de ruido
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Microelectrnica
Niveles de tensin
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V
CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD
TTL 5V
VOL
0V 0.4 V
VIH
5V 2V
VIL
0V 0.8 V
Niveles de tensin
5V
Entrada
Salida
5V
1
2.4 V 2V 0.8 V
0.4 V
0
0V 0V
TTL
Margen de ruido
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Microelectrnica
Inmunidad al ruido
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V
CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD
TTL 5V
VOL
0V 0.4 V
VIH
5V 2V
VIL
0V 0.8 V
Depende de VDD
Margen de ruido
0.4 V
CMOS
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VDD
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Microelectrnica
Velocidad
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V
CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD
TTL 5V
VOL
0V 0.4 V
VIH
5V 2V
VIL
0V 0.8 V
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Microelectrnica
Consumo
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V
CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD
TTL 5V
VOL
0V 0.4 V
VIH
5V 2V
VIL
0V 0.8 V
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Microelectrnica
Intensidades de E y S
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V
CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD
TTL 5V
VOL
0V 0.4 V
VIH
5V 2V
VIL
0V 0.8 V
Intensidades de E y S
IOH
IOL
IIH
40 A
IIL
-1.6 mA
-400 A 16 mA
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Microelectrnica
Capacidad de entrada
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V
CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD
TTL 5V
VOL
0V 0.4 V
VIH
5V 2V
VIL
0V 0.8 V
IOH
IOL
IIH
40 A
IIL
-1.6 mA
-400 A 16 mA
Microelectrnica
Entradas no conectadas
Caracterstica
Entrada no conectada
CMOS
Conectar a 0 a 1 porque puede tomar cualquier valor segn los condensadores parsitos
TTL
Equivale a tener un 1 lgico
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Microelectrnica
Soluciones:
Microelectrnica
Pull-up
3. Bidireccional Salidas
C S B
Microelectrnica
Ventajas
AsGA
1. 2. Gran velocidad respecto a dispositivos en Silicio Precio elevado
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